15 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 10 / 15
Öğe An analysis of biodiesel requirement, production and policies in Turkey(e-Journal of New World Sciences Academy, 2008-02-01) Aydın, Hüseyin; Bayındır, HasanThe development of alternative fuels from renewable resources, like biomass, has gained considerable attention in recent years. A biodiesel program would give many benefits in terms of generation of employment for poor/rural people, farmers, accelerate of starting many type of industries for developing countries like Turkey. This paper investigates current status of biodiesel in Turkey, advantages and disadvantages of biodiesel in diesel engines, annual diesel fuel consumption, import and export ratings and annual diesel fuel demand. The main focus of this paper is on Turkey’s current fuel status and to clarify Turkey’s biodiesel demand as alternative to fossil diesel fuel. Results show that Turkey is highly in need of alternative energies such as bio-fuels. That’s way it is recommended that Turkey should promote oilseed crops farming to the rise production of biodiesel.Öğe Hayvansal iç yağlardan transesterifikasyon reaksiyonu ile biyodizel üretilmesi(Doğu Anadolu Bölgesi Araştırma ve Uygulama Merkezi, 2008-07-31) Altun, Şehmus; Öner, CengizHayvansal yağlar normal çevre sıcaklığında katı ve çok viskozdurlar. Yüksek viskozitelerinden dolayı dizel motorlarında kullanılmadan önce modifiye edilmeleri gerekmektedir. Hayvansal yağların dizel motorlarında kullanılabilirliliğini iyileştirmek için emülsiyon ve transesterifikasyon etkili iki yöntemdir. Bu çalışmada hayvansal iç yağlardan baz katalizörlü transesterifikasyon ile %99.7 saflıkta metil alkol ve katalizör olarak %98 saflıkta NaOH kullanılarak hayvansal iç yağı metil esteri (biyodizel) üretilmiştir. Hayvansal iç yağı, metil ester şekline dönüştükten sonra viskozitesi önemli ölçüde azalmış ve oda sıcaklığında sıvı fazında bir yakıt elde edilmiştir. Biyodizelin belirlenen yakıt özellikleri ASTM standartlarında olup, viskozitesi ve yoğunluğu dizel yakıtına yakın, ısıl değeri ise %8 daha düşük çıkmıştır.Öğe Dairesel kesitli bir borunun girişine yerleştirilen delikli sabit kanatçıklı dönme üreticinin ısı geçişi ve basınç düşüşüne etkileri(Pamukkale Üniversitesi, 2006-02-01) Argunhan, Zeki; Yıldız, CengizBu çalışmada iç içe borulu ısı değiştirgecinde farklı delik sayılı dönme üreticilerin ısı transferine ve basınç düşüşüne etkisi deneysel olarak araştırılmıştır. Bu amaçla değiştirgecin 60 mm çapındaki iç borunun girişine 55º kanat açısına sahip ve kanatlarında birer, ikişer, üçer ve dörder adet dairesel delikler bulunan dönme üreticiler yerleştirilerek deneyler yapılmıştır. Bunlar iç borunun girişine rahat takılıp sökülebilecek şekilde dizayn edilmişlerdir. İç borunun içinden sıcak akışkan olarak hava, iç borunun dışından ise soğuk akışkan olarak su geçmektedir.Öğe Diyarbakır ilinde çok fonksiyonlu güneş enerjili kurutma sistemi oluşturulması üzerine bir araştırma(TMMOB Elektrik Mühendisleri Odası, 2009) Aydın, Hüseyin; Bayındır, Hasan; Tosun, NerminGeleneksel olarak kullanılan en yaygın kurutma şekli güneş altında sererek yapılan kurutmadır. Kurutma, enerji girdisi yüksek olan bir işlemdir. 1980’lerden itibaren enerji fiyatlarındaki artış, kirliliğin önlenmesi üzerine yapılan yasal düzenlemeler, sa÷lÕ÷a uygun ortamda gÕda üretimi gibi konular önem arz etmektedir. Kurutma için harcanan enerji tüketimini azaltmak ve yenilenebilir enerji kaynaklarÕndan olan güneú enerjisinden daha çok yararlanmak üzere çeúitli kurutma yöntemleri geliútirilmektedir. Bu çalÕúma kapsamÕnda tek enerji kayna÷Õ olarak güneúin kullanÕldÕ÷Õ bir gÕda kurutma sistemi oluúturulmuútur. ømal edilen kurutma sistemi ile gÕda ürünlerinin olumsuz (toz, is, kurum, gaz emisyonlarÕ, böcek vs.) çevresel koúullardan etkilenmeden ve güneú ÕúÕnlarÕna direkt maruz kalmadan kurutulmasÕ amaçlanmÕútÕr. Güneú fÕrÕnÕ adÕ da verilebilen bu kurutma sisteminin iç sÕcaklÕ÷Õ belli derecelerde tutularak mevsimine göre incir, üzüm, domates, patlÕcan, biber, kabak, salça vb. gÕdalar fiziksel kalite ve özellikleri bozulmadan güneú enerjisi ile ekolojik olarak kurutulabilecektir. Bu sistemde ilk olarak salça kurutma denemesi yapÕlmÕútÕr.Öğe Çatlak bulunan izotropik dökme demir levhada gerilme analizinin incelenmesi(Karabük Üniversitesi, 2009-05) Adin, Hamit; İşcan, Bahattin; Turgut, AydınBu çalışmada, eksenel yüke maruz ve içinde yüke dik çatlak bulunan izotropik bir levhada gerilme analizi yapılmıştır. Çalışmada sonlu elemanlar metodu kullanılarak sayısal çözüm yapılmıştır. Çözümde SAP2000 programı kullanılmıştır. Çalışmada gerilme dağılımlarının hassasiyeti açısından levhanın boyutları küçük alınmıştır. Bu küçük levha sonlu küçük parçalara bölünüp uygulanan yük iki ayrı şiddette, tekil ve düzgün yayılı olarak uygulanmıştır. Uygulanan yükün dışında çatlak genişliği de değişken olarak alınmıştır. Levhanın malzemesi dökme demir olarak ele alınırken diğer parametreler değiştirilerek program çalıştırılmaktadır. Bu analizler sonucunda program, levhadaki gerilme dağılımlarını diyagram halinde vermektedir. Diyagramlardan çatlağın uç kısımlarında büyük gerilme yığılmaları olduğu görülmüştür.Öğe Pamuk yağı metil esterinin bir dizel motorunda değişik yük ve devirlerde egzoz emisyonlarına etkilerinin araştırılması(Ege Üniversitesi, 2008-06) Aydın, Hüseyin; Bayındır, HasanÖğe Electrical analysis of organic interlayer based metal/interlayer/semiconductor diode structures(Journal of Applied Physics, 2009-01) Güllü, Ömer; Turut, AbdulmecitIn this work, metal/interlayer/semiconductor (MIS) diodes formed by coating of an organic film to p-Si semiconductor substrate were prepared. Metal(Al)/interlayer (phenolsulfonphthalein=PSP)/semiconductor(p-Si) MIS device had a good rectifying behavior. By using the forward bias I-V characteristics, the values of ideality factor (n) and barrier height (Phi(b)) for the Al/PSP/p-Si MIS diode were obtained as 1.45 and 0.81 eV, respectively. It was seen that the Phi(b) value of 0.81 eV calculated for the Al/PSP/p-Si MIS diode was significantly larger than value of 0.50 eV of conventional Al/p-Si Schottky diodes. Modification of the interfacial potential barrier of Al/p-Si diode was achieved by using a thin interlayer of the PSP organic material. This has been attributed to the fact that the PSP organic interlayer increases the effective barrier height by influencing the space-charge region of Si. The interface-state density of the MIS diode was determined, and the interface-state density was found to vary from 3.00 x 10(13) to 2.99 x 10(12) eV(-1) cm(-2). (C) 2009 American Institute of Physics.Öğe Electrical characteristics of Co/n-Si schottky barrier diodes using I – V and C – V measurements electrical characteristics of Co/n-Si schottky barrier diodes using I – V and C – V measurements(Chinese Physics Letters, 2009-06) Güllü, Ömer; Güler, Gülşen; Karataş, Şükrü; Bakkaloğlu, Ömer FarukElectrical characteristics of Co/n-Si Schottky barrier diodes are analysed by current-voltage (I – V) and capacitance-voltage (C – V) techniques at room temperature. The electronic parameters such as ideality factor, barrier height and average series resistance are determined. The barrier height 0.76eV obtained from the C – V measurements is higher than that of the value 0.70eV obtained from the I – V measurements. The series resistance RS and the ideality factor n are determined from the d ln(I)/dV plot and are found to be 193.62Ω, and 1.34, respectively. The barrier height and the RS value are calculated from the H(I) – I plot and are found to be 0.71 eV and 205.95Ω. Furthermore, the energy distribution of the interface state density is determined from the forward bias I – V characteristics by taking into account the bias dependence of the effective barrier height. The interface state density Nss ranges from 6.484 × 1011 cm−2eV−1 in (EC – 0.446) eV to 2.801 × 1010 cm−2eV−1 in (EC – 0.631) eV, of the Co/n-Si Schottky barrier diode. The results show the presence of a thin interfacial layer between the metal and the semiconductor.Öğe Fındık yağı biyodizelinin alternatif yakıt olarak bir dizel motorunda kullanılması(Doğu Anadolu Bölgesi Araştırma ve Uygulama Merkezi, 2008-03-30) Altun, Şehmus; Öner, Cengiz; Keven, ArzuBiyodizel, bitkisel ve hayvansal yağlar gibi yenilenebilir hammaddelerden üretilebilen alternatif dizel motor yakıtıdır. Bu çalışmada bir bitkisel yağ olan ham fındık yağından esterifikasyon ile fındık yağı etil esteri (biyodizel) elde edilmiş ve bu yakıtın dört zamanlı, tek silindirli, direk enjeksiyonlu ve hava soğutmalı bir dizel motorunda alternatif yakıt olarak kullanılabilirliği araştırılmıştır. Yapılan testlerde fındık yağı etil esterlerinin çok düşük olan viskozitesinden dolayı saf olarak kullanılamadığı görülmüştür. Bu nedenle fındık yağı etil esteri motorin ile hacimsel olarak %50 oranında karıştırılarak tekrar kullanılmıştır. Dizel yakıtı ile karşılaştırılma yapılırsa yakıt karışımı kullanıldığında motor performans değerlerinde iyileşme olduğu, ancak NOx emisyonunun da arttığı görülmüştür.Öğe Analysis of the series resistance and interface state densities in metal semiconductor structures(Journal of Physics: Conference Series, 2009-03) Güllü, Ömer; Karataş, Şükrü; Güler, Gülşen; Bakkaloğlu, Ömer FarukThe electrical properties of Co/n-Si metal-semiconductor (MS) Schottky structure investigated at room temperature using current-voltage (I-V) characteristics. The characteristic parameters of the structure such as barrier height, ideality factor and series resistance have been determined from the I-V measurements. The values of barrier height obtained from Norde’s function were compared with those from Cheung functions, and it was seen that there was a good agreement between barrier heights from both methods. The series resistance values calculated with Cheung’s two methods were compared and seen that there was an agreement with each other. However, the values of series resistance obtained from Cheung functions and Norde’s functions are not agreeing with each other. Because, Cheung functions are only applied to the non-linear region (high voltage region) of the forward bias I–V characteristics. Furthermore, the energy distribution of interface state density was determined from the forward bias I-V characteristics by taking into account the bias dependence of the effective barrier height. The results show that the presence of thin interfacial layer between the metal and semiconductor
