Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması

dc.authorid0000-0002-3785-6190en_US
dc.contributor.authorGüllü, Ömer
dc.date.accessioned2021-04-14T06:09:49Z
dc.date.available2021-04-14T06:09:49Z
dc.date.issued2018-09-25en_US
dc.departmentBatman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümüen_US
dc.description.abstractBu çalışmada π bağları açısından zengin organik molekülün (Nigrosin (NIG)) optik özellikleri UV-Vis yöntemiyle belirlendi. Cam altlık üzerinde damlatma yöntemi ile büyütülen NIG ince tabakasının direkt yasak enerji değerleri; 1,42 eV (Q bandı) ve 2,94 eV (B bandı) olarak rapor edildi. Oluşturulan referans Al/p-Si ve Al/NIG/p-Si Metal/Organik aratabaka/Yarıiletken (MIS) yapılarının I-V ölçümleri sonunda tüm yapıların doğrultucu özelliğe sahip oldukları gözlemlendi. Oda sıcaklığında alınan I-V ölçümleri kullanılarak yapıların karakteristik diyot özellikleri belirlendi. Burada Al/NIG/p-Si diyotunun kapasitör özelliği, C-V ölçümleri alınarak incelendi ve yapılan hesaplamalar sonucunda bazı diyot parametreleri elde edildi. Elde edilen sonuçlar, π bağları açısından zengin olan NIG gibi organik malzemelerin elektronik sahasında kullanılabileceğini gösterdi.en_US
dc.identifier.citationGüllü, Ö. (2018). Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması. Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Mühendislik Dergisi 9(2). ss.689-700.en_US
dc.identifier.endpage700en_US
dc.identifier.issn1309-8640
dc.identifier.issue2en_US
dc.identifier.startpage689en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/2865
dc.identifier.volume9en_US
dc.identifier.wosqualityN/Aen_US
dc.indekslendigikaynakTR-Dizinen_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherDicle Üniversitesien_US
dc.relation.journalDicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Mühendislik Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessen_US
dc.rightsAttribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 United States*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/us/*
dc.subjectNigrosinen_US
dc.subjectMIS Diyoten_US
dc.subjectI-Ven_US
dc.subjectC-Ven_US
dc.titleAl/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanmasıen_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Yükleniyor...
Küçük Resim
İsim:
Al-Nigrosin-p-Si Yap__lar__n Fabrikasyonu ve Temel Diyot Parametrelerinin Hesaplanmas__[#458257]-532399.pdf
Boyut:
1.08 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama: