Güllü, ÖmerAydın, Hilal2019-05-202019-05-202019-05-03Aydın, H. (2019). Organik boya ara tabakalı Al/Safranine T/n-tipi Inp MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özellikleri. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman.https://hdl.handle.net/20.500.12402/2008Bu çalışmada; [100] doğrultusunda büyütülmüş, 300 μm kalınlıkta, donor konsantrasyonu 1-5x1017 cm-3 olan ve bir yüzü parlatılmış n-InP yarıiletkeni kullanıldı. Uygun kimyasal temizleme işleminden sonra yarıiletken kristalin alt yüzüne In omik kontak yapıldı. Üst yüzüne Safranine T boyası metanol çözeltisi (0.2’lik) ile kaplandıktan sonra organik tabakanın da üst yüzeyine alt kontak yapıldı. İmal edilen Al / ST / n-InP Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında karanlık ve ışık altında akım-gerilim (I-V) ölçümü ve 100 kHz'lik adımlarla 100-900 kHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) özellikleri araştırılmıştır. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz beslem I-V verisi kullanılarak modifiye Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir. Diyotun arayüzey durum yoğunluğu (Nss) de hesaplanmıştır. Ortaya çıkan yapı mükemmel doğrultucu özelliklere sahiptirIn this study, the [100] direction is enlarged in a thickness of 300 µm, the donor concentration 1-5x1017cm-3,and a face-polished n-InP semiconductors was used.After appropriate chemical cleaning process,the semiconductor crystal of the lower face funny In contact was made .Methanol upper face Safranine T dye solution (0.2%) is covered with the organic layer to the upper surface of the lower contact was made. Manufactured Al/ST/n-InP Schottky diodes electrical and surface properties at room temperature in the dark and the light, under the current-voltage (I-V) in the frequency range 100-900 kHz with 100 kHz steps measurement and capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage their properties were investigated. The barrier height (ΦB) and series resistance (Rs), some parameters such as, plain feed, the I-V data were obtained from Cheung functions and modified using the Norde function.Diode interface state density (Nss) were also calculated. The resulting structure has the characteristics of a perfect rectifier.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessAttribution 3.0 United StatesBariyer YüksekliğiInPMISSafranine TSeri DirençSchottky DiyotBarrier HeightSeries ResistanceSchottky DiodeMaster Thesis76