Organometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/P-Sİ heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu
Yükleniyor...
Tarih
2024-07-12
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu çalışmada, Al/p-Si diyotu ve OMC organometalik ince film ara tabakalı Al/OMC/p-Si diyotunun elektriksel karakteristikleri çıkarılarak ara tabakanın diyotun elektriksel özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Bu amaçla akım-gerilim ve kapasite-gerilim ölçümleri yanı sıra, diyotların fotovoltaik özellikleri de 100 mW/cm² ışık gücü altında incelenmiştir. Al/p-Si ve Al/OMC/p-Si diyotunun için idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB) doyma akımı (I0) hesaplandı. Diyotların karanlıkta ± 2 volttaki doğrultma oranları hesaplandı. Diyotların ışığa duyarlılıkları belirlendi. Sonuçlar, OMC ara tabakasının varlığının diyotların elektriksel parametrelerini değiştirdiğini ve ışık altında foto hassasiyetlerini artırdığını göstermektedir. Bu bulgular, diyotların optoelektriksel performanslarının iyileştirilmesi için OMC ara tabakasının önemli bir rol oynadığını ortaya koymaktadır.
In this study, the electrical characteristics of Al/p-Si diode and the Al/OMC/p-Si diode with an organometallic thin film (OMC) interlayer were examined, focusing on the effect of the interlayer on the diode’s electrical properties. For this purpose, current-voltage and capacitance-voltage measurements were conducted, as well as the examination of the photovoltaic properties of the diodes under 100 mW/cm² light intensity. The ideality factor (n), barrier height (ΦB), and saturation current (I0) of both Al/p-Si and Al/OMC/p-Si diodes were calculated. The rectification ratios of the diodes in the dark at ±2 volts were computed. The light sensitivity of the diodes was determined. The results demonstrate that the presence of the OMC interlayer modifies the electrical parameters of the diodes and enhances their photosensitivity under light exposure. These findings indicate that the OMC interlayer plays a significant role in improving the optoelectronic performance of the diodes.
In this study, the electrical characteristics of Al/p-Si diode and the Al/OMC/p-Si diode with an organometallic thin film (OMC) interlayer were examined, focusing on the effect of the interlayer on the diode’s electrical properties. For this purpose, current-voltage and capacitance-voltage measurements were conducted, as well as the examination of the photovoltaic properties of the diodes under 100 mW/cm² light intensity. The ideality factor (n), barrier height (ΦB), and saturation current (I0) of both Al/p-Si and Al/OMC/p-Si diodes were calculated. The rectification ratios of the diodes in the dark at ±2 volts were computed. The light sensitivity of the diodes was determined. The results demonstrate that the presence of the OMC interlayer modifies the electrical parameters of the diodes and enhances their photosensitivity under light exposure. These findings indicate that the OMC interlayer plays a significant role in improving the optoelectronic performance of the diodes.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Elektriksel Karakterizasyon, Heteroeklem, İdealite Faktörü, OMC, Organometalik Kompleks, Electrical Characterization, Heterojunction, Ideality Factor, Organometallic Complex
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Doğmuş, T. (2024). Organometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/P-Sİ heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.
