Al katkılı ZrO2 oksit tabanlı MOS yapıların elektriksel karakterizasyonu
Yükleniyor...
Tarih
2025-02-09
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tez çalışmasında oksit arayüzeyi katkısız ve %1, %5, %10 alüminyum (Al) katkılı Al/ZrO2/p-Si metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapıların elektriksel özellikleri incelenmiştir. Oksit tabakası ZrO2 kimyasal banyo depolama tekniği kullanılarak p tipi silisyum üzerine büyütülmüştür. Öncelik büyütülmüş ZrO2 ince filmin yapısal analizi x-ışını kırınım difraktometresi (XRD) ile yapılmıştır. Daha sonra tüm Al/ZrO2/p-Si (MOS) yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlık altında gerçekleştirilmiştir. I-V ölçümlerinden faydalanarak diyot elektriksel parametreleri tayin edilmiştir. Yine I-V ölçümlerinden Norde ve Cheung yöntemi kullanılarak yapıların seri direnç etkileri belirlenmiştir. Belirlenen parametreler literatürde karşılaştırılarak Al katkısının etkisi raporlanmıştır.
In this thesis, the electrical properties of Al/ZrO2/p-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) structures with undoped oxide interface and doped with 1%, 5%, 10% aluminum (Al) were investigated. The oxide layer was grown on p-type silicon using ZrO2 chemical bath deposition technique. Structural analysis of the pre-grown ZrO2 thin film was performed by x-ray diffraction diffractometer (XRD). Then current-voltage (I-V) measurements of all Al/ZrO2/p-Si (MOS) structures were performed at room temperature and under darkness. The diode electrical parameters were determined by utilizing the I-V measurements. Again, the series resistance effects of the structures were determined using the Norde and Cheung method from I-V measurements. The effect of Al doping is reported by comparing the determined parameters in the literature.
In this thesis, the electrical properties of Al/ZrO2/p-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) structures with undoped oxide interface and doped with 1%, 5%, 10% aluminum (Al) were investigated. The oxide layer was grown on p-type silicon using ZrO2 chemical bath deposition technique. Structural analysis of the pre-grown ZrO2 thin film was performed by x-ray diffraction diffractometer (XRD). Then current-voltage (I-V) measurements of all Al/ZrO2/p-Si (MOS) structures were performed at room temperature and under darkness. The diode electrical parameters were determined by utilizing the I-V measurements. Again, the series resistance effects of the structures were determined using the Norde and Cheung method from I-V measurements. The effect of Al doping is reported by comparing the determined parameters in the literature.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Akım-Gerilim, MOS, Seri Direnç, ZrO2, Current-Voltage, Series Resistance
Kaynak
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
Sayı
Künye
Odunveren, R. (2025). Al katkılı ZrO2 oksit tabanlı MOS yapıların elektriksel karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman.
