The electronic properties of the Al new fuchsin n Si Schottky Structures

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0000-0002-3785-6190en_US
dc.contributor.authorGüllü, Ömer
dc.contributor.authorÖzkan, Samet
dc.date.accessioned2021-04-19T09:58:03Z
dc.date.available2021-04-19T09:58:03Z
dc.date.issued2016-09en_US
dc.departmentBatman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümüen_US
dc.description.abstracten_US
dc.identifier.citationGüllü, Ö., Özkan, S. (2016). The electronic properties of the Al new fuchsin n Si Schottky Structures. Turkish Physical Society 32nd International Physics Congress, 06-09 Eylül 2016, Bodrum, Muğlaen_US
dc.identifier.isbn9786058351608
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/2932
dc.language.isoenen_US
dc.publisherTürk Fizik Derneğien_US
dc.relation.journalTurkish Physical Society 32nd International Physics Congress, 06-09 Eylül 2016en_US
dc.relation.publicationcategoryKonferans Öğesi - Uluslararası - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.rightsAttribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 United States*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/us/*
dc.titleThe electronic properties of the Al new fuchsin n Si Schottky Structuresen_US
dc.typeConference Objecten_US

Dosyalar

Koleksiyon

Fen - Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Bildiri Metinleri Koleksiyonu