Sılar yöntemi kullanılarak pbo ince filminin üretimi ve pb/pbo/p-si mıs kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri
Yükleniyor...
Tarih
2021-02-04
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Attribution-ShareAlike 3.0 United States
Attribution-ShareAlike 3.0 United States
Özet
Son yıllarda, metal oksit ince filmler yoğun bir şekilde piezoelektrik, elektronik, optronik cihazlar ve fotovoltik hücrelerde kullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında düşük maliyetli ve kontrolü oldukça kolay olan, SILAR ince film büyütme tekniği kullanılarak kurşun oksit (PbO) ince filmini mikroskop camı (lam) ve inorganik yarıiletken silisyum (Si) altlık üzerine büyütülmüştür. Kullanılan altlıklar uygun kimyasal temizleme işlemlerinden sonra SILAR tekniği ile kaplanmıştır. Kaplama işlemi çözeltiler 80℃’de tutularak yapılmıştır. Kaplama esnasında hem cam hem silisyum kristali (mat yüzey) 25 adımlık daldırma tur sayısı ile kaplanmıştır. Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturduktan sonra üst yüzeyine (parlak yüzey) Pb iletkeni fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak kontak oluşturulmuştur.
Cam üzerinde oluşturulan PbO ince filmin optik, morfolojik ve yapısal özellikleri, araştırılmıştır. Oluşturulan Pb/PbO/p-Si MIS Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri karanlık ortamda akım-gerilim (I-V), 10kHz-2MHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V), kondüktans-gerilim (G-V) ve 1kHz-10MHz frekans aralığında kapasite-frekans (C-F) özellikleri incelenmiştir.
In recent years, metal oxide thin films have been used extensively in piezoelectric, electronic, optronic devices and photovoltic cells. In this thesis, using SILAR thin film magnification technique, which is low cost and easy to control, the lead oxide (PbO) thin film was enlarged on microscope glass (slide) and inorganic semiconductor silicon (Si) pads. The pads used were coated with SILAR technique after appropriate chemical cleaning processes. Coating was done by keeping the solution at 80 ℃. Films of different thicknesses were obtained by changing the number of dipping rounds during coating. After forming a thin film on the silicon semiconductor, the coating was performed by evaporating the Pb conductor to its upper surface (bright surface). Optical, morphological and structural properties of PbO thin film formed on glass were investigated. The electrical and interface characteristics of the Pb /PbO/p-Si MIS Schottky diode created were investigated in the dark by using current-voltage (I-V), capacity-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) in 10kHz-2MHz frequency range and capacity-frequency (C-f) characteristics in 1kHz-10MHz frequency range.
In recent years, metal oxide thin films have been used extensively in piezoelectric, electronic, optronic devices and photovoltic cells. In this thesis, using SILAR thin film magnification technique, which is low cost and easy to control, the lead oxide (PbO) thin film was enlarged on microscope glass (slide) and inorganic semiconductor silicon (Si) pads. The pads used were coated with SILAR technique after appropriate chemical cleaning processes. Coating was done by keeping the solution at 80 ℃. Films of different thicknesses were obtained by changing the number of dipping rounds during coating. After forming a thin film on the silicon semiconductor, the coating was performed by evaporating the Pb conductor to its upper surface (bright surface). Optical, morphological and structural properties of PbO thin film formed on glass were investigated. The electrical and interface characteristics of the Pb /PbO/p-Si MIS Schottky diode created were investigated in the dark by using current-voltage (I-V), capacity-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) in 10kHz-2MHz frequency range and capacity-frequency (C-f) characteristics in 1kHz-10MHz frequency range.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Diyot, MIS, PbO, Schottky, SILAR, Diode
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Erdem, E. (2021). Sılar yöntemi kullanılarak pbo ince filminin üretimi ve pb/pbo/p-si mıs kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman.
