7 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 7 / 7
Öğe Batman ilinin doğal gaz ihtiyacının ve hava kirliliğini azaltmasının matematiksel yöntemlerle modellenmesi(Karabük Üniversitesi, 2009) Aydın, Hüseyin; Yaşar, Fevzi; Bezek Güre, ÖzlemÖğe Bir dizel motorunda kanola yağı kullanımında ön-ısıtma işleminin egzoz emisyonlarına etkilerinin deneysel araştırılması(e-Journal of New World Sciences Academy, 2009-03-01) Aydın, Hüseyin; Öner, Cengiz; İlkılıç, Cumali; Hazar, HanbeyBu çalışmanın amacı; bitkisel yağlardan olan kanola yağının önceden ısıtılarak bir dizel motorunda kullanımından kaynaklanan egzoz emisyonlarının nasıl değiştiğini incelemektir. Bu amaçla saf kanola yağı %20 ve %50 oranlarında dizel yakıtı ile karıştırılmış ve bu karışım yakıtlar dört zamanlı, tek silindirli ve hava soğutmalı bir dizel motorda kullanılmıştır. Karışım yakıtlar kullanım sırasında 100o C sıcaklığa kadar ısıtıldıktan sonra kullanılmış ve bu ön ısıtma işleminin dizel motorda ısıl verim, egzoz gazı sıcaklığı, NOx, CO ve duman emisyonlarına etkileri araştırılmıştır. Ön ısıtma işleminin CRO’ nun viskozitesini azalttığı ve daha uygun bir yakıt akışı sağlayarak emisyonlar üzerinde olumlu etki yaptığı sunucuna varılmıştırÖğe Electrical properties of organic–ınorganic semiconductor device based on rhodamine-101(SpringerLink, 2009-05) Güllü, Ömer; Turut, Abdulmecit; Yıldırım, Nezir; Çakar, MuzafferRhodamine-101 (Rh101) thin films on n-type Si substrates have been formed by means of evaporation, thus Sn/Rh101/n-Si heterojunctions have been fabricated. The Sn/Rh101/n-Si devices are rectifying. The optical energy gaps have been determined from the absorption spectra in the wavelength range of 400 nm to 700 nm. Rh101 has been characterized by direct optical absorption with an optical edge at 2.05 ± 0.05 eV and by indirect optical absorption with␣an optical edge at 1.80 ± 0.05 eV. It was demonstrated that trap-charge-limited current is the dominant transport mechanism at large forward bias. A␣mobility value of μ = 7.31 × 10−6 cm2 V−1 s−1 for Rh101 has been obtained from the forward-bias current–voltage characteristics.Öğe Yapıştırıcı ile birleştirilmiş Z tipi bağlantılarda bindirme mesafesinin etkisi(Karabük Üniversitesi, 2009) Adin, Hamit; İşcan, Bahattin; Turgut, AydınÖğe Bir dizel motorunda biyodizel motor performans ve egzoz emisyon karakteristiklerine etkisi(TMMOB Makina Mühendisleri Odası, 2009) Altun, Şehmus; Öner, Cengiz; Yaşar, Fevzi; Sugözü, İlkerÖğe The analysis of lateral distribution of barrier height in identically prepared Co/n-Si Schottky diodes(Elsevier, 2009-11-03) Güllü, Ömer; Karataş, Şükrü; Güler, Gülşen; Bakkaloğlu, Ömer FarukWe have studied the experimental linear relationship between ideality factors and barrier heights (BHs) for Co/n-Si metal–semiconductor (MS) structures with a doping density of about 1015 cm−3. The barrier heights for the Co/n-type Si metal–semiconductor structures from the current–voltage (I–V) characteristics varied from 0.64 to 0.70 eV, the ideality factor n varied from 1.18 to 1.26, and from reverse bias capacitance–voltage (C−2–V) characteristics the barrier height varied from 0.68 to 0.81 eV. The experimental barrier height distributions obtained from the I–V and C−2–V characteristics were fitted by a Gaussian distribution function, and their mean values were found to be 0.67 and 0.75 eV, respectively. Furthermore, the lateral homogeneous BH value of approximately 0.81 eV for Co/n-Si metal–semiconductor structures was obtained from the linear relationship between experimental effective BHs and ideality factors.Öğe Determination of the laterally homogeneous barrier height of thermally annealed and unannealed Au/p-InP/Zn-Au Schottky barrier diodes(Elsevier, 2008-03-25) Güllü, Ömer; Turut, Abdulmecit; Asubay, SezaiWe have identically prepared Au/p-InP Schottky barrier diodes (SBDs). The diodes were annealed up to 400 °C thermally. The barrier height (BH) for the as-deposited Au/p-InP/Zn-Au SBDs from the current–voltage characteristics have varied from 0.58 to 0.72 eV, and ideality factor n from 1.14 to 1.47. The BH for the annealed SBDs from the current–voltage characteristics have varied from 0.76 to 0.82 eV, and ideality factor n from 1.17 to 1.39. As a result of the thermal annealing, it has been seen that the BH values of the annealed SBDs are larger than those of the as-deposited SBDs. We have determined a lateral homogeneous BH value of 0.72 eV for the as-deposited Au/p-InP SBD from the experimental linear relationship between barrier heights and ideality factors, and a value of 0.85 eV for the annealed Au/p-InP SBD. The increase of 0.13 eV in the BH value by means of 400 °C annealing has been ascribed to the formation of the excess charges that electrically actives on the semiconductor surface.
