Filtreler

2013 - 20152
Filtreleri Sıfırla

Ayarlar

Yazar: Rüzgar, Şerif × search.filters.applied.f.publicationcategory: Makale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanı ×

Arama Sonuçları

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    Characterization of an Au/n-Si photovoltaic structure with an organic thin film
    (Elsevier, 2013-08) Özaydın, Cihat; Akkılıç, Kemal; İlhan, Salih; Rüzgar, Şerif; Güllü, Ömer; Temel, Hamdi
    We demonstrate that a copper(II) organic complex can control the electrical characteristics of conventional Au/n-Si metal-semiconductor (MS) contacts. We investigated the electronic and photovoltaic properties of a Cu(II) complex/n-Si heterojunction diode. The ideality factor n and barrier height Φb of the diode were 2.22 and 0.736 eV, respectively. An ideality factor greater than unity indicates that the diode exhibits non-ideal current-voltage behavior. This behavior results from the effect of series resistance and the presence of an interfacial layer. The series resistance and barrier height determined using Norde's method were 6.7 kΩ and 0.77 eV, respectively. The device showed photovoltaic behavior, with a maximum open-circuit voltage of 0.24 V and a short circuit current of 1.7 μA under light of 8 mW/cm2.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Organik arayüzey tabakalı Al/CuPc /p-InP kontakların fabrikasyonu ve elektriksel parametrelerinin incelenmesi
    (Batman Üniversitesi, 2015-07-01) Aslan, Filiz; Güllü, Ömer; Ocak, Yusuf Selim; Rüzgar, Şerif; Tombak, Ahmet; Özaydın, Cihat; Pakma, Osman; Arsel, İsmail
    Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.