Al/CuO/p-Si/Al Diyot yapısının elektriksel özellikleri

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridTR47967en_US
dc.contributor.authorKarabat, Mehmet Faruk
dc.contributor.authorArsel, İsmail
dc.date.accessioned2015-11-23T21:02:46Z
dc.date.available2015-11-23T21:02:46Z
dc.date.issued2015
dc.departmentBatman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümüen_US
dc.description.abstractBu çalışmada, Metal-yarıiletken arasına yerleştirilen ince metal-oksit (CuO) filmin diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. Metal yarıiletken arasına yerleştirilen CuO nano yapılı ince filmleri büyütmek için spin coating metodu kullanıldı ve bir Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısı üretildi. Üretilen Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısının geleneksel (I-V) karakteristiklerinden, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB0) ve Norde fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Elde edilen filmlerin, taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüleri alındı. Ayrıca CuO filmlerin optiksel özellikleri UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiş ve buradan optiksel enerji bant aralığının 2.08 eV olduğu belirlendi. Hesaplamalara göre, üretilen diyotun doğrultucu diyot olduğu ve fotodiyot özellik gösterdiği görüldü.en_US
dc.description.abstractIn this study, The diode characteristics of the thin film of metal-oxide (CuO) was investigated. Spin coating method was used to grow CuO nano-structured thin films interfaced between the metal and semiconductor and an diode structure of Al / CuO / p-Si / Al was produced. Ideality factor (n) and barrier height (ΦB0) were calculated from conventional (I-V) characteristics of Al /CuO/p-Si /Al diode structure and series resistance values (Rs) were calculated by using Norde functions. Scanning electron microscope (SEM) images of that films were obtained. Furtheremore, the optical properties of CuO films were analyzed with UV-VIS spectroscopy, and then the optical energy band gap was determined as 2.08 eV. The calculations suggest that the produced diode was a rectifier diode with photodiodes feature.en_US
dc.identifier.endpage53en_US
dc.identifier.issn2147-4877
dc.identifier.issue1en_US
dc.identifier.startpage40en_US
dc.identifier.urihttp://www.yasambilimleridergisi.com/makale/pdf/1419854127.pdf
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/1522
dc.identifier.volume5en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherBatman Üniversitesien_US
dc.relation.journalBatman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Yayınıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectSchottky Diyoten_US
dc.subjectCuO İnce Filmleren_US
dc.subjectSol-jel Döndürerek Kaplamaen_US
dc.subjectSEMen_US
dc.subjectI-Ven_US
dc.subjectUV-Vis-NIRen_US
dc.subjectSchottky Diodeen_US
dc.subjectCuO Thin Filmsen_US
dc.subjectSol-Gel Spin Coatingen_US
dc.subjectUV-VIS-NIRen_US
dc.titleAl/CuO/p-Si/Al Diyot yapısının elektriksel özelliklerien_US
dc.title.alternativeElectrical characterization of Al/CuO/p-Si/Al MIS photovoltaic cellsen_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
1419854127.pdf
Boyut:
3.57 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.51 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Cilt 5, Sayı 1
Fen - Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Makale Koleksiyonu