Organometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/P-Sİ heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0009-0008-3536-4871
dc.contributor.advisorÖzaydın, Cihat
dc.contributor.authorDoğmuş, Tevfik
dc.date.accessioned2024-08-12T10:18:16Z
dc.date.available2024-08-12T10:18:16Z
dc.date.issued2024-07-12
dc.departmentBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı
dc.description.abstractBu çalışmada, Al/p-Si diyotu ve OMC organometalik ince film ara tabakalı Al/OMC/p-Si diyotunun elektriksel karakteristikleri çıkarılarak ara tabakanın diyotun elektriksel özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Bu amaçla akım-gerilim ve kapasite-gerilim ölçümleri yanı sıra, diyotların fotovoltaik özellikleri de 100 mW/cm² ışık gücü altında incelenmiştir. Al/p-Si ve Al/OMC/p-Si diyotunun için idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB) doyma akımı (I0) hesaplandı. Diyotların karanlıkta ± 2 volttaki doğrultma oranları hesaplandı. Diyotların ışığa duyarlılıkları belirlendi. Sonuçlar, OMC ara tabakasının varlığının diyotların elektriksel parametrelerini değiştirdiğini ve ışık altında foto hassasiyetlerini artırdığını göstermektedir. Bu bulgular, diyotların optoelektriksel performanslarının iyileştirilmesi için OMC ara tabakasının önemli bir rol oynadığını ortaya koymaktadır.
dc.description.abstractIn this study, the electrical characteristics of Al/p-Si diode and the Al/OMC/p-Si diode with an organometallic thin film (OMC) interlayer were examined, focusing on the effect of the interlayer on the diode’s electrical properties. For this purpose, current-voltage and capacitance-voltage measurements were conducted, as well as the examination of the photovoltaic properties of the diodes under 100 mW/cm² light intensity. The ideality factor (n), barrier height (ΦB), and saturation current (I0) of both Al/p-Si and Al/OMC/p-Si diodes were calculated. The rectification ratios of the diodes in the dark at ±2 volts were computed. The light sensitivity of the diodes was determined. The results demonstrate that the presence of the OMC interlayer modifies the electrical parameters of the diodes and enhances their photosensitivity under light exposure. These findings indicate that the OMC interlayer plays a significant role in improving the optoelectronic performance of the diodes.
dc.identifier.citationDoğmuş, T. (2024). Organometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/P-Sİ heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12402/4612
dc.language.isotr
dc.publisherBatman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectElektriksel Karakterizasyon
dc.subjectHeteroeklem
dc.subjectİdealite Faktörü
dc.subjectOMC
dc.subjectOrganometalik Kompleks
dc.subjectElectrical Characterization
dc.subjectHeterojunction
dc.subjectIdeality Factor
dc.subjectOrganometallic Complex
dc.titleOrganometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/P-Sİ heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu
dc.title.alternativeFabrication and characterization of OMC/P-SI heterojunction diode with an organometallic complex (OMC) interlayer
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
TAM METİN - FULL TEXT.pdf
Boyut:
1.31 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.17 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, Tez Koleksiyonu