Determination of main parameters of Au/n-Si diodes with and without nitropyridine conjugated anthracene (NAMA) layer from current-voltage characteristics

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0000-0002-3098-0973en_US
dc.authorid0000-0001-8093-2331en_US
dc.authorid0000-0003-0518-3208en_US
dc.authorid0000-0001-9428-4347en_US
dc.contributor.authorOngun, Onur
dc.contributor.authorEymur, Serkan
dc.contributor.authorPakma, Osman
dc.contributor.authorYüksel, Ömer Faruk
dc.contributor.authorSayın, Serkan
dc.contributor.authorTezcan, Ali Osman
dc.contributor.authorBörekçi, Nazmiye
dc.contributor.authorTuğluoğlu, Nihat
dc.date.accessioned2021-04-15T11:32:04Z
dc.date.available2021-04-15T11:32:04Z
dc.date.issued2017en_US
dc.departmentBatman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümüen_US
dc.description.abstracten_US
dc.identifier.citationOngun, O., Eymur, S., Pakma, O., Yüksel, Ö. F., Sayın, S., Tezcan, A. O., Börekçi, N., Tuğluoğlu, N. (2017). Determination of main parameters of Au/n-Si diodes with and without nitropyridine conjugated anthracene (NAMA) layer from current-voltage characteristics. International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD-2017), 17–19 August 2017, Konya.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/2900
dc.language.isoenen_US
dc.publisherSelçuk Üniversitesien_US
dc.relation.journalInternational Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD-2017), 17–19 August 2017en_US
dc.relation.publicationcategoryKonferans Öğesi - Uluslararası - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccessen_US
dc.titleDetermination of main parameters of Au/n-Si diodes with and without nitropyridine conjugated anthracene (NAMA) layer from current-voltage characteristicsen_US
dc.typeConference Objecten_US

Dosyalar

Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen - Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Bildiri Metinleri Koleksiyonu