Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması
dc.authorid | 0000-0002-3785-6190 | en_US |
dc.contributor.author | Güllü, Ömer | |
dc.date.accessioned | 2021-04-14T06:09:49Z | |
dc.date.available | 2021-04-14T06:09:49Z | |
dc.date.issued | 2018-09-25 | en_US |
dc.department | Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü | en_US |
dc.description.abstract | Bu çalışmada π bağları açısından zengin organik molekülün (Nigrosin (NIG)) optik özellikleri UV-Vis yöntemiyle belirlendi. Cam altlık üzerinde damlatma yöntemi ile büyütülen NIG ince tabakasının direkt yasak enerji değerleri; 1,42 eV (Q bandı) ve 2,94 eV (B bandı) olarak rapor edildi. Oluşturulan referans Al/p-Si ve Al/NIG/p-Si Metal/Organik aratabaka/Yarıiletken (MIS) yapılarının I-V ölçümleri sonunda tüm yapıların doğrultucu özelliğe sahip oldukları gözlemlendi. Oda sıcaklığında alınan I-V ölçümleri kullanılarak yapıların karakteristik diyot özellikleri belirlendi. Burada Al/NIG/p-Si diyotunun kapasitör özelliği, C-V ölçümleri alınarak incelendi ve yapılan hesaplamalar sonucunda bazı diyot parametreleri elde edildi. Elde edilen sonuçlar, π bağları açısından zengin olan NIG gibi organik malzemelerin elektronik sahasında kullanılabileceğini gösterdi. | en_US |
dc.identifier.citation | Güllü, Ö. (2018). Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması. Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Mühendislik Dergisi 9(2). ss.689-700. | en_US |
dc.identifier.endpage | 700 | en_US |
dc.identifier.issn | 1309-8640 | |
dc.identifier.issue | 2 | en_US |
dc.identifier.startpage | 689 | en_US |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12402/2865 | |
dc.identifier.volume | 9 | en_US |
dc.identifier.wosquality | N/A | en_US |
dc.indekslendigikaynak | TR-Dizin | en_US |
dc.language.iso | tr | en_US |
dc.publisher | Dicle Üniversitesi | en_US |
dc.relation.journal | Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Mühendislik Dergisi | en_US |
dc.relation.publicationcategory | Makale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı | en_US |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/us/ | * |
dc.subject | Nigrosin | en_US |
dc.subject | MIS Diyot | en_US |
dc.subject | I-V | en_US |
dc.subject | C-V | en_US |
dc.title | Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Dosyalar
Orijinal paket
1 - 1 / 1
Yükleniyor...
- İsim:
- Al-Nigrosin-p-Si Yap__lar__n Fabrikasyonu ve Temel Diyot Parametrelerinin Hesaplanmas__[#458257]-532399.pdf
- Boyut:
- 1.08 MB
- Biçim:
- Adobe Portable Document Format
- Açıklama:
- Tam Metin / Full Text
Lisans paketi
1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
- İsim:
- license.txt
- Boyut:
- 1.44 KB
- Biçim:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Açıklama: