2 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 2 / 2
Öğe Polimer elektrolit membran yakıt hücresinin dolaylı sodyum borhidrür ile çalıştırılması(Batman Üniversitesi, 2021-12-29) Ekinci, Arzu; Şahin, Ömer; Horoz, SabitProton değişim membranı (PEM) yakıt hücreleri, son zamanlarda geleneksel motorlar için ümit vaat eden bir malzeme olarak büyük bir ilgi görmüştür. PEM yakıt hücre performansının, çalışma sıcaklığı ve gaz akışlarının nemlendirilmesi gibi birçok parametreden etkilendiği bilinmektedir. Bu çalışmada, Pt/C destekli tek hücreli PEM yakıt hücresi üretimi ve uygulaması için bir deney tasarımı dizayn edildi. PEM yakıt pilinin performans testleri, yakıt pili hücre çalışma sıcaklığı ve katalizör miktarları parametrelerine bağlı olarak incelendi. Farklı yakıt hücresi sıcaklıklarında ve farklı katalizör miktarlarında polarizasyon eğrileri elde edildi. Elde edilen veriler sonucunda; Co-B katalizörü için ideal voltaja göre %88, güce göre %56 ve Ni-B katalizörü kullanılarak gerçekleştirilen deneylerin sonucunda ise, ideal voltaja göre verim %83 ve güce göre verim ise %54 olarak hesaplandı.Öğe Tellüroksit (TeO2) arayüzeye sahip MOS yapıların elektriksel özelliklerin incelenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-26) Dönmez, Ebru; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında tellüroksit (TeO2) malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine termal buharlaştırma metoduyla katkılanarak Al/TeO2/p-Si metal/oksit/yarıiletken (MOS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle TeO2/p-Si oksit tabakasının X-ışını kırınım (XRD) metoduyla kristal yönelimleri tayin edilmiştir. Elde edilen Al/TeO2/p-Si (MOS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,55 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,76 eV olarak hesaplanmıştır. Yapımızın idealite faktörü değerinin 1’den büyük çıkması Al/p-Si arasındaki oksit arayüzey filminin varlığı ve arayüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Norde ve Cheung metoduyla da seri direnç (Rs) analizleri gerçekleştirilmiştir. Ayrıca Al/TeO2/p-Si (MOS) yapımızın frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; tellüroksit (TeO2) oksit malzemesi, aygıt teknolojisinde kullanılan silisyumoksit malzemesine alternatif malzemelere potansiyeldir.
