Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Tez Koleksiyonu

Bu koleksiyon için kalıcı URI

https://hdl.handle.net/20.500.12402/3679

Listeleniyor 1 - 20 / 27

Alkil benzoik asit, alkiloksi benzoik asit ve dikarboksilik asit grublarından yeni bir supramoleküler sıvı kristal kompleksi sentezleme ve karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-10-05) Alp, Orhan; Okumuş, Mustafa
Bu tezde, 6BA/AA, 6BA/PA, 6BA/SA ve 8OBA/AA, 8OBA/PA, 8OBA/SA ikili supramoleküler sıvı kristal kompleksleri, mezojenik 4-Hekzilbenzoik asit (6BA) ve 4-(Oktiloksi)benzoik asit (8OBA) ile mezojenik olmayan Adipik asit (AA), Pimelik asit (PA) ve Suberik asit (SA) kullanılarak sentezlenmiştir. Bu komplekslerin termal analizleri DSC ile yapılmış, faz geçiş sıcaklıkları, entalpi değişimleri ve nematik alan gibi mezojenik yapılar incelenmiştir. DSC verileri, kristal-smektik, smektik-nematik ve nematik-izotropik faz dönüşümlerini göstermiştir. 6BA/AA karışımının 39,98°C ile en geniş nematik alana sahip olduğu tespit edilmiştir. Ayrıca ısıtırken elde edilen faz geçiş sıcaklık ve entalpi değerlerinin soğuturken elde edilenlerden daha yüksek olduğu görülmüştür. Polarize Optik Mikroskop (POM) ile yapılan analizler, DSC sonuçlarıyla uyumlu faz geçiş sıcaklıkları göstermiştir. Fourier Dönüşümlü İnfrared Spektroskopisi (FTIR) sonuçları, hidrojen bağlarının oluştuğunu ve moleküller arası bağların korunduğunu doğrulamıştır. X-ışını difraksiyonu (XRD) kullanılarak mikroyapı analizleri yapılmış ve moleküller arası bazal mesafeler hesaplanmıştır. Komplekslerin bazal mesafe değerlerinin bileşenler arasında olduğu ve molekül uzunluğu arttıkça bu mesafelerin de arttığı görülmüştür. Minimum bazal mesafe, 6BA/AA kompleksi için 3,76 Å olarak bulunmuştur.
Metal destekli bor nitrür nanopartiküllerin sentezi ve karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-09-24) Belge, Aygül; Kurt, Kadri
Nanobilim ve nanoteknolojide son yıllarda yaşanan gelişmeler, nano ölçekli yapıların güçlendirilmiş mekanik, termal ve elektriksel özellikleri nedeniyle elektronik, farmasötik, biyomedikal, çevre, tıp ve enerji depolama gibi çeşitli alanlarda birçok uygulamada kullanılmasını sağlamıştır. Bor nitrür nanoyapılar bunlara iyi bir örnektir. Bu çalışmada, amonyak gazının borik asit ve üre karışımı ile reaksiyonundan bor nitrür ve mangan destekli bor nitrür nanoyapılar başarıyla sentezlendi. Sentezlenen nano yapılı malzemelerin fiziksel ve yapısal özellikleri Enerji Dağılımı X-Işını Spektroskopisi (EDX), Fourier Dönüşümü Kızılötesi Spektroskopisi (FTIR) ve Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ile belirlendi. Deneyler borik asit ve ürenin manyetik karıştırıcıda karıştırıldıktan sonra azot kaynağı olarak amonyak katıldıktan sonra bir hidrotermal reaksiyon sistemi (Fytronix, FYHT-8000) ile 200 °C'de 24 saat süreyle gerçekleştirildi ve bor nitrür (h-BN) nano yapılar elde edildi. Mangan destekli bor nitrür (h-BN-Mn) nano yapılar ise literatürde belirtilen yöntemde bazı modifikasyonlar yapılarak bor nitrürün sonike edilmesinden sonra mangan içeren çözeltinin eklenerek ultrasonik banyoda karıştırılmasından sonra sodyum bor hidrür ile indirgenmesinden elde edildi. FTIR sonuçları bor nitrür ile mangan destekli bor nitrürün varlığını ve borun nitrojene atomik oranının bor ve nitrojen arasındaki kimyasal stokiyometrik ilişki ile uyumlu olduğunu gösterdi. Ayrıca SEM ve EDX sonuçlarına göre h-BN ve h-BN-Mn nanoyapıların literatür ile uyumlu olduğunu göstermektedir. Sentezlenen h-BN-Mn nanoyapılar başta enerji depolama olmak üzere birçok uygulamalarda nanomateryal olarak kullanılabilir. Bu çalışmada hidrojen enerjisi depolama üzerine çalışma yürüttük. Çağımızda hızla tükenen fosil yakıtlar nedeniyle, temiz ve sürdürülebilir enerji türlerine gereksinim duyulmaktadır. Hidrojen enerjisi ile ilgili dünya ve Türkiye’de yapılan birçok çalışma mevcuttur ama depolama ile ilgili yeterli bir gelişim söz konusu değildir. Nano ölçekte depolama için en uygun görünen bor nitrür nanopartikülleri bizi bu çalışmaya sevk etmektedir.
Hidrojen bağlı 5BA/nCB (n=5-8) sıvı kristal karışımların mezojenik özelliklerinin incelenmesi
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-09-28) Bayram, Erhan; Okumuş, Mustafa
Bu tez çalışmasında, 4-pentilbenzoik asit (5BA), 4-pentil–4'-siyanobifenil (5CB), 4-hekzil–4'-siyanobifenil (6CB), 4-heptil–4'-siyanobifenil (7CB) ve 4-oktil–4'-siyanobifenil (8CB) mezojenik kimyasallarından 5BA/5CB, 5BA/6CB, 5BA/7CB ve 5BA/8CB homojen sıvı kristal karışımları üretilmiştir. Üretilen karışımların termal analizleri Diferansiyel Taramalı Kalorimetre (DSC) cihazı ile gerçekleştirilmiştir. DSC verileri kullanılarak sıvı kristal mezojenik fazların faz geçiş sıcaklığı, entalpi, entropi ve faz geçiş düzeni gibi sıvı kristalik özellikleri araştırılmıştır. DSC sonuçları devamlı ısıtma ve soğutma esnasında kristal-smektik, smektik-nematik ve nematik-izotropik faz dönüşümlerini işaret eden piklerin oluştuğunu göstermiştir. Mezojenik faz dönüşümlerin genellikle 1. düzende gerçekleştiği ve soğutma sırasında gerçekleşen dönüşümlerin daha düzenli olduğu görülmüştür. Soğutma sırasında gözlenen mezofaz alanının ısıtma sırasında gözlenen mezofaz alanından daha geniş olduğu ve 5CB/8CB sıvı kristal karışımının mezofaz alanının yaklaşık 102 oC ile diğer karışımlara göre daha yüksek olduğu bulunmuştur. Üretilen karışımların morfolojik faz yapıları Polarize Optik Mikroskop (POM) ile araştırılmıştır ve faz geçiş sıcaklık değerlerinin DSC ile elde edilen faz geçiş sıcaklık değerleri ile uyumlu olduğu görülmüştür. Eşit kütle oranında üretilen 5BA/5CB, 5BA/6CB, 5BA/7CB, 5BA/8CB ikili karışımların Fourier Dönüşümlü İnfrared Spektroskopisi (FTIR) analiz sonuçları molekül içi bağlarının korunduğu ve karışımı oluşturan bileşenlerin molekülleri arasında hidrojen bağlarının oluştuğu gözlenmiştir. Sentezlenen sıvı kristal karışımların kristal durumundaki mikroyapı özellikleri X-ışını difraksiyonu (XRD) ile araştırılmıştır. XRD sonuçları kullanılarak moleküller arası bazal mesafe değerleri hesaplanmıştır. Üretilen sıvı kristalik karışımların kristalik yapılarında moleküler dizilimin monoklinik yapıda olduğu bulunmuştur.
Tellüroksit (TeO2) arayüzeye sahip MOS yapıların elektriksel özelliklerin incelenmesi
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-26) Dönmez, Ebru; Pakma, Osman
Bu tez çalışmasında tellüroksit (TeO2) malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine termal buharlaştırma metoduyla katkılanarak Al/TeO2/p-Si metal/oksit/yarıiletken (MOS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle TeO2/p-Si oksit tabakasının X-ışını kırınım (XRD) metoduyla kristal yönelimleri tayin edilmiştir. Elde edilen Al/TeO2/p-Si (MOS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,55 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,76 eV olarak hesaplanmıştır. Yapımızın idealite faktörü değerinin 1’den büyük çıkması Al/p-Si arasındaki oksit arayüzey filminin varlığı ve arayüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Norde ve Cheung metoduyla da seri direnç (Rs) analizleri gerçekleştirilmiştir. Ayrıca Al/TeO2/p-Si (MOS) yapımızın frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; tellüroksit (TeO2) oksit malzemesi, aygıt teknolojisinde kullanılan silisyumoksit malzemesine alternatif malzemelere potansiyeldir.
Batman’ın iklim şartlarında amorf silisyum PV sisteminin performans değerlendirilmesi
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-23) Akçay, Süleyman; Pakma, Osman
Bu tez çalışmasında Batman ilinde kurulu ince film amorf silisyum modüllerinden oluşan 2,160 kWp güce sahip fotovoltaik sistemin (PV) 2014-2023 yılları arasında aylık toplam üretilen güç miktarları karşılaştırılarak performans değerlendirilmesi amaçlanmıştır. 2014-2023 yılları arasında Batman ili için anlık yatay yüzeye gelen güneş ışınım ve ortam sıcaklık değerleri de ölçülmüştür. Ölçülmüş olan ışınım ve sıcaklık değerleri, sistemin teknik değerleri de dikkate alınarak yazılım yardımıyla simüle edilmiştir. Simüle edilen çıktı değerleri PV sistemin ürettiği güç değerleri ile kıyaslanmıştır. Ayrıca üretilen güç değerleri 2014-2023 yılları arasında performans analizleri yapılarak yorumlanmıştır.
Organometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/P-Sİ heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-12) Doğmuş, Tevfik; Özaydın, Cihat
Bu çalışmada, Al/p-Si diyotu ve OMC organometalik ince film ara tabakalı Al/OMC/p-Si diyotunun elektriksel karakteristikleri çıkarılarak ara tabakanın diyotun elektriksel özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Bu amaçla akım-gerilim ve kapasite-gerilim ölçümleri yanı sıra, diyotların fotovoltaik özellikleri de 100 mW/cm² ışık gücü altında incelenmiştir. Al/p-Si ve Al/OMC/p-Si diyotunun için idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB) doyma akımı (I0) hesaplandı. Diyotların karanlıkta ± 2 volttaki doğrultma oranları hesaplandı. Diyotların ışığa duyarlılıkları belirlendi. Sonuçlar, OMC ara tabakasının varlığının diyotların elektriksel parametrelerini değiştirdiğini ve ışık altında foto hassasiyetlerini artırdığını göstermektedir. Bu bulgular, diyotların optoelektriksel performanslarının iyileştirilmesi için OMC ara tabakasının önemli bir rol oynadığını ortaya koymaktadır.
Selüloz nanokristal (CNC) arayüzeye sahip metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapılı aygıtların karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-12) Bilge, Hicran; Pakma, Osman
Bu tez çalışmasında selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine uygulayarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle analiz çalışmaları için ayrılan nanoselülözün; dinamik ışık saçılımı spektrometresi (DLS), zeta potansiyeli, ultraviyole ve görünür ışık (UV-Vis) soğurma spektroskopisi, raman spektrometresi ve taramalı geçirimli elektron mikroskobu (STEM) analizleri yapılmıştır. Daha sonra elde edilen Al/CNC/p-Si (MIS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,72 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,80 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan idealite faktörü değerinden büyük çıkması Al/p-Si arasındaki CNC ara yüzey filminin varlığı ve ara yüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Ayrıca yapının seri direnç (Rs) etkisi de dikkate alınmış; Norde ve Cheung yöntemiyle Rs değeri hesaplanmıştır. Son olarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapımızın C-V ölçümlerinden; frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi elektronik aygıt uygulamalarında kullanılabilecek yalıtkan malzemelere potansiyeldir.
Mekanik alaşımlama ile üretilen nanoyapılı Al-Cu-Ni-Si alaşım tozlarının mikroyapısal ve termal karekterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-08-24) Onat, Celal; Okumuş, Mustafa
Bu tez çalışmasında eşit atomik oranda AlCuNiSi orta entropili alaşımları farklı öğütme sürelerinde mekanik alaşımlama tekniği ile nanoyapılı toz olarak üretildi. Üretilen orta entropili nanoyapılı tozlarının mikroyapısal karakterizasyonu X-ışını kırınımı (XRD) ve taramalı elektron mikroskobu/enerji dağıtıcı X-ışını (SEM/EDX) analizleri ile yapıldı ve ayrıca termal karakterizasyonu diferansiyel termal analiz (DTA) ile yapıldı. XRD sonuçları mekaniksel alaşımlama sonucunda 50-140 saat öğütmelerde intermetalik Al2Cu, AlNi, AlNi3 ve fcc yapılı Cu bazlı katı çözelti fazlarının oluştuğunu gösterdi. Ayrıca XRD sonuçlarına göre öğütme süresi arttıkça alaşım tozlarında tane boyutunda küçülme olmuştur. 140 saat mekaniksel öğütme sonucunda kristal boyutunun yaklaşık 3nm, kafes geriniminin %1,15 ve diskolasyon yoğunluğu 0,11x1018/m2 olduğu bulundu. SEM/EDX analizleri öğütme süresi arttıkça alaşım tozlarında parçalanma, kırılma, topaklaşma ve kaynaklaşmalar olduğunu, ve buna bağlı olarak partikül boyutunun küçüldüğünü ve daha homojen bir yapı oluştuğunu gösterdi. DTA sonuçları sürekli ısıtma esnasında 750-800 oC sıcaklık aralığında faz dönüşümü ve kristalleşmeleri işaret eden bir dizi endotermik pikler göstermiştir. Elde edilen sonuçlara göre 140 saat öğütme ile üretilen AlCuNiSi alaşımın mikroyapısal özelliklerinin bu çalışmada üretilen diğer tüm alaşımların mikroyapısal özelliklerinden daha üstün olduğu anlaşılmıştır.
6BA/nABA (n=3, 4) sıvı kristal karışımlarının üretimi ve karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-03-16) Eker, Zafer; Okumuş, Mustafa
Bu tez çalışmasında mezojenik olmayan 3-Aminobenzoik asit (3ABA) ve 4-Aminobenzoik asit (4ABA) ile mezojenik olan 4-Hekzilbenzoik asit (6BA) belirli oranlarda karıştırılarak homojen sıvı kristal karışımlar üretilmiştir. Üretilen sıvı kristal karışımların termal, mikroyapısal ve optiksel özellikleri incelenmiştir. Termal analizler Diferansiyel Taramalı Kalorimetre (DSC) cihazı kullanılarak yapılmıştır. DSC dataları kullanılarak sıvı kristal fazlarda faz geçiş sıcaklığı, entalpisi ve aktivasyon enerjisi gibi önemli özellikler incelenmiştir. DSC sonuçları sürekli ısıtma ve soğutma sırasında sıvı kristalik fazları işaret eden Smektik ve Nematik faz geçiş piklerini göstermiştir. Soğutma sırasında elde edilen faz geçiş sıcaklık değerlerinin ısıtma sırasında elde edilen faz geçiş sıcaklık değerlerinden daha düşük olduğu görülmüştür. Sıvı kristal faz adlandırmalarını yapmak için Polarize optik mikroskop (POM) ile çalışmalar yapılmıştır. POM analizleri sonucunda DSC ile uyumlu olarak, üretilen sıvı kristalik karışımlarda Smektik A, Smektik C ve nematik fazları tespit edilmiştir. Faz geçiş pik değerleri kullanılarak her bir faz geçişi için aktivasyon enerjisi değerleri hesaplanmıştır. 6BA/3ABA ve 6BA/4ABA ikili karışımlarının FTIR analizleri yapılarak karışım bileşenlerinin molekülleri arasında hidrojen bağlarının oluştuğu görülmüştür. Ayrıca üretilen numunelerin kristografik yapı özellikleri X-ışını difraksiyonu (XRD) ile incelenmiştir. XRD sonuçları kullanılarak moleküler dizilimlerde bazal mesafe değerleri hesaplanmıştır. Karışımın bazal mesafe değerlerinin bileşenlerin bazal mesafe değerleri arasında olduğu görülmüştür.
Metal katkılı magnezyum oksit ince filmlerin üretimi ve devre elemanlarında uygulaması
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-07-10) Türkeri, Murat; Güllü, Ömer
Teknolojik gelişmeler ve nanobilim, hem yeni bir olgunun, sanayi devrimlerinin icadının teşvik edilmesinde hem de 21. yüzyıl için ekonominin gelişmesinde önemli bir rol oynamıştır. Son zamanlarda geçiş metali oksitleri teknolojik açıdan kendine özgün özellikleri nedeniyle araştırmacıların ilgisini çekmiştir. Demir oksit ve çinko oksit nanoyapıları gibi tüm geçiş metali oksitleri arasında Magnezyum oksit (MgO) filmler, optik, optoelektronik, biyosensör, gaz algılama, kataliz, dönüştürücüler ve kapasitörler dâhil olmak üzere çeşitli bilim ve teknoloji alanlarındaki muazzam potansiyel uygulamaları nedeniyle geniş ilgi görmüştür. Metal oksitleri ilgi çekici ve ilginç yapıları, özellikleri ve değişik olgu kısımları ile son zamanlarda teknoloji ve bilim alanlarında ve uygulamalarında ilgi çeken malzemeler arasındadırlar. Birçok metal oksit akıllı camlar, gaz sensörleri, elektrokromik ve benzeri birçok alanda kullanılmaktadır. Sprey piroliz tekniği ile elde ettiğimiz Magnezyum oksit (MgO) filmlerinin özelliklerinine daha iyi çözüm bulmak amacıyla, cam veya inorganik yarıiletken (Silisyum) tabakasının üzerine büyütülmüştür. Farklı parametreler kullanılarak püskürtme tekniği ile en iyi ince film elde etmek için en uygun şartlar araştırılmıştır. Fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırarak kontak oluşturmak için Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturulduktan sonra ince filmlerin parlak yüzeyine alüminyum iletkeni ile kaplama yapılıp incelenmiştir. Karanlık ortamda incelenen bir Al/MgO/p-Si MIS Schottky diyotunun elektriksel ve arayüzey özellikleri, akım-gerilim (I-V) özellikleriyle analiz edilmiştir. Ayrıca cam üzerinde oluşturulan MgO ince filminin yapısal, yüzeysel, optiksel ve elektriksel özellikleri de sırasıyla X-Işını Kırınımı (XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ve UV-Visible Spektroskopisi yöntemleriyle incelenmiştir.
Sprey piroliz yöntemi kullanılarak TiO2 ince filminin üretimi ve metal/TiO2/Sİ MIS yapılarda uygulanması
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-07-10) Akkuş, Mehmet Murat; Güllü, Ömer
Günümüzde titanyum dioksit (TiO2), yapısal olarak beyaz toz halinde bulunan nano tanecikli yapısı ve ekonomik olması olağan üstü fiziksel ve kimyasal özellikleri nedeniyle en fazla araştırma yapılan metal oksit maddelerinden birisidir. Bu çalışmalarda titanyum dioksitin çok farklı kullanım alanlarına sahip olduğu görülmektedir. Gaz algılama, su arıtma, elektrokromik cihazlar, fotovoltaik hücre vb. gibi çok çeşitli uygulama alanları bulunmaktadır. Bu malzemeler, sol-jel, fiziksel buhar büyütme, kimyasal buhar büyütme ve elektrodepozisyon dahil olmak üzere farklı yöntemlerle sentezlenebilir. Bu tez çalışmasında sprey piroliz yöntemi kullanılmıştır. TiO2 ince tabakalar cam altlıklar ve inorganik yarıiletken Si (silisyum) altlık üzerine kaplanmıştır. Bu yöntem, düşük maliyetli ve kontrolü kolay bir yöntemdir. Altlıklar kimyasal temizleme işlemi yapıldıktan sonra sprey piroliz tekniği ile 25 cm yükseklikten yatay eksende 3 saniye hareketle cam altlık kaplanmıştır. Kaplama işlemi 80 ℃’de sabit sıcaklıkta tutularak yapılmıştır. Si kristali üzerine ince katmanlı tabaka oluşturulduktan sonra, üst tarafına Al metali fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırıldı. Bu çalışma sonucunda TiO2 ince tabakaların yoğun ve düzgün olduğu saptanmıştır. Cam altlık üzerine oluşturulan TİO2 ince katmanlı tabakanın morfolojik yapısı ve optik özellikleri araştırıldı. Metal/TiO2/Si diyot arayüzeyleri ve elektriksel özellikleri, karanlık ortamda akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile araştırılmıştır.
CuOx ince film kalınlığının CuOx/n-Si hetero eklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-06-21) Durmaz, Ahmet; Rüzgar, Şerif
Bu çalışmada CuOx ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı.Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3.05-5.08 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0.64-0.71 arasında ve seri direnç değerleri 3-42Ω arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.
Farklı kalınlıklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-06-23) Nergiz, Kadir; Rüzgar, Şerif
Bu çalışmada NiO ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı. Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3,29-7,05 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0,67-0,76 arasında ve seri direnç değerleri 270-4436 arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.
Hibrit PTCDI-C8P-Si organik-inorganik heteroeklem diyotunun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-05-18) Erdal, Murat; Özaydın, Cihat
PTCDI-C8, yüksek mobilite ve n-tipi yarıiletken özelliklere sahip elektronik ve optoelektronik cihazlar için çok önemli bir organik malzemedir. Organik-inorganik hibrit cihazların yaygın olarak kullanılması, organik moleküllü yarı iletkenlerin farklı optoelektronik cihazlarda kullanılmasını ve elektriksel özelliklerinin ortaya çıkarılmasını önemli hale getirmiştir. Bu çalışmada, PTCDI-C8 yarı iletken organik molekülün ince bir filminin p-tipi silikon üzerinde sol-jel spin kaplama tekniği ile büyütülmesiyle PTCDI-C8/p-Si heteroeklemi oluşturulmuştur. Karşılaştırma için, aynı koşullar altında ara katmanı olmayan p-Si/Al metal-yarı iletken (MS) diyot da üretildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem ve p-Si/Al MS diyotun elektriksel özellikleri, oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri ile araştırıldı. Her iki diyot da iyi doğrultucu özellikler gösterdi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin idealite faktörü (2.1), bariyer yüksekliği (0.74 eV) ve seri direnci (248 kΩ) I–V karakteristiklerinden elde edildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem için elde edilen engel yükseklği(BH), geleneksel Al/p-Si Schottky diyotu için elde edilenden daha yüksektir. PTCDI-C8 organik ince film tabakası, Al/p-Si Schottky diyotun etkin bariyer yüksekliğini değiştirerek Al metal ve p-Si arasında fiziksel bir bariyer oluşturdu. Cihazın fotovoltaik parametreleri de 100 mW/cm2 ve AM1.5 aydınlatma koşulunda belirlenmiştir. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin açık devre voltajı (Voc = 320 mV) ve kısa devre akımı (Isc = 1,91 µA) ile bir fotodiyot davranışı sergiler.
Normal, kanserli ve diabetli kan ve idrar örneklerinin metabolit pik yarıgenişliğinden NMR T2 durulmasının saptanması
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-11-15) Tağu, Zühal; Yılmaz, Ali
Günümüz NMR makinelerinin yüksek çözünürlük kabiliyeti ve gelişmiş shimming teknikleri, manyetik alan homojenliğini en aza indirmiştir. Buna paralel olarak, NMR pik yarı genişliği ölçümlerinden T2 türetilmesi son yıllarda daha yaygın hale gelmiştir. Bu nedenlerle, sağlıklı ve hastalıklı vakaların NMR pik yarı genişliği karşılaştırmaları NMR, MRS ve MRI'nin tıbbi uygulamaları için klinik öneme sahip olabilirBu tezin amacı, sağlıklı ve kanserli kan ve idrar örneklerine ait metabolit piklerinin NMR pik yarı genişliklerini hesaplamak ve bu genişliklerden T2 durulma zamanlarını türetmektir. Bu çalışmada kullanılan 29 kanserli, diabetli ve normal kan ve de 29 kanserli, diabetli ve normal idrar numuneleri Diyarbakır’daki Memorial Hastanesinin kadın-doğum ve Onkoloji Birimlerinden temin edildi. Örnekler -20 derecede muhafaza edildi. Ölçümler esnasında örnekler oda sıcaklığında çözdürüldü. NMR ölçümlerinden önce kan örneklerinin her birinden alınan 0.02 mL sıvı, 0.98 mL D2O’ ya ayrı ayrı eklenerek örnekler hazırlandı. İdrar deneylerinde ise bu oranlar 0.06mL idrar ve 0.94 mL D2O olarak seçildi. Bu şekilde hazırlanan karışımlar çapı 5 mm olan NMR tüplerine transfer edildi. Çizgi genişliği ölçümünde kullanılan pikler 400 MHz BRUKER AVENCE NMR cihazı ile elde edildi. Ölçümlerde 90 derece pulsu ve 16 tarama kullanıldı. Prob sıcaklığı (20 ±1)oC de sabit tutuldu. Kan Pikleri: Geniş kan pikleri 0.9 ppm, 1.2 ppm ve 2.8 ppm de çıkmakta ve pik yarı genişliği 0,1 ppm civarında olmaktadır.Dar kan pikleri ise 2.4, 3.4 ve 3.6 ppm değerlerinde ortaya çıkmakta ve pik yarı genişliği 0,01 ppm civarında olmaktadır. Diğer ppmlerde çıkan pikler orta genişlikte piklerdir ve yarı genişliği ortalama 0.05 ppm civarındadır. Dar ve geniş pik yarı genişlikleri gruptan gruba değişmezken, orta büyüklükteki pik genişlikleri gruptan gruba değişkenlik gösterebilmektedir. İdrar Pikleri: Tüm idrar piklerinin yarı genişliği 0.02 ppm civarındadır. Bu pikler tüm gruplar için, 0.9-0.1 ppm, 2.1 ppm, 2.9ppm ve 3.9 ppm değerlerinde ortaya çıkmaktadır. 3.15 ppm de ortaya çıkan pik diabet grubunda daha sıklıkla görülmektedir. 3.3ppm, 3.6ppm, 5.1 ppm ve 5.6 ppm pikleri, farklı gruplarda ya ortaya çıkmamakta yada seyrek olarak ortaya çıkmaktadır. Su baskılama teknikleri kullanılmadan yapılan bu çalışma özellikle idrar örneklerinde yapılan çizgi genişliği ölçümlerinin normal ve hastalıklı durunları ayırt etme potansiyeli taşıdığını göstermektedir.
Gürültünün insan sağlığı üzerindeki etkileri ve Diyarbakır il merkezinde trafik kaynaklı gürültü düzeyleri ölçümü
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-09-25) Aslan, Cengiz; Çelik, Mehmet Salih
Özellikle hızlı kentleşme ve sanayileşme sürecinde birçok çevre sorunu da ortaya çıkmıştır. Bu süreçte en önemli faktör gürültü kirliliğidir. Şehirlerde meydana gelen gürültü kirliliğinin genel olarak motorlu taşıtlardan kaynaklı trafik oluşturmaktadır. Bu çalışmada Diyarbakır il merkezinde trafiğin yoğun olduğu kavşak ve yollardaki gürültü düzeylerinin saptanması, ilişkili faktörlerin belirlenmesi amaçlanmıştır. Ayrıca gürültünün insan sağlığına etkileri durulmuştur bu etkilerin sağlığa olan zararlarını; işitme bozukluğu, sesli iletişime etkisi, uyku bozukluğu psikolojik etkiler, performansa etkileri, psikolojik etkileri ve kardiyovasküler etkileri şeklinde incelenmiştir. Bu çalışmada kavşaklar ve ana arterler üzerinde gürültü ölçümü yapılacak 15 adet ölçüm noktası belirlenmiştir. Ölçüm noktalarında oluşan gürültü seviyeleri Mini Sound Level Meter marka gürültü ölçüm cihazı ile ölçülmüştür. Ölçümler sabah 07.00-09.00 saatleri, öğlenleri 12.00-14.00 saatleri, akşamları 19.00-21.00 saatleri arasında gerçekleşmiştir. Ölçümler gürültü düzeyi ölçülecek yolun veya kavşağın kenarında bulunan kaldırımların yola bakan kenarlarında, yerden 1,5m yükseklikte yapılmıştır. Çevresel gürültünün değerlendirilmesi ve yönetimi yönetmeliğinde (ÇGDYY) belirtilen sınır değerlerle karşılaştırılmıştır. Ölçüm yapılan noktalar Ç.G.D.Y.Y sınır düzeylerine göre değerlendirilmiştir. Bu çerçevede Diyarbakır il merkezindeki gürültü kirliliğinin azaltılması ve önlenmesi için gerekli öneriler sunulmuştur.
Non-invaziv uygulamalarda kullanılan radyasyonların insan sağlığı üzerindeki etkileri ve tıpta kullanım alanları, Batman ilinde covid-19 pandemi döneminin radyasyon uygulamaları açısından değerlendirilmesi
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-09-24) Yılmaz, Seyithan; Çelik, Mehmet Salih
Radyasyonun insan sağlığı üzerindeki etkileri dünya ölçeğinde farklı devletler, kurumlar ve kişiler tarafından incelenmiştir. Bu etkilerin yerel coğrafya ile ilişkili olduğu bilinmektedir. Batman yöresi için bu eksikliği gidermek amacıyla non-invaziv uygulamalarda kullanılan radyasyonların İnsan sağlığı üzerindeki etkileri ve Tıpta kullanım alanları, Batman İlinde Covid-19 pandemi döneminin radyasyon uygulamaları açısından değerlendirilmesini kapsayacak şekilde incelenmiştir. Bu amaç için Batman Eğitim ve Araştırma Hastanesinden 2016-2021 yılları arası için, uygulanan tüm radyolojik tetkik sayıları ve özellikle seçilen; Kanser, engelli ve Covid-19’a yakalanmış hastaların non-invaziv tüm tetkikler ve bunlara bağlı tüm sonuçlar alındı. Batman Rehberlik ve Araştırma Merkezinden de aynı yıllar arası için engelli birey sayısı alındı. Bu yıllara ait Batman il nüfus sayısı da internetten alındı (www.nufusu.com/ilce/merkez_batman-nufusu). Toplanan tüm verilerden sırasıyla çizelgeler, dairesel yüzdelik, sütün, çubuk ve çizgi grafikleri elde edilmiştir. Yorumlar bu çizelge ve grafiklere dayalı olarak yapılmış ve bu yorumlardan da sonuçlar çıkarılmıştır.
Sesin kullanım alanları, gürültünün canlılar üzerindeki etkileri ve Batman ili gürültü haritalandırılması
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-08-29) Kaya, Recep; Çelik, Mehmet Salih
Ses, genelde olumsuz olarak algılansa da teknolojiyle beraber Gıda sektöründe (Raf ömrünün uzatımı), Yangın söndürmede, Sağlıkta (kanser tedavisi, zayıflama, hamilelikte bebeğin görüntülenmesinde), Yer tespitinde (Okyanus altı ve savaş alanlarında), Temizlikte (Zararlı gazların temizlenmesi, atık suların temizlenmesi) gibi alanlarda faydalı olarak kullanılmakla beraber; Hızlı kentleşme ve endüstrileşme süreci ile birlikte birçok çevre sorununu da beraberinde getirmektedir. Bunlardan birisi de kent peyzajlarında önemli derecede rahatsızlık meydana getiren gürültü kirliliğidir. Kentlerdeki gürültünün en önemli kaynağını ise motorlu taşıtlardan kaynaklı trafik oluşturmaktadır. Özellikle şehirlerde farklı faaliyetleri de göz önüne aldığımızda diğer rahatsızlıkların yanında gürültü kirliliği de adından söz ettirmeye başlamıştır. Son zamanlarsa akustik biliminin de üzerine çalışmalar yaptığı gürültü özelikle sanayi devrimi ile birlikte iş olanaklarından dolayı insanların şehirlere göçünü sağlamış ve nüfus artışıyla doğru orantılı olarak artmış bulunmaktadır. Bu gürültünün başlıca nedenleri arasında sayılan trafik gürültüsü insan sağlığını olumsuz etkilemiş, etkilenen birey sayısındaki artış giderek toplum sağlığını tehdit eder hale geldiğinden dolayı toplum tarafından gürültü konusuna verilen önem giderek artmıştır.
Sol jel yöntemiyle hazırlanan Cr:CuO/n-Si fotodiyotlarin üretimi ve elektriksel karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-04-29) Toprak, Şeyhmus; Rüzgar, Şerif
Bu çalışmada, sol jel döndürerek kaplama yöntemi ile katkısız ve Cr katkılı CuO ince filmler n-Si alttaşların üzerine kaplandı. Hazırlanan bu ince filmlerle heteroeklem yapılı CuO/n-Si (CC1), Cu0,75Cr0,25O/n-Si (CC2), Cu0,50Cr0,50O/n-Si (CC3), Cu0,25Cr0,75O/n-Si (CC4), CrO/n-Si (CC5) diyotlar elde ederek, bu diyotların optoelektriksel özellikleri incelendi. Üretilen diyotların I-V karakteristikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık yoğunluğu altında incelendi. I-V ölçümleri kullanılarak bu diyotların idealite faktörüleri (n), bariyer yükseklikleri (ΦB) ve doğrultma oranları (RR) hesaplandı. Norde fonksiyonunu ile diyotların hem karanlıkta hemde ışık altında bariyer yükseklikleri ve seri dirençleri (RS) hesaplandı. Üretilen diyotların kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G-V) ve seri direnç-voltaj (Rs-V), karakteristikleri 10kHz-1MHz frekans aralığında incelendi. Ayrıca ürettiğimiz diyotların ters beslem (C-2-V) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd (cm3), Vbi (eV), Nc(cm-3), Ef (eV), Փb(C-V)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV), Emax (V/cm) gibi parametreleri hesapladı.
Kobalt katkılı bakır oksit ince film tabanlı yapıların elektriksel karakterizasyonu
(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-04-29) Yıldız, Yusuf; Rüzgar, Şerif
Sol jel döndürme kaplama yöntemi ile katkısız ve kobalt katkılı bakır oksit ince filmleri n tipi silisyum alttaşlar üzerine kaplanarak heteroeklem yapılar üretildi. Elde edilen bu heteroeklem yapıların fotoelektriksel özellikleri incelendi. Yapılan ölçümler sonucunda kobalt katkılandırmanın üretilen ince filmler üzerindeki etkisi araştırıldı. Üretilen bu yapıların I-V grafikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında çizilerek incelendi. I-V grafiklerini kullanarak bu diyotların idealite faktörü (η), bariyer yüksekliği (ΦB), doğrultma oranı (RR), Norde fonksiyonu yardımı ile seri dirençleri karanlık ve ışık altında hesaplandı. Bununla birlikte, 10 kHz – 1 MHz frekans aralığında C-V, Rs-V, G-V ile Dit grafikleri çizilip incelendi. Elde edilen diyotların ters beslem (C-2) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd(cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(C-V) (eV), Wd (nm), ∆Փb (eV) ve Emax (V/cm) parametreleri hesapladı. Elde edilen hesaplamalar sonucunda tüm elektriksel parametrelerin katkı miktarına kuvvetli bir şekilde bağlı olduğu gözlendi.

Güncel Gönderiler