Organik boya ara tabakalı Al/Safranine T/n-tipi Inp MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özellikleri

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorGüllü, Ömer
dc.contributor.authorAydın, Hilal
dc.date.accessioned2019-05-20T10:57:32Z
dc.date.available2019-05-20T10:57:32Z
dc.date.issued2019-05-03
dc.departmentBatman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada; [100] doğrultusunda büyütülmüş, 300 μm kalınlıkta, donor konsantrasyonu 1-5x1017 cm-3 olan ve bir yüzü parlatılmış n-InP yarıiletkeni kullanıldı. Uygun kimyasal temizleme işleminden sonra yarıiletken kristalin alt yüzüne In omik kontak yapıldı. Üst yüzüne Safranine T boyası metanol çözeltisi (0.2’lik) ile kaplandıktan sonra organik tabakanın da üst yüzeyine alt kontak yapıldı. İmal edilen Al / ST / n-InP Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında karanlık ve ışık altında akım-gerilim (I-V) ölçümü ve 100 kHz'lik adımlarla 100-900 kHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) özellikleri araştırılmıştır. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz beslem I-V verisi kullanılarak modifiye Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir. Diyotun arayüzey durum yoğunluğu (Nss) de hesaplanmıştır. Ortaya çıkan yapı mükemmel doğrultucu özelliklere sahiptiren_US
dc.description.abstractIn this study, the [100] direction is enlarged in a thickness of 300 µm, the donor concentration 1-5x1017cm-3,and a face-polished n-InP semiconductors was used.After appropriate chemical cleaning process,the semiconductor crystal of the lower face funny In contact was made .Methanol upper face Safranine T dye solution (0.2%) is covered with the organic layer to the upper surface of the lower contact was made. Manufactured Al/ST/n-InP Schottky diodes electrical and surface properties at room temperature in the dark and the light, under the current-voltage (I-V) in the frequency range 100-900 kHz with 100 kHz steps measurement and capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage their properties were investigated. The barrier height (ΦB) and series resistance (Rs), some parameters such as, plain feed, the I-V data were obtained from Cheung functions and modified using the Norde function.Diode interface state density (Nss) were also calculated. The resulting structure has the characteristics of a perfect rectifier.en_US
dc.identifier.citationAydın, H. (2019). Organik boya ara tabakalı Al/Safranine T/n-tipi Inp MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özellikleri. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman.en_US
dc.identifier.startpage76en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/2008
dc.language.isotren_US
dc.publisherBatman Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.rightsAttribution 3.0 United States*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0/us/*
dc.subjectBariyer Yüksekliğien_US
dc.subjectInPen_US
dc.subjectMISen_US
dc.subjectSafranine Ten_US
dc.subjectSeri Dirençen_US
dc.subjectSchottky Diyoten_US
dc.subjectBarrier Heighten_US
dc.subjectSeries Resistanceen_US
dc.subjectSchottky Diodeen_US
dc.titleOrganik boya ara tabakalı Al/Safranine T/n-tipi Inp MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özelliklerien_US
dc.title.alternativeElectrical and interfacial properties of the Al/Safranine T/n- type InP MIS junctions with organic dye interlayeren_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Hilal_Aydın_Tez_YL.pdf
Boyut:
2.42 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Tez Koleksiyonu