5 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 5 / 5
Öğe CuOx ince film kalınlığının CuOx/n-Si hetero eklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-06-21) Durmaz, Ahmet; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada CuOx ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı.Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3.05-5.08 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0.64-0.71 arasında ve seri direnç değerleri 3-42Ω arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.Öğe Kobalt katkılı bakır oksit ince film tabanlı yapıların elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-04-29) Yıldız, Yusuf; Rüzgar, ŞerifSol jel döndürme kaplama yöntemi ile katkısız ve kobalt katkılı bakır oksit ince filmleri n tipi silisyum alttaşlar üzerine kaplanarak heteroeklem yapılar üretildi. Elde edilen bu heteroeklem yapıların fotoelektriksel özellikleri incelendi. Yapılan ölçümler sonucunda kobalt katkılandırmanın üretilen ince filmler üzerindeki etkisi araştırıldı. Üretilen bu yapıların I-V grafikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında çizilerek incelendi. I-V grafiklerini kullanarak bu diyotların idealite faktörü (η), bariyer yüksekliği (ΦB), doğrultma oranı (RR), Norde fonksiyonu yardımı ile seri dirençleri karanlık ve ışık altında hesaplandı. Bununla birlikte, 10 kHz – 1 MHz frekans aralığında C-V, Rs-V, G-V ile Dit grafikleri çizilip incelendi. Elde edilen diyotların ters beslem (C-2) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd(cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(C-V) (eV), Wd (nm), ∆Փb (eV) ve Emax (V/cm) parametreleri hesapladı. Elde edilen hesaplamalar sonucunda tüm elektriksel parametrelerin katkı miktarına kuvvetli bir şekilde bağlı olduğu gözlendi.Öğe Hibrit PTCDI-C8P-Si organik-inorganik heteroeklem diyotunun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-05-18) Erdal, Murat; Özaydın, CihatPTCDI-C8, yüksek mobilite ve n-tipi yarıiletken özelliklere sahip elektronik ve optoelektronik cihazlar için çok önemli bir organik malzemedir. Organik-inorganik hibrit cihazların yaygın olarak kullanılması, organik moleküllü yarı iletkenlerin farklı optoelektronik cihazlarda kullanılmasını ve elektriksel özelliklerinin ortaya çıkarılmasını önemli hale getirmiştir. Bu çalışmada, PTCDI-C8 yarı iletken organik molekülün ince bir filminin p-tipi silikon üzerinde sol-jel spin kaplama tekniği ile büyütülmesiyle PTCDI-C8/p-Si heteroeklemi oluşturulmuştur. Karşılaştırma için, aynı koşullar altında ara katmanı olmayan p-Si/Al metal-yarı iletken (MS) diyot da üretildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem ve p-Si/Al MS diyotun elektriksel özellikleri, oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri ile araştırıldı. Her iki diyot da iyi doğrultucu özellikler gösterdi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin idealite faktörü (2.1), bariyer yüksekliği (0.74 eV) ve seri direnci (248 kΩ) I–V karakteristiklerinden elde edildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem için elde edilen engel yükseklği(BH), geleneksel Al/p-Si Schottky diyotu için elde edilenden daha yüksektir. PTCDI-C8 organik ince film tabakası, Al/p-Si Schottky diyotun etkin bariyer yüksekliğini değiştirerek Al metal ve p-Si arasında fiziksel bir bariyer oluşturdu. Cihazın fotovoltaik parametreleri de 100 mW/cm2 ve AM1.5 aydınlatma koşulunda belirlenmiştir. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin açık devre voltajı (Voc = 320 mV) ve kısa devre akımı (Isc = 1,91 µA) ile bir fotodiyot davranışı sergiler.Öğe Katkısız ve kobalt katkılı NiO tabanlı diyotların üretimi ve elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-04-29) Özgür, Mehmet; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada, sol jel spin kaplama yöntemi ile katkısız ve kobalt katkılı nikel oksit ince filmleri cam alttaşlar ve n-tipi silisyum alttaşlar üzerine kaplandı. İlk etapta cam alttaşlar üzerine kaplanan ince filmlerin elektriksel iletkenlikleri incelendi. Daha sonra n-Si alttaşlar üzerine yapılan kaplama ile heteroeklem yapılar üretildi. Elde edilen bu heteroeklem yapıların düz ve ters beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri Termiyonik Emisyon (TE) teorisi kullanılarak incelendi. Üretilen tüm yapıların doğrultma davranışı sergiledikleri gözlendi. Diyotların idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve doğrultma oranı (RR) ile Norde fonksiyonu yardımı ile seri direnç gibi diyotunun temel elektriksel parametreleri hesaplandı. Yapılan ölçümler sonucunda kobalt katkılandırmanın üretilen ince filmler üzerindeki etkisi araştırıldı. Bununla birlikte, 10 kHz – 1 MHz frekans aralığında kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V), seri direnç-voltaj (Rs-V) ve arayüzey durumları (Dit) grafikleri çizilip incelendi. Diyotların 1 MHz frekansta (C-2-V) grafikleri kullanılarak Nd (cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb (C-V)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV) ve Emax (V/cm) gibi elektriksel parametreleri hesapladı. Elde edilen hesaplamalar sonucunda tüm elektriksel parametrelerin katkı miktarına kuvvetli bir şekilde bağlı olduğu gözlendi. İlaveten, elde edilen bulgular kobalt katkısı ile diyotların elektriksel parametrelerinin ayarlanabileceğini göstermektedir.Öğe Metal katkılı magnezyum oksit ince filmlerin üretimi ve devre elemanlarında uygulaması(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-07-10) Türkeri, Murat; Güllü, ÖmerTeknolojik gelişmeler ve nanobilim, hem yeni bir olgunun, sanayi devrimlerinin icadının teşvik edilmesinde hem de 21. yüzyıl için ekonominin gelişmesinde önemli bir rol oynamıştır. Son zamanlarda geçiş metali oksitleri teknolojik açıdan kendine özgün özellikleri nedeniyle araştırmacıların ilgisini çekmiştir. Demir oksit ve çinko oksit nanoyapıları gibi tüm geçiş metali oksitleri arasında Magnezyum oksit (MgO) filmler, optik, optoelektronik, biyosensör, gaz algılama, kataliz, dönüştürücüler ve kapasitörler dâhil olmak üzere çeşitli bilim ve teknoloji alanlarındaki muazzam potansiyel uygulamaları nedeniyle geniş ilgi görmüştür. Metal oksitleri ilgi çekici ve ilginç yapıları, özellikleri ve değişik olgu kısımları ile son zamanlarda teknoloji ve bilim alanlarında ve uygulamalarında ilgi çeken malzemeler arasındadırlar. Birçok metal oksit akıllı camlar, gaz sensörleri, elektrokromik ve benzeri birçok alanda kullanılmaktadır. Sprey piroliz tekniği ile elde ettiğimiz Magnezyum oksit (MgO) filmlerinin özelliklerinine daha iyi çözüm bulmak amacıyla, cam veya inorganik yarıiletken (Silisyum) tabakasının üzerine büyütülmüştür. Farklı parametreler kullanılarak püskürtme tekniği ile en iyi ince film elde etmek için en uygun şartlar araştırılmıştır. Fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırarak kontak oluşturmak için Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturulduktan sonra ince filmlerin parlak yüzeyine alüminyum iletkeni ile kaplama yapılıp incelenmiştir. Karanlık ortamda incelenen bir Al/MgO/p-Si MIS Schottky diyotunun elektriksel ve arayüzey özellikleri, akım-gerilim (I-V) özellikleriyle analiz edilmiştir. Ayrıca cam üzerinde oluşturulan MgO ince filminin yapısal, yüzeysel, optiksel ve elektriksel özellikleri de sırasıyla X-Işını Kırınımı (XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ve UV-Visible Spektroskopisi yöntemleriyle incelenmiştir.
