Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması
Yükleniyor...
Tarih
2018-09-25
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Dicle Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
Attribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 United States
Attribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 United States
Özet
Bu çalışmada π bağları açısından zengin organik molekülün (Nigrosin (NIG)) optik özellikleri UV-Vis
yöntemiyle belirlendi. Cam altlık üzerinde damlatma yöntemi ile büyütülen NIG ince tabakasının direkt
yasak enerji değerleri; 1,42 eV (Q bandı) ve 2,94 eV (B bandı) olarak rapor edildi. Oluşturulan referans
Al/p-Si ve Al/NIG/p-Si Metal/Organik aratabaka/Yarıiletken (MIS) yapılarının I-V ölçümleri sonunda tüm
yapıların doğrultucu özelliğe sahip oldukları gözlemlendi. Oda sıcaklığında alınan I-V ölçümleri
kullanılarak yapıların karakteristik diyot özellikleri belirlendi. Burada Al/NIG/p-Si diyotunun kapasitör
özelliği, C-V ölçümleri alınarak incelendi ve yapılan hesaplamalar sonucunda bazı diyot parametreleri elde
edildi. Elde edilen sonuçlar, π bağları açısından zengin olan NIG gibi organik malzemelerin elektronik
sahasında kullanılabileceğini gösterdi.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Nigrosin, MIS Diyot, I-V, C-V
Kaynak
WoS Q Değeri
N/A
Scopus Q Değeri
Cilt
9
Sayı
2
Künye
Güllü, Ö. (2018). Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması. Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Mühendislik Dergisi 9(2). ss.689-700.
