Al/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0000-0003-1449-9976en_US
dc.contributor.advisorGüllü, Ömer
dc.contributor.authorAltunışık, Celal
dc.date.accessioned2022-01-21T06:34:30Z
dc.date.available2022-01-21T06:34:30Z
dc.date.issued2022-01-04en_US
dc.departmentBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada katıhal devre elemanları ve malzemeler üzerindeki ışınlama etkilerinin araştırılması, pek çok bilim insanı ve farklı ülkelerin uzay ajansları konuyla ilgili çalıştıkları için ilgi çekmektedir. Bir foton veya parçacık radyasyonu katıhal devre elemanlarına ve malzemelere uygulanırsa, sert bir bozulma ortaya çıkacaktır. Bu ışınlama prosedürü aşamasında, yarıiletken aygıtlar üzerinde kalıcı veya geçici bozulma durumu oluşabilecektir. Bu tez çalışmasında, MIS diyotun fabrikasyonu için p-tipi Silisyum yarıiletken alttaşlar kullanılmıştır. Kimyasal temizlik aşamasından sonra, Al/Congo Red (CR)/p-Si MIS diyot yapısı omik arka kontak ve Al üst kontağın metalizasyonu ile üretilmiştir. Si alttaşlar üzerinde organik CR ince filmi %0.2 lik etanol çözeltisi içeren congo red çözeltisinin kaplanmasıyla yapılmıştır. Al/CR/p Si MIS kontak üzerinde ışınlama etkisini araştırmak için, Co-60 γ- ışınlamasından önce ve sonra Akım Voltaj (IV) ve Kapasite-Gerilim (CV) ölçümleri alındı. I-V verilerinden geleneksel LnI-V karakteristikleri, Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) hesaplandı. Ayrıca, Al/CR/p-Si MIS kontağın arayüzey durum yoğunluğu (Nss) da hasaplandı. Aygıtın C-V ölçümlerinden difüzyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (Φb) ve akseptör yük konsanstrasyonu (Na) değerleri hesaplandı.en_US
dc.description.abstractThe investigation of irradiation effects on solid state circuits and materials has attracted as many scientists and space agencies of the different countries are worked in the relevant topic. If the photon or particles radiation applies to the solid state circuits and materials, they will experience hard degradation. The permanent or transient degradation on the semiconductor devices may occur in this irradiation procedure. In this thesis, the p- type silicon semiconductor substrates were used for fabrication of MIS diode. After chemical cleaning procedure, Al/Congo Red (CR)/p-Si MIS diode structure was produced by metalization of ohmic back contact and Al top contact. Organic CR thin film on the Si wafers was made from covering of the congo red dye solution (0.2% in ethanol). To investigate the irradiation effect on the Al/CR/p-Si MIS contact, Current–Voltage (IV) and Capacitance-Voltage (CV) measurements were performed after and before Co-60 γ- irradiation. The ideality factor (n), the barrier height (Φb) and series resistance (Rs) from the I-V data were obtained from traditional LnI-V characteristics, Cheung functions and Norde function. Interface state density (Nss) of the Al/CR/p-Si MIS contact was also calculated. The diffussion potential (Vd), the barrier height (Φb) and acceptor charge concentration (Na) from the C-V data of the device were calculated.en_US
dc.identifier.citationAltunışık, C. (2022). Al/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/4160
dc.language.isotren_US
dc.publisherBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.rightsAttribution-ShareAlike 3.0 United States*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/us/*
dc.subjectSilisyumen_US
dc.subjectMIS Diyoten_US
dc.subjectCongo Reden_US
dc.subjectArayüzey Hal Yoğunluğuen_US
dc.subjectSiliconen_US
dc.subjectMIS Diodeen_US
dc.subjectCongo Reden_US
dc.subjectInterfacial State Densityen_US
dc.titleAl/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisien_US
dc.title.alternativeThe effect of gamma irradiation on electronic and interfacial properties of the Al/Congo Red/P-Type Si semiconductor diodesen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Celal Altunışık_Tez sonraki 23-12-2021.pdf
Boyut:
2.07 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Tez Koleksiyonu