(Batman Üniversitesi, 2015-07-01) Aslan, Filiz; Güllü, Ömer; Ocak, Yusuf Selim; Rüzgar, Şerif; Tombak, Ahmet; Özaydın, Cihat; Pakma, Osman; Arsel, İsmail
Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP
kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince
organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot
yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık
ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik
gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2
ışık şiddeti altında
yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca
farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite
faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.
