On The Profile Of Frequency Dependent Series Resistance And Interface States In Al/TiO2/p-Si (MIS) Structures

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridTR47967en_US
dc.contributor.authorArsel, İsmail
dc.date.accessioned2015-11-25T07:58:51Z
dc.date.available2015-11-25T07:58:51Z
dc.date.issued2012
dc.departmentBatman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümüen_US
dc.description.abstractSol-gel yöntemiyle hazırlanan Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıların iletkenlik-voltaj(G/ω-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristiklerinin frekansa bağımlılığı oda sıcaklığında seri dirençler (Rs) ve arayüzey (Nss) durumlarına etkisi gözönüne alınarak incelenmiştir. Ölçülen kapasidans (C) ve iletkenkiğin (G/ω), frekansa ve öngerilime kuvvetle bağlı olduğu bulunmuştur. Ölçülen sığa (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerinin, dolma ve boşalma bölgelerinde frekansın artması ile azaldığı, Si/TiO2 arayüzeyinde Nss ölçülmüştür. Seri direnç-gerilim ( Rs-V), grafiğinde bir tepe noktası vardır ve tepe noktasının yeri, azalan frekansla birlikte ters bölgeye doğru kayar. Gerçek (MIS) kapasidans (C) ve iletkenlik (G/ω) değerlerini elde etmek amacıyla kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V) ölçümlerinin her ikisi ileri ve geri önyargılar altında seri dirençlerin etkisi için düzeltilmiştir. Frekansa bağlı kapasidans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G/ω-V) ölçümleri son derece etkili elektriksel karakteristiklerin çok önemli iki parametresi MMS yapısında Rs ve Nss olduğunu gösterir.en_US
dc.description.abstractThe frequency dependence of capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) characteristics of the Al/TiO2/p-Si (MIS) structures by prepared the sol-gel method have been investigated taking into account the effect of the interface states (Nss) and the series resistance (Rs) at room temperature. It is found that the measured capacitanec (C) and conductance (G/ω) are strongly dependent on bias voltage and frequency. The values of measured C and G/ω decrease in accumulation and depletion regions with increasing frequencies due to localized Nss at Si/TiO2 interface. The Rs vs. V plots give a peak and the peak position is shifting toward inversion region with decreasing frequency. In order to obtained the real MIS capacitance and conductance both C-V and G/ω-V measured under forward and reverse biases were corrected for the effect of Rs. Frequency dependent the C-V and G/ω-V measurements confirm that the Nss and Rs of the MIS structures are very important two parameters that strongly influence the electrical characteristics.en_US
dc.identifier.endpage38en_US
dc.identifier.issn2147-4877
dc.identifier.issue1en_US
dc.identifier.startpage29en_US
dc.identifier.urihttp://www.yasambilimleridergisi.com/makale/pdf/1363021222.pdf
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/1547
dc.identifier.volume2en_US
dc.language.isoenen_US
dc.publisherBatman Üniversitesien_US
dc.relation.journalBatman Üniversitesi Yaşam Bilimleri Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Yayınıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectSol-gel method; Al/TiO2/p-Si (MIS) structuresen_US
dc.subjectInterface state densityen_US
dc.subjectSeries resistanceen_US
dc.subjectFrequency dependenceen_US
dc.subjectMİS: Metal Insulator Semiconductor (Metal-Yalıtkan – Yarıiletken)en_US
dc.subjectSol-gel metodu; Al/TiO2/p-Si (MIS) yapılaren_US
dc.subjectArayüzey durum yoğunluğuen_US
dc.subjectSeri dirençleren_US
dc.subjectFrekansa bağlılıken_US
dc.titleOn The Profile Of Frequency Dependent Series Resistance And Interface States In Al/TiO2/p-Si (MIS) Structuresen_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
1363021222.pdf
Boyut:
524.98 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.51 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Cilt 2, Sayı 1
Fen - Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Makale Koleksiyonu