Farklı kalınlıklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0009-0005-4338-3691en_US
dc.contributor.advisorRüzgar, Şerif
dc.contributor.authorNergiz, Kadir
dc.date.accessioned2023-07-10T07:27:38Z
dc.date.available2023-07-10T07:27:38Z
dc.date.issued2023-06-23en_US
dc.departmentBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada NiO ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı. Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3,29-7,05 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0,67-0,76 arasında ve seri direnç değerleri 270-4436 arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.en_US
dc.description.abstractIn this study, heterojunction structures were carried out by deposition of NiO thin films on n-Si substrates according to different coating times by sol gel spin coating method. The effect of thin film thickness on electrical and optoelectrical properties of heterojunction structures was investigated. The crucial electrical parameters such as series resistance (Rs), rectification ratio (RR), ideality factor (n) and barrier height (ΦB) of heterojunction structures were calculated by analyzing I-V data. The current-voltage (I-V) characteristics of the fabricated heterojunction structures were investigated under dark and different illumination intensities. All structures were shown to be photo sensitive and exhibit a rectification behavior. While the ideality values of the diodes varied between 3.29 and 7.05, the barrier heights varied between 0.67-0.76 and the series resistance values between 270-4436.en_US
dc.identifier.citationNergiz, K.(2023). Farklı kalınlıklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/4437
dc.language.isotren_US
dc.publisherBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectElektriksel Özellikleren_US
dc.subjectHeteroeklem Yapılaren_US
dc.subjectİnce Filmleren_US
dc.subjectNiOen_US
dc.subjectn-Sien_US
dc.subjectSol Jel Yöntemien_US
dc.subjectElectrical Propertiesen_US
dc.subjectHeterojunction Structuresen_US
dc.subjectSol Gel Coatingen_US
dc.subjectThin Filmsen_US
dc.titleFarklı kalınlıklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisien_US
dc.title.alternativeThe effect of NiO thickness on electrical properties of the NiO/n-Si heterojunction structuresen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
KADİR NERGİZ-YENİ.pdf
Boyut:
2.89 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Tez Koleksiyonu