2 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 2 / 2
Öğe Electrical characteristics of the Al/Congo Red (CR)/p-Si semiconductor diodes(Dumlupınar Üniversitesi, 2015-05) Güllü, Ömer; Pakma, Osman; Turut, Abdulmecit; Arsel, İsmailIn this work, we have studied the electrical characteristics of the Al/CR/p-Si MIS Schottky structures formed by coating of the organic material directly on p-Si substrate. It has been seen that the CR thin film on the p-Si substrate has indicated a good rectifying behavior. The barrier height and the ideality factor of the device have been calculated from the I-V characteristic. We have also studied the suitability and possibility of the MIS diodes for use in barrier modification of Si MS diodes. In addition, we have compared the parameters of the Al/CR/p-Si MIS Schottky diodes with those of conventional Al/p-Si MS diodes. We have observed that the b value of 0.77 eV obtained for the Al/CR/p-Si device was significantly larger than BH value of the conventional Al/p-Si MS contact. Thus, the modification of the interfacial potential barrier for metal/Si diodes has been achieved by using the CR organic interlayer. This was attributed to the fact that the CR interlayer increased the effective b by influencing the space charge region of Si. The interface-state density of the MIS diode was found to vary from 1.24×1013 eV-1 cm-2 to 2.44×1012 eV-1 cm-2.Öğe Al/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-01-04) Altunışık, Celal; Güllü, ÖmerBu çalışmada katıhal devre elemanları ve malzemeler üzerindeki ışınlama etkilerinin araştırılması, pek çok bilim insanı ve farklı ülkelerin uzay ajansları konuyla ilgili çalıştıkları için ilgi çekmektedir. Bir foton veya parçacık radyasyonu katıhal devre elemanlarına ve malzemelere uygulanırsa, sert bir bozulma ortaya çıkacaktır. Bu ışınlama prosedürü aşamasında, yarıiletken aygıtlar üzerinde kalıcı veya geçici bozulma durumu oluşabilecektir. Bu tez çalışmasında, MIS diyotun fabrikasyonu için p-tipi Silisyum yarıiletken alttaşlar kullanılmıştır. Kimyasal temizlik aşamasından sonra, Al/Congo Red (CR)/p-Si MIS diyot yapısı omik arka kontak ve Al üst kontağın metalizasyonu ile üretilmiştir. Si alttaşlar üzerinde organik CR ince filmi %0.2 lik etanol çözeltisi içeren congo red çözeltisinin kaplanmasıyla yapılmıştır. Al/CR/p Si MIS kontak üzerinde ışınlama etkisini araştırmak için, Co-60 γ- ışınlamasından önce ve sonra Akım Voltaj (IV) ve Kapasite-Gerilim (CV) ölçümleri alındı. I-V verilerinden geleneksel LnI-V karakteristikleri, Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) hesaplandı. Ayrıca, Al/CR/p-Si MIS kontağın arayüzey durum yoğunluğu (Nss) da hasaplandı. Aygıtın C-V ölçümlerinden difüzyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (Φb) ve akseptör yük konsanstrasyonu (Na) değerleri hesaplandı.
