Organik arayüzey tabakalı Al/CuPc /p-InP kontakların fabrikasyonu ve elektriksel parametrelerinin incelenmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2015-07-01
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Attribution-ShareAlike 3.0 United States
Attribution-ShareAlike 3.0 United States
Özet
Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP
kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince
organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot
yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık
ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik
gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2
ışık şiddeti altında
yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca
farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite
faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.
In this study, copper phthalocyanine (CuPc) was coated on p-InP crystal by using thermal evaporation method. The Al/CuPc/p-InP diode was fabricated by evaporating aluminum metal on the organic thin film in vacuum atmosphere. The current-voltage (I-V) measurement was carried out for Al/CuPc/p-InP diode at room temperature, in the dark and under illumination. By using I-V measurements, it has been seen that diode structure shows rectifying property. It has been used a light source of 100 mW/cm2 intencity and found that the diode has photodiode properties. Furthermore, the electrical parameters (ideality factor (n), barier height ( Φb) and series resistance (Rs) ) of the Al/CuPc/p-InP Schottky diode were calculated by different methods.
In this study, copper phthalocyanine (CuPc) was coated on p-InP crystal by using thermal evaporation method. The Al/CuPc/p-InP diode was fabricated by evaporating aluminum metal on the organic thin film in vacuum atmosphere. The current-voltage (I-V) measurement was carried out for Al/CuPc/p-InP diode at room temperature, in the dark and under illumination. By using I-V measurements, it has been seen that diode structure shows rectifying property. It has been used a light source of 100 mW/cm2 intencity and found that the diode has photodiode properties. Furthermore, the electrical parameters (ideality factor (n), barier height ( Φb) and series resistance (Rs) ) of the Al/CuPc/p-InP Schottky diode were calculated by different methods.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Schottky Diyot, Bakır Fitalosiyanin, İdealite Faktörü, Engel Yüksekliği, Schottky Diodes, Copper Phthalocyanine, Ideality Factor, Barrier Height
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
5
Sayı
2
Künye
Aslan, F., Güllü, Ö., Ocak, Y. S., Rüzgar, Ş., Tombak, A., Özaydın, C., Pakma, O., Arsel, İ. (2015).Organik arayüzey tabakalı Al/CuPc /p-InP kontakların fabrikasyonu ve elektriksel parametrelerinin incelenmesi. Batman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisi, 5 (2), ss. 263-275.
