2 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 2 / 2
Öğe Farklı kalınlıklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-06-23) Nergiz, Kadir; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada NiO ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı. Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3,29-7,05 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0,67-0,76 arasında ve seri direnç değerleri 270-4436 arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.Öğe Sol jel yöntemiyle hazırlanan Cr:CuO/n-Si fotodiyotlarin üretimi ve elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-04-29) Toprak, Şeyhmus; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada, sol jel döndürerek kaplama yöntemi ile katkısız ve Cr katkılı CuO ince filmler n-Si alttaşların üzerine kaplandı. Hazırlanan bu ince filmlerle heteroeklem yapılı CuO/n-Si (CC1), Cu0,75Cr0,25O/n-Si (CC2), Cu0,50Cr0,50O/n-Si (CC3), Cu0,25Cr0,75O/n-Si (CC4), CrO/n-Si (CC5) diyotlar elde ederek, bu diyotların optoelektriksel özellikleri incelendi. Üretilen diyotların I-V karakteristikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık yoğunluğu altında incelendi. I-V ölçümleri kullanılarak bu diyotların idealite faktörüleri (n), bariyer yükseklikleri (ΦB) ve doğrultma oranları (RR) hesaplandı. Norde fonksiyonunu ile diyotların hem karanlıkta hemde ışık altında bariyer yükseklikleri ve seri dirençleri (RS) hesaplandı. Üretilen diyotların kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G-V) ve seri direnç-voltaj (Rs-V), karakteristikleri 10kHz-1MHz frekans aralığında incelendi. Ayrıca ürettiğimiz diyotların ters beslem (C-2-V) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd (cm3), Vbi (eV), Nc(cm-3), Ef (eV), Փb(C-V)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV), Emax (V/cm) gibi parametreleri hesapladı.
