Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Yükleniyor...
Tarih
2021-06-23
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tez çalışmasında katkısız ve gümüş (Ag) katkılı HfO2 ince filmler p-Si yüzeylere sol-jel daldırma metoduyla kaplanmış; yüzey analizleri X-ışını kırınım desenleri (XRD) ile incelenmiş ve elektriksel karakterizayonları ise oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri alınarak yapılmıştır. Katkısız ve Ag katkılı Al/HfO2/p-Si (MIS) yapılarının oda sıcaklığındaki I-V analizlerinden idealite faktörleri (n), doyum akım yoğunlukları (I0) ve engel yükseklikleri (ϕB) tayin edilmiştir. İlgili parametre değişimleri yapılardaki seri direnç etkileri de dikkate alınarak incelenmiş olup, arayüzey durum yoğunlukları belirlenmiştir. Sonuç olarak katkılamanın yapılardaki elektriksel parametreler üzerindeki etkisi raporlanmış ve literatür ile karşılaştırması yapılmıştır.
In this thesis, undoped and silver (Ag) doped HfO2 thin films were coated on p-Si surfaces by sol-gel dipping method. Surface analyzes were examined with X-ray diffraction patterns (XRD) and electrical characterizations were made by taking current-voltage (I-V) measurements at room temperature. Ideality factors (n), saturation current densities (I0) and barrier heights (ϕB) were determined from I-V analyzes of undoped and Ag-doped Al/HfO2/p-Si (MIS) structures at room temperature. The related parameter changes were examined by taking into account the series resistance effects on the structures, and the interfacial state densities were determined. As a result, the effect of doping on electrical parameters in the structures was reported and compared with the literature.
In this thesis, undoped and silver (Ag) doped HfO2 thin films were coated on p-Si surfaces by sol-gel dipping method. Surface analyzes were examined with X-ray diffraction patterns (XRD) and electrical characterizations were made by taking current-voltage (I-V) measurements at room temperature. Ideality factors (n), saturation current densities (I0) and barrier heights (ϕB) were determined from I-V analyzes of undoped and Ag-doped Al/HfO2/p-Si (MIS) structures at room temperature. The related parameter changes were examined by taking into account the series resistance effects on the structures, and the interfacial state densities were determined. As a result, the effect of doping on electrical parameters in the structures was reported and compared with the literature.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Arayüzey Durumları, Hafniyum Oksit, XRD, Interface States, Hafnium Oxide, Sol-Gel, Series Resistance, XRD, Seri Direnç, Sol-Jel
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Demir, A. (2021). Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman.
