Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0000-0001-7653-1877en_US
dc.contributor.advisorPakma, Osman
dc.contributor.authorDemir, Arif
dc.date.accessioned2022-11-30T07:55:43Z
dc.date.available2022-11-30T07:55:43Z
dc.date.issued2021-06-23en_US
dc.date.submitted2021-06-23
dc.departmentBatman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu tez çalışmasında katkısız ve gümüş (Ag) katkılı HfO2 ince filmler p-Si yüzeylere sol-jel daldırma metoduyla kaplanmış; yüzey analizleri X-ışını kırınım desenleri (XRD) ile incelenmiş ve elektriksel karakterizayonları ise oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri alınarak yapılmıştır. Katkısız ve Ag katkılı Al/HfO2/p-Si (MIS) yapılarının oda sıcaklığındaki I-V analizlerinden idealite faktörleri (n), doyum akım yoğunlukları (I0) ve engel yükseklikleri (ϕB) tayin edilmiştir. İlgili parametre değişimleri yapılardaki seri direnç etkileri de dikkate alınarak incelenmiş olup, arayüzey durum yoğunlukları belirlenmiştir. Sonuç olarak katkılamanın yapılardaki elektriksel parametreler üzerindeki etkisi raporlanmış ve literatür ile karşılaştırması yapılmıştır.en_US
dc.description.abstractIn this thesis, undoped and silver (Ag) doped HfO2 thin films were coated on p-Si surfaces by sol-gel dipping method. Surface analyzes were examined with X-ray diffraction patterns (XRD) and electrical characterizations were made by taking current-voltage (I-V) measurements at room temperature. Ideality factors (n), saturation current densities (I0) and barrier heights (ϕB) were determined from I-V analyzes of undoped and Ag-doped Al/HfO2/p-Si (MIS) structures at room temperature. The related parameter changes were examined by taking into account the series resistance effects on the structures, and the interfacial state densities were determined. As a result, the effect of doping on electrical parameters in the structures was reported and compared with the literature.en_US
dc.identifier.citationDemir, A. (2021). Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Batman.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/4330
dc.language.isotren_US
dc.publisherBatman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectArayüzey Durumlarıen_US
dc.subjectHafniyum Oksiten_US
dc.subjectXRDen_US
dc.subjectInterface Statesen_US
dc.subjectHafnium Oxideen_US
dc.subjectSol-Gelen_US
dc.subjectSeries Resistanceen_US
dc.subjectXRDen_US
dc.subjectSeri Dirençen_US
dc.subjectSol-Jelen_US
dc.titleAg katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesien_US
dc.title.alternativeThe investigation of Ag doped metal/HfO2/c-Si structures for electrical propertiesen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Arif DEMİR -10400438.pdf
Boyut:
2.23 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Tez Koleksiyonu