Sol jel yöntemiyle hazırlanan Cr:CuO/n-Si fotodiyotlarin üretimi ve elektriksel karakterizasyonu
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2022-04-29
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, sol jel döndürerek kaplama yöntemi ile katkısız ve Cr katkılı CuO ince filmler n-Si alttaşların üzerine kaplandı. Hazırlanan bu ince filmlerle heteroeklem yapılı CuO/n-Si (CC1), Cu0,75Cr0,25O/n-Si (CC2), Cu0,50Cr0,50O/n-Si (CC3), Cu0,25Cr0,75O/n-Si (CC4), CrO/n-Si (CC5) diyotlar elde ederek, bu diyotların optoelektriksel özellikleri incelendi. Üretilen diyotların I-V karakteristikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık yoğunluğu altında incelendi. I-V ölçümleri kullanılarak bu diyotların idealite faktörüleri (n), bariyer yükseklikleri (ΦB) ve doğrultma oranları (RR) hesaplandı. Norde fonksiyonunu ile diyotların hem karanlıkta hemde ışık altında bariyer yükseklikleri ve seri dirençleri (RS) hesaplandı. Üretilen diyotların kapasitans-voltaj (C-V), kondüktans-voltaj (G-V) ve seri direnç-voltaj (Rs-V), karakteristikleri 10kHz-1MHz frekans aralığında incelendi. Ayrıca ürettiğimiz diyotların ters beslem (C-2-V) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd (cm3), Vbi (eV), Nc(cm-3), Ef (eV), Փb(C-V)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV), Emax (V/cm) gibi parametreleri hesapladı.
In this study, undoped and Cr-doped CuO thin films were deposited on n-Si substrates by sol-gel spin coating method. The CuO/n-Si (CC1), Cu0,75Cr0,25O/n-Si (CC2), Cu0,50Cr0,50O/n-Si (CC3), Cu0,25Cr0,75O/n-Si (CC4), CrO/n-Si (CC5) diodes were fabricated by using these thin films. The I-V characteristics of the fabricated diodes were investigated in the dark and under a light intensity of 100 mW/cm2 conditions. The ideality factors (n), barrier heights (ΦB) and rectification ratios (RR) of these diodes were computed and tabulated. The Norde function was used to calculate the series resistances of the fabricated heterojunctions. Capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G-V) and series resistance-voltage (Rs-V) characteristics of the produced diodes were examined in the frequency range of 10kHz-1MHz. In addition, the electrical parameters of these structures such as Nd (cm3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(CV)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV) ) and Emax (V/cm) were obtained by using C-2-V graph at 1 MHz frequency.
In this study, undoped and Cr-doped CuO thin films were deposited on n-Si substrates by sol-gel spin coating method. The CuO/n-Si (CC1), Cu0,75Cr0,25O/n-Si (CC2), Cu0,50Cr0,50O/n-Si (CC3), Cu0,25Cr0,75O/n-Si (CC4), CrO/n-Si (CC5) diodes were fabricated by using these thin films. The I-V characteristics of the fabricated diodes were investigated in the dark and under a light intensity of 100 mW/cm2 conditions. The ideality factors (n), barrier heights (ΦB) and rectification ratios (RR) of these diodes were computed and tabulated. The Norde function was used to calculate the series resistances of the fabricated heterojunctions. Capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G-V) and series resistance-voltage (Rs-V) characteristics of the produced diodes were examined in the frequency range of 10kHz-1MHz. In addition, the electrical parameters of these structures such as Nd (cm3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(CV)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV) ) and Emax (V/cm) were obtained by using C-2-V graph at 1 MHz frequency.
Açıklama
Bu tez çalışması Batman Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından BTUBAP-2019-SHMYO-01 nolu proje ile desteklenmiştir.
Anahtar Kelimeler
CuO, CrO, Elektriksel Özellikler, Heteroeklem Yapılar, İnce Filmler, Electrical Properties, Heterojunction Structures, Thin Films
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Toprak, Ş. (2022). Sol jel yöntemiyle hazırlanan Cr:CuO/n-Si fotodiyotlarin üretimi ve elektriksel karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.
