Güllü, ÖmerErdem, Emine2021-03-032021-03-032021-02-042021-02-04Erdem, E. (2021). Sılar yöntemi kullanılarak pbo ince filminin üretimi ve pb/pbo/p-si mıs kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman.https://hdl.handle.net/20.500.12402/2624Son yıllarda, metal oksit ince filmler yoğun bir şekilde piezoelektrik, elektronik, optronik cihazlar ve fotovoltik hücrelerde kullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında düşük maliyetli ve kontrolü oldukça kolay olan, SILAR ince film büyütme tekniği kullanılarak kurşun oksit (PbO) ince filmini mikroskop camı (lam) ve inorganik yarıiletken silisyum (Si) altlık üzerine büyütülmüştür. Kullanılan altlıklar uygun kimyasal temizleme işlemlerinden sonra SILAR tekniği ile kaplanmıştır. Kaplama işlemi çözeltiler 80℃’de tutularak yapılmıştır. Kaplama esnasında hem cam hem silisyum kristali (mat yüzey) 25 adımlık daldırma tur sayısı ile kaplanmıştır. Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturduktan sonra üst yüzeyine (parlak yüzey) Pb iletkeni fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak kontak oluşturulmuştur. Cam üzerinde oluşturulan PbO ince filmin optik, morfolojik ve yapısal özellikleri, araştırılmıştır. Oluşturulan Pb/PbO/p-Si MIS Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri karanlık ortamda akım-gerilim (I-V), 10kHz-2MHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V), kondüktans-gerilim (G-V) ve 1kHz-10MHz frekans aralığında kapasite-frekans (C-F) özellikleri incelenmiştir.In recent years, metal oxide thin films have been used extensively in piezoelectric, electronic, optronic devices and photovoltic cells. In this thesis, using SILAR thin film magnification technique, which is low cost and easy to control, the lead oxide (PbO) thin film was enlarged on microscope glass (slide) and inorganic semiconductor silicon (Si) pads. The pads used were coated with SILAR technique after appropriate chemical cleaning processes. Coating was done by keeping the solution at 80 ℃. Films of different thicknesses were obtained by changing the number of dipping rounds during coating. After forming a thin film on the silicon semiconductor, the coating was performed by evaporating the Pb conductor to its upper surface (bright surface). Optical, morphological and structural properties of PbO thin film formed on glass were investigated. The electrical and interface characteristics of the Pb /PbO/p-Si MIS Schottky diode created were investigated in the dark by using current-voltage (I-V), capacity-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) in 10kHz-2MHz frequency range and capacity-frequency (C-f) characteristics in 1kHz-10MHz frequency range.İÇİNDEKİLER ÖZET iv ABSTRACT v ÖNSÖZ vi İÇİNDEKİLER vii SİMGELER VE KISALTMALAR ix ŞEKİLLER xi ÇİZELGELER xii 1. GİRİŞ 1 1.1 Literatür Araştırması 3 2. KURAMSAL TEMELLER 10 2.1 Yarıiletkenler 10 2.1.1 Katkısız (asal) yarıiletken 12 2.1.2 Katkılı yarıiletken 12 2.1.2.1 n-tipi yarıiletken 12 2.1.2.2 p-tipi yarıiletken 13 2.1.2.3 p-n Eklemi 14 2.1.2.4 İleri/düz/doğru beslem (forward biasing) 17 2.1.2.5 Ters beslem (reverse biasing) 17 2.2 MIS Kontakların Yapısı 18 2.3 Schottky Diyot 19 2.3.1 Metal/n-tipi yarıiletken doğrultucu (Schottky) kontak 20 2.3.2 Metal/p-tipi yarıiletken doğrultucu (Schottky) kontak 23 2.4 İnce Film Kaplama Yöntemleri 24 2.4.1 SILAR yöntemi 25 2.4.2 Fiziksel buhar biriktirme yöntemi (PVD) 28 2.5 X-Işını Difraksiyonu 29 2.6 Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) 30 2.7 UV-VİS Spektrometresi 31 3. DENEYSEL İŞLEMLER 32 3.1 Çalışmalarda Kullanılan Malzemeler Ve Hazırlanış Aşamaları 32 3.2 Deney Çözeltisinin Hazırlanması 32 3.3 Filmlerin Kaplanması 34 3.4 Pb/PbO/p-Si Schottky Diyotunun Hazırlanması 36 4. ARAŞTIRMA BULGULARI VE SONUÇLAR 38 4.1 PbO Filminin X-Işınları (XRD) Ölçümleri 38 4.2 PbO Filminin SEM-EDS Analizi 38 4.3 PbO Filminin Optik Ölçümleri (UV-Vis ve PL) 40 4.4 Pb/PbO/p-Si Schottky Diyotunun Elektriksel Karakterizasyonu 43 4.4.1 Üretilen diyotun akım -gerilim karakteristikleri 43 4.4.2 Üretilen diyotun kapasite-gerilim karakteristikleri 50 4.4.3 Üretilen diyotun kondüktans-gerilim karakteristikleri 54 4.4.4 Üretilen diyotun kapasite-frekans (C-f) karakteristikleri 55 5. GENEL SONUÇLAR VE ÖNERİLER 56 5.1 Sonuçlar ve Tartışma 56 5.2 Öneriler 61 KAYNAKÇA 62trinfo:eu-repo/semantics/openAccessAttribution-ShareAlike 3.0 United StatesDiyotMISPbOSchottkySILARDiodeMaster Thesis