Filtreler

2015 - 20162
Filtreleri Sıfırla

Ayarlar

Yazar: Pakma, Osman × Erişim Hakkı: Attribution-ShareAlike 3.0 United States ×

Arama Sonuçları

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    Temperature dependent electrical transport in Al/Poly(4-vinyl phenol)/ p -GaAs metal-oxide-semiconductor by sol-gel spin coating method
    (Hindawi, 2016-03-10) Özden, Şadan; Tozlu, Cem; Pakma, Osman
    Deposition of poly(4-vinyl phenol) insulator layer is carried out by applying the spin coating technique onto p-type GaAs substrate so as to create Al/poly(4-vinyl phenol)/p-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. Temperature was set to 80-320 K while the current-voltage (I-V) characteristics of the structure were examined in the study. Ideality factor (n) and barrier height (φ b) values found in the experiment ranged from 3.13 and 0.616 eV (320 K) to 11.56 and 0.147 eV (80 K). Comparing the thermionic field emission theory and thermionic emission theory, the temperature dependent ideality factor behavior displayed that thermionic field emission theory is more valid than the latter. The calculated tunneling energy was 96 meV.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Organik arayüzey tabakalı Al/CuPc /p-InP kontakların fabrikasyonu ve elektriksel parametrelerinin incelenmesi
    (Batman Üniversitesi, 2015-07-01) Aslan, Filiz; Güllü, Ömer; Ocak, Yusuf Selim; Rüzgar, Şerif; Tombak, Ahmet; Özaydın, Cihat; Pakma, Osman; Arsel, İsmail
    Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.