Arama Sonuçları

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Öğe
    Organik boya ara tabakalı Al/Safranine T/n-tipi Inp MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özellikleri
    (Batman Üniversitesi, 2019-05-03) Aydın, Hilal; Güllü, Ömer
    Bu çalışmada; [100] doğrultusunda büyütülmüş, 300 μm kalınlıkta, donor konsantrasyonu 1-5x1017 cm-3 olan ve bir yüzü parlatılmış n-InP yarıiletkeni kullanıldı. Uygun kimyasal temizleme işleminden sonra yarıiletken kristalin alt yüzüne In omik kontak yapıldı. Üst yüzüne Safranine T boyası metanol çözeltisi (0.2’lik) ile kaplandıktan sonra organik tabakanın da üst yüzeyine alt kontak yapıldı. İmal edilen Al / ST / n-InP Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında karanlık ve ışık altında akım-gerilim (I-V) ölçümü ve 100 kHz'lik adımlarla 100-900 kHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) özellikleri araştırılmıştır. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz beslem I-V verisi kullanılarak modifiye Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir. Diyotun arayüzey durum yoğunluğu (Nss) de hesaplanmıştır. Ortaya çıkan yapı mükemmel doğrultucu özelliklere sahiptir
  • Öğe
    Al/orange g/p-tipi si mıs devre elemanlarının elektriksel ve kontak özellikleri üzerine gama ışınlarının etkisi
    (Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-03-25) Ünalan, Ahmet; Güllü, Ömer
    Bu çalışmada Orange G (OG) organik ince film kullanılarak üretilen Al/OG/p-Si diyotunun Co-60 gama ışınlamasıyla öncesinde ve sonrasında Cheung ve Norde teknikleriyle ve KEITHLEY 4200-SCS vasıtasıyla elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında, karanlık ortamda akım-gerilim(I-V) ölçümü, kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri yapılmıştır. Yapılan ölçümler sonucundan elde edilen değerler çizelgede gösterilmiş ve grafiklendirilmiştir. Elde edilen değerler doğrultusunda bariyer yüksekliği (ɸB), idealite faktörü (n) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir.