Trimetilolpropane triakrilat (TMPTA) arayüze sahip metal-polimer-yarıiletken (MPS) aygıtların elektriksel karakterizasyonu
Yükleniyor...
Tarih
2022-06-10
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada Trimetilolpropane Triakrilat (TMPTA) Polimer arayüze sahip Metal-Polimer-Yarıiletken (MPS) aygıtların oda sıcaklığında akım - gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) analizleri incelenmiştir. Al/TMPTA/p-Si (MPS) yapısının karanlık altındaki akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirilerek; doğrultma oranı (RR), idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕB) ve seri direnç (Rs) gibi aygıt parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri ile diğer elektriksel parametreler belirlenmiştir. Sonuçlar literatür ile karşılaştırılmış, TMPTA fotopolimer organik arayüzey tabakasının MPS aygıtlarının fabrikasyonu için iyi bir aday olduğu görülmüştür.
In this study, current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) analyzes of Metal-Polymer-Semiconductor (MPS) devices with Trimethylolpropane Triacrylate (TMPTA) Polymer interface were investigated at room temperature. By performing current-voltage (I-V) measurements of the Al/TMPTA/p-Si (MPS) structure under dark; Device parameters such as rectification ratio (RR), ideality factor (n), barrier height (ϕB) and series resistance (Rs) were determined. In addition, capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements and other electrical parameters were determined. The results were compared with the literature and it was seen that the TMPTA photopolymer organic interfacial layer is a good candidate for fabrication of MPS devices.
In this study, current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) analyzes of Metal-Polymer-Semiconductor (MPS) devices with Trimethylolpropane Triacrylate (TMPTA) Polymer interface were investigated at room temperature. By performing current-voltage (I-V) measurements of the Al/TMPTA/p-Si (MPS) structure under dark; Device parameters such as rectification ratio (RR), ideality factor (n), barrier height (ϕB) and series resistance (Rs) were determined. In addition, capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements and other electrical parameters were determined. The results were compared with the literature and it was seen that the TMPTA photopolymer organic interfacial layer is a good candidate for fabrication of MPS devices.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Polimer, Trimetilolpropan Triakrilat (TMTPA), Metal-Polimer-Yarıiletken(MPS), Seri Direnç, Polymer, Trimethylolpropane Triacrylate (TMTPA), Metal-Polymer-Semiconductor (MPS), Series Resistance
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Özenç, M. E. (2022). Trimetilolpropane triakrilat (TMPTA) arayüze sahip metal-polimer-yarıiletken (MPS) aygıtların elektriksel karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.
