• Türkçe
    • English
  • English 
    • Türkçe
    • English
  • Login
View Item 
  •   DSpace Home
  • Rektörlüğe Bağlı Birimler
  • Batman Üniversitesi Yayınları
  • Dergiler
  • 1. Batman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisi
  • Cilt 2, Sayı 1
  • View Item
  •   DSpace Home
  • Rektörlüğe Bağlı Birimler
  • Batman Üniversitesi Yayınları
  • Dergiler
  • 1. Batman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisi
  • Cilt 2, Sayı 1
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

On The Profile Of Frequency Dependent Series Resistance And Interface States In Al/TiO2/p-Si (MIS) Structures

Thumbnail

View/Open

1363021222.pdf (524.9Kb)

Date

2012

Author

Arsel, İsmail

Metadata

Show full item record

Abstract

Sol-gel yöntemiyle hazırlanan Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıların iletkenlik-voltaj(G/ω-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristiklerinin frekansa bağımlılığı oda sıcaklığında seri dirençler (Rs) ve arayüzey (Nss) durumlarına etkisi gözönüne alınarak incelenmiştir. Ölçülen kapasidans (C) ve iletkenkiğin (G/ω), frekansa ve öngerilime kuvvetle bağlı olduğu bulunmuştur. Ölçülen sığa (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerinin, dolma ve boşalma bölgelerinde frekansın artması ile azaldığı, Si/TiO2 arayüzeyinde Nss ölçülmüştür. Seri direnç-gerilim ( Rs-V), grafiğinde bir tepe noktası vardır ve tepe noktasının yeri, azalan frekansla birlikte ters bölgeye doğru kayar. Gerçek (MIS) kapasidans (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerini elde etmek amacıyla kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V) ölçümlerinin her ikisi ileri ve geri önyargılar altında seri dirençlerin etkisi için düzeltilmiştir. Frekansa bağlı kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V) ölçümleri son derece etkili elektriksel karakteristiklerin çok önemli iki parametresi MMS yapısında Rs ve Nss olduğunu gösterir.
 
The frequency dependence of capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) characteristics of the Al/TiO2/p-Si (MIS) structures by prepared the sol-gel method have been investigated taking into account the effect of the interface states (Nss) and the series resistance (Rs) at room temperature. It is found that the measured capacitanec (C) and conductance (G/ω) are strongly dependent on bias voltage and frequency. The values of measured C and G/ω decrease in accumulation and depletion regions with increasing frequencies due to localized Nss at Si/TiO2 interface. The Rs vs. V plots give a peak and the peak position is shifting toward inversion region with decreasing frequency. In order to obtained the real MIS capacitance and conductance both C-V and G/ω-V measured under forward and reverse biases were corrected for the effect of Rs. Frequency dependent the C-V and G/ω-V measurements confirm that the Nss and Rs of the MIS structures are very important two parameters that strongly influence the electrical characteristics.
 

Source

Batman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisi

Volume

2

Issue

1

URI

http://www.yasambilimleridergisi.com/makale/pdf/1363021222.pdf
https://hdl.handle.net/20.500.12402/1547

Collections

  • Cilt 2, Sayı 1 [9]
  • Fen - Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Makale Koleksiyonu [50]



DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV
 

 




| Open Science Policy ||
|| Open Access Policy
| Guide | Contact |

DSpace@Batman

by OpenAIRE
Advanced Search

sherpa/romeo

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypeDepartmentPublisherCategoryLanguageAccess TypeThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypeDepartmentPublisherCategoryLanguageAccess Type

My Account

LoginRegister

Statistics

View Google Analytics Statistics

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Contact Us | Send Feedback
Theme by 
@mire NV
 

 


|| Open Science Policy || Open Access Policy || Guide || Library || Batman University || OAI-PMH ||

If you find any errors in content, please contact: earsiv@batman.edu.tr

Creative Commons License
DSpace@Batman by Batman University Institutional Repository is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported License..

DSpace@Batman:


DSpace 6.2

tarafından İdeal DSpace hizmetleri çerçevesinde özelleştirilerek kurulmuştur.