Silikon tabanlı pın diyotların elektriksel belirtkenlerinin incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0000-0003-0018-4017en_US
dc.contributor.advisorPakma, Osman
dc.contributor.authorAkın, Ersin
dc.date.accessioned2022-07-01T04:57:06Z
dc.date.available2022-07-01T04:57:06Z
dc.date.issued2022-06-10en_US
dc.departmentBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu tez çalışmasında silikon tabanlı BPW41N (PIN) fotodiyotunun elektriksel karakterizasyonu gerçekleştirilerek, elektriksel parametreler belirlenmiş ve bu parametreler aracılığı ile baskın olan akım iletim mekanizması hakkında bilgi edilmeye çalışılmıştır. 80-300K sıcaklıkları arasında akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden PIN foto diyotumuzun uygulanan gerilim değeri ile seri direnç etkisine bağlı olarak sapma meydana geldiği görülmüştür. Baskın akım-iletim mekanizmasına göre elektriksel belirtkenler tayin edilmiştir. Ayrıca Norde ve Cheung metodundan yararlanarak aygıtımızın seri direnci belirlenmeye çalışılmıştır. Oda sıcaklığında Norde fonksiyonu ile seri direnç ve engel yüksekliği 147 Ω ve 0,881 eV ve Cheung metodu ile de seri direnç 2,77 ve 2,076 Ω, engel yüksekliği 2,083 Ω, ve 0,654 eV olarak hesaplanmıştır. Bu farklılıklar akım-iletim mekanizması ve yöntemlere bağlı olarak yorumlanmıştır.en_US
dc.description.abstractIn this thesis, the electrical characterization of the silicon-based BPW41N (PIN) photodiode was performed and its electrical parameters were determined and information about the dominant current conduction mechanism was tried to be obtained through these parameters. From the current-voltage (I-V) measurements between 80-300K temperatures, it was observed that there was a deviation due to the series resistance effect with the applied voltage value of our PIN photo diode. The electrical parameters were determined according to the dominant current conduction mechanism. In addition, the series resistance of our device was tried to be determined by using Norde and Cheung methods. At room temperature, the series resistance and barrier height were calculated as 147 Ω and 0.881 eV with the Norde function, and the series resistance was calculated as 2.77 and 2.076 Ω, the barrier height was 2.083 Ω, and 0.654 eV with the Cheung method. These differences have been interpreted depending on the current-conduction mechanism and methods.en_US
dc.identifier.citationAkın, E. (2022). Silikon tabanlı pın diyotların elektriksel belirtkenlerinin incelenmesi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/4221
dc.language.isotren_US
dc.publisherBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFotodiyoten_US
dc.subjectPINen_US
dc.subjectSilikonen_US
dc.subjectSeri Dirençen_US
dc.subjectPhotodiodeen_US
dc.subjectSeries Resistanceen_US
dc.subjectSiliconen_US
dc.titleSilikon tabanlı pın diyotların elektriksel belirtkenlerinin incelenmesien_US
dc.title.alternativeInvestigation of electrical properties of silicon pin diodesen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Ersin Akın- Tez- 16.06.2022-.pdf
Boyut:
1.88 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Tez Koleksiyonu