Al katkılı ZrO2 oksit tabanlı MOS yapıların elektriksel karakterizasyonu
| dc.authorid | 0009-0007-6291-0180 | |
| dc.contributor.advisor | Pakma, Osman | |
| dc.contributor.author | Odunveren, Remzi | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-19T06:52:45Z | |
| dc.date.available | 2025-02-19T06:52:45Z | |
| dc.date.issued | 2025-02-09 | |
| dc.department | Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı | |
| dc.description.abstract | Bu tez çalışmasında oksit arayüzeyi katkısız ve %1, %5, %10 alüminyum (Al) katkılı Al/ZrO2/p-Si metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapıların elektriksel özellikleri incelenmiştir. Oksit tabakası ZrO2 kimyasal banyo depolama tekniği kullanılarak p tipi silisyum üzerine büyütülmüştür. Öncelik büyütülmüş ZrO2 ince filmin yapısal analizi x-ışını kırınım difraktometresi (XRD) ile yapılmıştır. Daha sonra tüm Al/ZrO2/p-Si (MOS) yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlık altında gerçekleştirilmiştir. I-V ölçümlerinden faydalanarak diyot elektriksel parametreleri tayin edilmiştir. Yine I-V ölçümlerinden Norde ve Cheung yöntemi kullanılarak yapıların seri direnç etkileri belirlenmiştir. Belirlenen parametreler literatürde karşılaştırılarak Al katkısının etkisi raporlanmıştır. | |
| dc.description.abstract | In this thesis, the electrical properties of Al/ZrO2/p-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) structures with undoped oxide interface and doped with 1%, 5%, 10% aluminum (Al) were investigated. The oxide layer was grown on p-type silicon using ZrO2 chemical bath deposition technique. Structural analysis of the pre-grown ZrO2 thin film was performed by x-ray diffraction diffractometer (XRD). Then current-voltage (I-V) measurements of all Al/ZrO2/p-Si (MOS) structures were performed at room temperature and under darkness. The diode electrical parameters were determined by utilizing the I-V measurements. Again, the series resistance effects of the structures were determined using the Norde and Cheung method from I-V measurements. The effect of Al doping is reported by comparing the determined parameters in the literature. | |
| dc.identifier.citation | Odunveren, R. (2025). Al katkılı ZrO2 oksit tabanlı MOS yapıların elektriksel karakterizasyonu. (Yayınlanmamış Yüksek Lisans Tezi). Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Batman. | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12402/4857 | |
| dc.language.iso | tr | |
| dc.publisher | Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü | |
| dc.relation.publicationcategory | Tez | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | Akım-Gerilim | |
| dc.subject | MOS | |
| dc.subject | Seri Direnç | |
| dc.subject | ZrO2 | |
| dc.subject | Current-Voltage | |
| dc.subject | Series Resistance | |
| dc.title | Al katkılı ZrO2 oksit tabanlı MOS yapıların elektriksel karakterizasyonu | |
| dc.title.alternative | Electrical characterization of Al doped ZrO2 oxide based MOS structures | |
| dc.type | Master Thesis |
