3 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 3 / 3
Öğe Batman ilindeki ince film a-Si teknolojili fotovoltaik sistemin performans değerlendirmesi(Balıkesir Üniversitesi, 2018-07-17) Pakma, OsmanBu çalışmada Batman ilinde ince film a-Si teknolojisine sahip 2.16 kWp güce sahip şebeke bağlantılı sistemin bir yıllık elektrik enerjisi üretim verileri alınmış ve modüllerin performansı dış parametrelerde göz önüne alınarak değerlendirilmiştir. Sistem ölçümleri Ocak ayından Aralık ayına kadar tüm 2016 yılını kapsamaktadır. İnce film a-Si PV sistemden 2016 yılı süresince şebekeye 2.631 MWh enerji sağlanmıştır. Sistemin nihai verimi (Yf) 1.13 den 4.89 kWh/KWp/gün’e, performans oranı da (PO) %53 ile %78 arasında değişmektedir. Ortam ve buna bağlı olarak modül sıcaklıklarının sistem performansına etkisinin %6 - %9 arasında olduğu hesaplanmıştır. Ayrıca diğer sistem bölümlerinin de sistem performansı üzerinde değişen oranlarda etkili olduğu belirlenmiştir.Öğe Al/Nigrosin/p-Si yapıların fabrikasyonu ve temel diyot parametrelerinin hesaplanması(Dicle Üniversitesi, 2018-09-25) Güllü, ÖmerBu çalışmada π bağları açısından zengin organik molekülün (Nigrosin (NIG)) optik özellikleri UV-Vis yöntemiyle belirlendi. Cam altlık üzerinde damlatma yöntemi ile büyütülen NIG ince tabakasının direkt yasak enerji değerleri; 1,42 eV (Q bandı) ve 2,94 eV (B bandı) olarak rapor edildi. Oluşturulan referans Al/p-Si ve Al/NIG/p-Si Metal/Organik aratabaka/Yarıiletken (MIS) yapılarının I-V ölçümleri sonunda tüm yapıların doğrultucu özelliğe sahip oldukları gözlemlendi. Oda sıcaklığında alınan I-V ölçümleri kullanılarak yapıların karakteristik diyot özellikleri belirlendi. Burada Al/NIG/p-Si diyotunun kapasitör özelliği, C-V ölçümleri alınarak incelendi ve yapılan hesaplamalar sonucunda bazı diyot parametreleri elde edildi. Elde edilen sonuçlar, π bağları açısından zengin olan NIG gibi organik malzemelerin elektronik sahasında kullanılabileceğini gösterdi.Öğe Interface effects of annealing temperatures in Al/HfO2/p-Si (MIS) structures(Gazi Üniversitesi, 2017-09-20) Özden, Şadan; Pakma, OsmanIn this study, Al/HfO2/p-Si (MIS) structures were prepared by using the sol-gel method for three different annealing temperatures. The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of these structures were investigated by taking into consideration the effect of the interfacial insulator layer and surface states (Nss) at room temperature. All of the structures showed non-ideal I-V behaviour with ideality factor (n) in the range between 2.35 and 4.42 owing to interfacial insulator layer and surface states. The values of Nss and barrier height (fb) for three samples were calculated. The values of n and Nss ascend with increasing the insulator layer thickness (δ) while the values of fb decreases.
