Al/CuO/p-Si/Al Diyot yapısının elektriksel özellikleri
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2015
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, Metal-yarıiletken arasına yerleştirilen ince metal-oksit (CuO) filmin diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. Metal yarıiletken arasına yerleştirilen CuO nano yapılı ince filmleri büyütmek için spin coating metodu kullanıldı ve bir Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısı üretildi. Üretilen Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısının geleneksel (I-V) karakteristiklerinden, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB0) ve Norde fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Elde edilen filmlerin, taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüleri alındı. Ayrıca CuO filmlerin optiksel özellikleri UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiş ve buradan optiksel enerji bant aralığının 2.08 eV olduğu belirlendi. Hesaplamalara göre, üretilen diyotun doğrultucu diyot olduğu ve fotodiyot özellik gösterdiği görüldü.
In this study, The diode characteristics of the thin film of metal-oxide (CuO) was investigated. Spin coating method was used to grow CuO nano-structured thin films interfaced between the metal and semiconductor and an diode structure of Al / CuO / p-Si / Al was produced. Ideality factor (n) and barrier height (ΦB0) were calculated from conventional (I-V) characteristics of Al /CuO/p-Si /Al diode structure and series resistance values (Rs) were calculated by using Norde functions. Scanning electron microscope (SEM) images of that films were obtained. Furtheremore, the optical properties of CuO films were analyzed with UV-VIS spectroscopy, and then the optical energy band gap was determined as 2.08 eV. The calculations suggest that the produced diode was a rectifier diode with photodiodes feature.
In this study, The diode characteristics of the thin film of metal-oxide (CuO) was investigated. Spin coating method was used to grow CuO nano-structured thin films interfaced between the metal and semiconductor and an diode structure of Al / CuO / p-Si / Al was produced. Ideality factor (n) and barrier height (ΦB0) were calculated from conventional (I-V) characteristics of Al /CuO/p-Si /Al diode structure and series resistance values (Rs) were calculated by using Norde functions. Scanning electron microscope (SEM) images of that films were obtained. Furtheremore, the optical properties of CuO films were analyzed with UV-VIS spectroscopy, and then the optical energy band gap was determined as 2.08 eV. The calculations suggest that the produced diode was a rectifier diode with photodiodes feature.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Schottky Diyot, CuO İnce Filmler, Sol-jel Döndürerek Kaplama, SEM, I-V, UV-Vis-NIR, Schottky Diode, CuO Thin Films, Sol-Gel Spin Coating, UV-VIS-NIR
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
5
Sayı
1
