Yazar "Ocak, Yusuf Selim" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    Analysis of electrical and photoelectrical properties of ZnO/p-InP heterojunction
    (Elsevier, 2011-06) Ocak, Yusuf Selim; Kulakçı, Mustafa; Turan, Raşit; Kılıçoğlu, Tahsin; Güllü, Ömer
    A ZnO/p-InP heterojunction has been fabricated by dc sputtering of ZnO on p-InP. It has been observed that the device has a good rectification. The electrical properties of the device such as ideality factor, barrier height, series resistance have been calculated using its current-voltage (I-V) measurements between 300 and 380 K with 20 K intervals. The short current density (Jsc) and open circuit voltage (Voc) parameters have been determined between 40 and 100 mW/cm2. The photovoltaic parameters of the device have been also determined under 100 mW/cm2 and AM1.5 illumination condition.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Organik arayüzey tabakalı Al/CuPc /p-InP kontakların fabrikasyonu ve elektriksel parametrelerinin incelenmesi
    (Batman Üniversitesi, 2015-07-01) Aslan, Filiz; Güllü, Ömer; Ocak, Yusuf Selim; Rüzgar, Şerif; Tombak, Ahmet; Özaydın, Cihat; Pakma, Osman; Arsel, İsmail
    Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.