Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 10 / 81
Öğe N-type InP Schottky diodes with organic thin layer: Electrical and interfacial properties(Journal of Vacuum Science & Technology B, 2010-03) Güllü, Ömer; Turut, AbdulmecitThe rectifying junction characteristics of methyl red (MR) organic film on n-type InP substrate have been studied. It has been observed that MR-based structure shows an excellent rectifying behavior and that the MR film increases the effective barrier height by influencing the space charge region of the n-type InP. The barrier height and ideality factor values for this structure have been obtained as 0.75 eV and 1.93 from the forward bias current-voltage characteristics, respectively. By using capacitance-voltage characteristics at 1 MHz, the barrier height and the carrier concentration values have been calculated as 0.93 eV and 5.13×1015 cm−3, respectively. The energy distributions of the interface states and their relaxation times have been determined from the forward bias capacitance-frequency and conductance-frequency characteristics. Moreover, it was seen that both the interface-state density and the relaxation time of the interface states decreased with bias voltage from experimental results.Öğe Design of PV energy system in Batman Turkey(AIP Conf.Proc., 2017) Pakma, Nilay; Pakma, Osman; Güllü, ÖmerÖğe Fabrication and electrical characterization of ZnO SiO2 p Si structure with outsized diode factor(European Union, 2010) Kavasoğlu, Neşe; Kavasoğlu, Abdülkadir Sertap; Pakma, Osman; Kabakçı, Murat; Birgi, Özcan; Oktik, ŞenerÖğe Temperature dependent electrical transport in Al/Poly(4-vinyl phenol)/ p -GaAs metal-oxide-semiconductor by sol-gel spin coating method(Hindawi, 2016-03-10) Özden, Şadan; Tozlu, Cem; Pakma, OsmanDeposition of poly(4-vinyl phenol) insulator layer is carried out by applying the spin coating technique onto p-type GaAs substrate so as to create Al/poly(4-vinyl phenol)/p-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. Temperature was set to 80-320 K while the current-voltage (I-V) characteristics of the structure were examined in the study. Ideality factor (n) and barrier height (φ b) values found in the experiment ranged from 3.13 and 0.616 eV (320 K) to 11.56 and 0.147 eV (80 K). Comparing the thermionic field emission theory and thermionic emission theory, the temperature dependent ideality factor behavior displayed that thermionic field emission theory is more valid than the latter. The calculated tunneling energy was 96 meV.Öğe Frequency dependent interface state properties of a schottky device based on coronene deposited on n-type silicon by spin coating technique(Ulusal Fotovoltaik Teknoloji Platformu, 2016) Yüksel, Ömer Faruk; Pakma, Osman; Tuğluoğlu, NihatÖğe Control of barrier heigth ofmetal/semiconductor contacts bymolecular organic film(2011-06) Güllü, Ömer; Turut, Abdulmecit; Kılıçoğlu, Tahsin; Özerden, EniseÖğe Batman ilindeki ince film a-Si teknolojili fotovoltaik sistemin performans değerlendirmesi(Balıkesir Üniversitesi, 2018-07-17) Pakma, OsmanBu çalışmada Batman ilinde ince film a-Si teknolojisine sahip 2.16 kWp güce sahip şebeke bağlantılı sistemin bir yıllık elektrik enerjisi üretim verileri alınmış ve modüllerin performansı dış parametrelerde göz önüne alınarak değerlendirilmiştir. Sistem ölçümleri Ocak ayından Aralık ayına kadar tüm 2016 yılını kapsamaktadır. İnce film a-Si PV sistemden 2016 yılı süresince şebekeye 2.631 MWh enerji sağlanmıştır. Sistemin nihai verimi (Yf) 1.13 den 4.89 kWh/KWp/gün’e, performans oranı da (PO) %53 ile %78 arasında değişmektedir. Ortam ve buna bağlı olarak modül sıcaklıklarının sistem performansına etkisinin %6 - %9 arasında olduğu hesaplanmıştır. Ayrıca diğer sistem bölümlerinin de sistem performansı üzerinde değişen oranlarda etkili olduğu belirlenmiştir.Öğe Ag-doped HfO2 thin films via sol–gel dip coating method(Springer Nature, 2019-10-01) Pakma, Osman; Kaval, Şehmus; Kari̇per, İshak AfşinIn this study, undoped and Ag-doped HfO2 thin films were deposited on glass substrates by means of sol–gel dip coating method. These films were then thermally annealed at 500 °C for 1 h. The structural and optical properties of undoped and Ag-doped HfO2 thin films were characterized by X-ray diffraction, UV–Vis spectrometry and scanning electron microscope. The results of this analysis were compared and interpreted with the results obtained in literature by various methods of coating with HfO2. The X-ray diffraction peaks of the films paired with monoclinic HfO2 crystalline peaks. The refractive indices of the films decreased with doping Ag, at 500 nm wavelengths. The optical band gap values of Ag-doped HfO2 thin films increased with doping Ag. The porous structures were observed on the surface films, especially with 5% Ag doping.Öğe Electronic properties of the Al/Orange G/n-Si junction(2017-04) Güllü, Ömer; Arsel, İsmailÖğe Sılar yöntemi kullanılarak pbo ince filminin üretimi ve pb/pbo/p-si mıs kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021-02-04) Erdem, Emine; Güllü, ÖmerSon yıllarda, metal oksit ince filmler yoğun bir şekilde piezoelektrik, elektronik, optronik cihazlar ve fotovoltik hücrelerde kullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında düşük maliyetli ve kontrolü oldukça kolay olan, SILAR ince film büyütme tekniği kullanılarak kurşun oksit (PbO) ince filmini mikroskop camı (lam) ve inorganik yarıiletken silisyum (Si) altlık üzerine büyütülmüştür. Kullanılan altlıklar uygun kimyasal temizleme işlemlerinden sonra SILAR tekniği ile kaplanmıştır. Kaplama işlemi çözeltiler 80℃’de tutularak yapılmıştır. Kaplama esnasında hem cam hem silisyum kristali (mat yüzey) 25 adımlık daldırma tur sayısı ile kaplanmıştır. Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturduktan sonra üst yüzeyine (parlak yüzey) Pb iletkeni fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak kontak oluşturulmuştur. Cam üzerinde oluşturulan PbO ince filmin optik, morfolojik ve yapısal özellikleri, araştırılmıştır. Oluşturulan Pb/PbO/p-Si MIS Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri karanlık ortamda akım-gerilim (I-V), 10kHz-2MHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V), kondüktans-gerilim (G-V) ve 1kHz-10MHz frekans aralığında kapasite-frekans (C-F) özellikleri incelenmiştir.
