Rüzgar, ŞerifYıldız, Yusuf2022-07-062022-07-062022-04-29Yıldız, Y. (2022). Kobalt katkılı bakır oksit ince film tabanlı yapıların elektriksel karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.https://hdl.handle.net/20.500.12402/4229Bu tez çalışması Batman Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından BTUBAP-2019-SHMYO-01 nolu proje ile desteklenmiştir.Sol jel döndürme kaplama yöntemi ile katkısız ve kobalt katkılı bakır oksit ince filmleri n tipi silisyum alttaşlar üzerine kaplanarak heteroeklem yapılar üretildi. Elde edilen bu heteroeklem yapıların fotoelektriksel özellikleri incelendi. Yapılan ölçümler sonucunda kobalt katkılandırmanın üretilen ince filmler üzerindeki etkisi araştırıldı. Üretilen bu yapıların I-V grafikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında çizilerek incelendi. I-V grafiklerini kullanarak bu diyotların idealite faktörü (η), bariyer yüksekliği (ΦB), doğrultma oranı (RR), Norde fonksiyonu yardımı ile seri dirençleri karanlık ve ışık altında hesaplandı. Bununla birlikte, 10 kHz – 1 MHz frekans aralığında C-V, Rs-V, G-V ile Dit grafikleri çizilip incelendi. Elde edilen diyotların ters beslem (C-2) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd(cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(C-V) (eV), Wd (nm), ∆Փb (eV) ve Emax (V/cm) parametreleri hesapladı. Elde edilen hesaplamalar sonucunda tüm elektriksel parametrelerin katkı miktarına kuvvetli bir şekilde bağlı olduğu gözlendi.In order to fabricate heterojunction structurers, undoped and cobalt-doped copper oxide thin films were deposited on n-type silicon substrates by sol-gel spin coating method. The optoelectrical properties of these heterojunction structures were investigated. As a result of the measurements, the effect of cobalt doping on the produced thin films based structures were studied. The I-V measurement of these structures were examined in the dark and under 100 mW/cm2 light intensity. The ideality factor (n), barrier height (ΦB), rectification ratio (RR), series resistance of these diodes were calculated by using the conventional Thermoionic Emission and Norde methods. In addition, C-V, Rs-V, G-V and Dit graphs were plotted and analyzed in the frequency range of 10 kHz – 1 MHz. The electrical parameters of these structures such as Nd (cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(C-V) (eV), Wd (nm), ∆Փb (eV) and Emax (V/cm) were calculated by using capacitance data, which was measured under 1 MHz frequency. As a result of the electrical measurement of heterostructures, it was observed that all electrical parameters were strongly dependent on the doping concentration.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessBakır OksitHeteroeklem Yapılarİnce FilmKobalt OksitCopper OxideCobalt OxideHeterojunctionsThin FilmMaster Thesis