Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması
Citation
Güllü, Ö. (2018). Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması. Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Mühendislik Dergisi 9(2). ss.689-700.Abstract
Bu çalışmada π bağları açısından zengin organik molekülün (Nigrosin (NIG)) optik özellikleri UV-Vis
yöntemiyle belirlendi. Cam altlık üzerinde damlatma yöntemi ile büyütülen NIG ince tabakasının direkt
yasak enerji değerleri; 1,42 eV (Q bandı) ve 2,94 eV (B bandı) olarak rapor edildi. Oluşturulan referans
Al/p-Si ve Al/NIG/p-Si Metal/Organik aratabaka/Yarıiletken (MIS) yapılarının I-V ölçümleri sonunda tüm
yapıların doğrultucu özelliğe sahip oldukları gözlemlendi. Oda sıcaklığında alınan I-V ölçümleri
kullanılarak yapıların karakteristik diyot özellikleri belirlendi. Burada Al/NIG/p-Si diyotunun kapasitör
özelliği, C-V ölçümleri alınarak incelendi ve yapılan hesaplamalar sonucunda bazı diyot parametreleri elde
edildi. Elde edilen sonuçlar, π bağları açısından zengin olan NIG gibi organik malzemelerin elektronik
sahasında kullanılabileceğini gösterdi.
Source
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Mühendislik DergisiVolume
9Issue
2Collections
The following license files are associated with this item: