Al/orange g/p-tipi si mıs devre elemanlarının elektriksel ve kontak özellikleri üzerine gama ışınlarının etkisi

Bu çalışmada Orange G (OG) organik ince film kullanılarak üretilen Al/OG/p-Si diyotunun Co-60 gama ışınlamasıyla öncesinde ve sonrasında Cheung ve Norde teknikleriyle ve KEITHLEY 4200-SCS vasıtasıyla elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında, karanlık ortamda akım-gerilim(I-V) ölçümü, kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri yapılmıştır. Yapılan ölçümler sonucundan elde edilen değerler çizelgede gösterilmiş ve grafiklendirilmiştir. Elde edilen değerler doğrultusunda bariyer yüksekliği (ɸB), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir.

In this study, electrical and interfacial properties of Al/OG/p-Si diode produced by using Orange G (OG) organic thin film before and after Co-60 gamma irradiation were determined by Cheung and Norde techniques and by KEITHLEY 4200-SCS, at room temperature, in the dark environment. current-voltage (IV) measurement, capacitance-voltage (CV) measurements were made. The values obtained as a result of the measurements made are shown in the table and graphed. In line with the obtained values, some parameters such as barrier height (ɸB), ideality factor (n) and series resistance (Rs) were obtained from Norde function and Cheung functions.