Filtreler

2015 - 20194
Filtreleri Sıfırla

Ayarlar

Yazar: Güllü, Ömer × Dil: tr ×

Arama Sonuçları

Listeleniyor 1 - 4 / 4
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Organometalik mangan kompleks ince filminin bazı optik özellikleri ve fotovoltaik diyot uygulaması
    (Ubek Yayınevi, 2019-11) Güllü, Ömer; Özaydın, Cihat; Özaydın, Mizgin Tutşi
  • Küçük Resim
    Öğe
    Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması
    (Dicle Üniversitesi, 2018-09-25) Güllü, Ömer
    Bu çalışmada π bağları açısından zengin organik molekülün (Nigrosin (NIG)) optik özellikleri UV-Vis yöntemiyle belirlendi. Cam altlık üzerinde damlatma yöntemi ile büyütülen NIG ince tabakasının direkt yasak enerji değerleri; 1,42 eV (Q bandı) ve 2,94 eV (B bandı) olarak rapor edildi. Oluşturulan referans Al/p-Si ve Al/NIG/p-Si Metal/Organik aratabaka/Yarıiletken (MIS) yapılarının I-V ölçümleri sonunda tüm yapıların doğrultucu özelliğe sahip oldukları gözlemlendi. Oda sıcaklığında alınan I-V ölçümleri kullanılarak yapıların karakteristik diyot özellikleri belirlendi. Burada Al/NIG/p-Si diyotunun kapasitör özelliği, C-V ölçümleri alınarak incelendi ve yapılan hesaplamalar sonucunda bazı diyot parametreleri elde edildi. Elde edilen sonuçlar, π bağları açısından zengin olan NIG gibi organik malzemelerin elektronik sahasında kullanılabileceğini gösterdi.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
  • Küçük Resim
    Öğe
    Organik arayüzey tabakalı Al/CuPc /p-InP kontakların fabrikasyonu ve elektriksel parametrelerinin incelenmesi
    (Batman Üniversitesi, 2015-07-01) Aslan, Filiz; Güllü, Ömer; Ocak, Yusuf Selim; Rüzgar, Şerif; Tombak, Ahmet; Özaydın, Cihat; Pakma, Osman; Arsel, İsmail
    Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.