28 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 10 / 28
Öğe CuOx ince film kalınlığının CuOx/n-Si hetero eklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-06-21) Durmaz, Ahmet; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada CuOx ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı.Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3.05-5.08 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0.64-0.71 arasında ve seri direnç değerleri 3-42Ω arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.Öğe Kobalt katkılı bakır oksit ince film tabanlı yapıların elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-04-29) Yıldız, Yusuf; Rüzgar, ŞerifSol jel döndürme kaplama yöntemi ile katkısız ve kobalt katkılı bakır oksit ince filmleri n tipi silisyum alttaşlar üzerine kaplanarak heteroeklem yapılar üretildi. Elde edilen bu heteroeklem yapıların fotoelektriksel özellikleri incelendi. Yapılan ölçümler sonucunda kobalt katkılandırmanın üretilen ince filmler üzerindeki etkisi araştırıldı. Üretilen bu yapıların I-V grafikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında çizilerek incelendi. I-V grafiklerini kullanarak bu diyotların idealite faktörü (η), bariyer yüksekliği (ΦB), doğrultma oranı (RR), Norde fonksiyonu yardımı ile seri dirençleri karanlık ve ışık altında hesaplandı. Bununla birlikte, 10 kHz – 1 MHz frekans aralığında C-V, Rs-V, G-V ile Dit grafikleri çizilip incelendi. Elde edilen diyotların ters beslem (C-2) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd(cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(C-V) (eV), Wd (nm), ∆Փb (eV) ve Emax (V/cm) parametreleri hesapladı. Elde edilen hesaplamalar sonucunda tüm elektriksel parametrelerin katkı miktarına kuvvetli bir şekilde bağlı olduğu gözlendi.Öğe Trimetilolpropane triakrilat (TMPTA) arayüze sahip metal-polimer-yarıiletken (MPS) aygıtların elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-06-10) Özenç, Mehmet Emin; Pakma, OsmanBu çalışmada Trimetilolpropane Triakrilat (TMPTA) Polimer arayüze sahip Metal-Polimer-Yarıiletken (MPS) aygıtların oda sıcaklığında akım - gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) analizleri incelenmiştir. Al/TMPTA/p-Si (MPS) yapısının karanlık altındaki akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirilerek; doğrultma oranı (RR), idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕB) ve seri direnç (Rs) gibi aygıt parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri ile diğer elektriksel parametreler belirlenmiştir. Sonuçlar literatür ile karşılaştırılmış, TMPTA fotopolimer organik arayüzey tabakasının MPS aygıtlarının fabrikasyonu için iyi bir aday olduğu görülmüştür.Öğe Silikon tabanlı pın diyotların elektriksel belirtkenlerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-06-10) Akın, Ersin; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında silikon tabanlı BPW41N (PIN) fotodiyotunun elektriksel karakterizasyonu gerçekleştirilerek, elektriksel parametreler belirlenmiş ve bu parametreler aracılığı ile baskın olan akım iletim mekanizması hakkında bilgi edilmeye çalışılmıştır. 80-300K sıcaklıkları arasında akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden PIN foto diyotumuzun uygulanan gerilim değeri ile seri direnç etkisine bağlı olarak sapma meydana geldiği görülmüştür. Baskın akım-iletim mekanizmasına göre elektriksel belirtkenler tayin edilmiştir. Ayrıca Norde ve Cheung metodundan yararlanarak aygıtımızın seri direnci belirlenmeye çalışılmıştır. Oda sıcaklığında Norde fonksiyonu ile seri direnç ve engel yüksekliği 147 Ω ve 0,881 eV ve Cheung metodu ile de seri direnç 2,77 ve 2,076 Ω, engel yüksekliği 2,083 Ω, ve 0,654 eV olarak hesaplanmıştır. Bu farklılıklar akım-iletim mekanizması ve yöntemlere bağlı olarak yorumlanmıştır.Öğe Sprey piroliz yöntemi kullanılarak TiO2 ince filminin üretimi ve metal/TiO2/Sİ MIS yapılarda uygulanması(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-07-10) Akkuş, Mehmet Murat; Güllü, ÖmerGünümüzde titanyum dioksit (TiO2), yapısal olarak beyaz toz halinde bulunan nano tanecikli yapısı ve ekonomik olması olağan üstü fiziksel ve kimyasal özellikleri nedeniyle en fazla araştırma yapılan metal oksit maddelerinden birisidir. Bu çalışmalarda titanyum dioksitin çok farklı kullanım alanlarına sahip olduğu görülmektedir. Gaz algılama, su arıtma, elektrokromik cihazlar, fotovoltaik hücre vb. gibi çok çeşitli uygulama alanları bulunmaktadır. Bu malzemeler, sol-jel, fiziksel buhar büyütme, kimyasal buhar büyütme ve elektrodepozisyon dahil olmak üzere farklı yöntemlerle sentezlenebilir. Bu tez çalışmasında sprey piroliz yöntemi kullanılmıştır. TiO2 ince tabakalar cam altlıklar ve inorganik yarıiletken Si (silisyum) altlık üzerine kaplanmıştır. Bu yöntem, düşük maliyetli ve kontrolü kolay bir yöntemdir. Altlıklar kimyasal temizleme işlemi yapıldıktan sonra sprey piroliz tekniği ile 25 cm yükseklikten yatay eksende 3 saniye hareketle cam altlık kaplanmıştır. Kaplama işlemi 80 ℃’de sabit sıcaklıkta tutularak yapılmıştır. Si kristali üzerine ince katmanlı tabaka oluşturulduktan sonra, üst tarafına Al metali fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırıldı. Bu çalışma sonucunda TiO2 ince tabakaların yoğun ve düzgün olduğu saptanmıştır. Cam altlık üzerine oluşturulan TİO2 ince katmanlı tabakanın morfolojik yapısı ve optik özellikleri araştırıldı. Metal/TiO2/Si diyot arayüzeyleri ve elektriksel özellikleri, karanlık ortamda akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile araştırılmıştır.Öğe Bazı mezojenik/nonmezojenik sıvı kristal karışımların termal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2021-08-27) Dindar, Sinan; Okumuş, MustafaSıvı kristaller katıların düzenli halini ve sıvıların akışkan halini birlikte gösterdiğinden teknolojik uygulamalarda oldukça ilgi çekici maddelerdir. Keşfi yüzyıl öncesine dayanmasına rağmen teknolojik ve endüstriyel anlamda kullanımı yenidir. Günümüzde birçok sıvı kristal karışım sentezlenmiştir ve sentezlenmeye de devam edilmektedir. Bu tez çalışmasında da nonmezojenik olan 4-Aminobenzoik asit (4ABA) ve 3-Aminobenzoik (3ABA) asitleri ile mezojenik 4-(Oktiloksi)benzoik asit (8OBA)’in karışımları üzerinde çalışılmıştır. Değişik oranda sıvı kristal karışımlar üretilmiş ve üretilen sıvı kristal karışımların sıvı kristalik özellikleri incelenmiş ve karakterizasyonu yapılmıştır. Karışımların termal analizleri için Diferansiyel Taramalı Kalorimetre (DSC) kullanılmıştır. Faz geçiş sıcaklıkları ve entalpileri gibi önemli özellikler tayin edilmiştir. Karışımların mikro yapı özellikleri X-Işınları Difraksiyonu (XRD) ile incelenmiştir. Kimyasal bağ durumları FTIR analizleriyle belirlenerek yorumlanmıştır. Karışımların sıvı kristalik faz tayini Polarize Optik Mikroskop (POM) ve DSC ile yapılmıştır. Elde edilen sonuçlara göre karışımlarının termal analizlerindeki faz geçişleri ve faz yapıları üretilen malzemelerin sıvı kristalik özellik gösterdiği anlaşılmıştır. DSC analizinde görülen geniş nematik alan aralığı özellikle teknolojik ve endüstriyel anlamda kullanılan sıvı kristallerde tercih edilen bir özelliktir. Karışımların ısıtma oranına bağlı faz geçiş sıcaklıkları ölçüldüğünde ısıtma oranı arttıkça faz geçiş sıcaklıkları çok az miktarda artmaktadır. Isıtma oranı artıkça, faz geçiş aralıklarında da artış gözlenmiştir. IR spektrumlarında gözlemlenen (O-H) pikleri ve (C=O) pik kaymaları, karışımı oluşturan maddeler arasında bir kompleksleşmeyi ve bu kompleksleşmenin de yeni bir sıvı kristal faz oluşturduğunu ifade etmiştir. IR spektroskopisinde gözlemlenen H bağı varlığı sentezlenen sıvı kristallerin monomerik yapıda olduğunu göstermektedir. XRD analizinde ölçülen bazal mesafe (tabakalar arası mesafe) karışımları oluşturan maddelerin bazal mesafe değerleri arasındadır. X ışınları kırınımındaki veriler sıvı kristal karışım moleküllerin monoklinik yapı oluşturduğunu göstermektedir. XRD grafiklerinde gözlenen keskin ve düzenli pikler karışımın kristal yapısının düzenli olduğunu göstermektedir.Öğe Gürültünün insan sağlığı üzerindeki etkileri ve Diyarbakır il merkezinde trafik kaynaklı gürültü düzeyleri ölçümü(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-09-25) Aslan, Cengiz; Çelik, Mehmet SalihÖzellikle hızlı kentleşme ve sanayileşme sürecinde birçok çevre sorunu da ortaya çıkmıştır. Bu süreçte en önemli faktör gürültü kirliliğidir. Şehirlerde meydana gelen gürültü kirliliğinin genel olarak motorlu taşıtlardan kaynaklı trafik oluşturmaktadır. Bu çalışmada Diyarbakır il merkezinde trafiğin yoğun olduğu kavşak ve yollardaki gürültü düzeylerinin saptanması, ilişkili faktörlerin belirlenmesi amaçlanmıştır. Ayrıca gürültünün insan sağlığına etkileri durulmuştur bu etkilerin sağlığa olan zararlarını; işitme bozukluğu, sesli iletişime etkisi, uyku bozukluğu psikolojik etkiler, performansa etkileri, psikolojik etkileri ve kardiyovasküler etkileri şeklinde incelenmiştir. Bu çalışmada kavşaklar ve ana arterler üzerinde gürültü ölçümü yapılacak 15 adet ölçüm noktası belirlenmiştir. Ölçüm noktalarında oluşan gürültü seviyeleri Mini Sound Level Meter marka gürültü ölçüm cihazı ile ölçülmüştür. Ölçümler sabah 07.00-09.00 saatleri, öğlenleri 12.00-14.00 saatleri, akşamları 19.00-21.00 saatleri arasında gerçekleşmiştir. Ölçümler gürültü düzeyi ölçülecek yolun veya kavşağın kenarında bulunan kaldırımların yola bakan kenarlarında, yerden 1,5m yükseklikte yapılmıştır. Çevresel gürültünün değerlendirilmesi ve yönetimi yönetmeliğinde (ÇGDYY) belirtilen sınır değerlerle karşılaştırılmıştır. Ölçüm yapılan noktalar Ç.G.D.Y.Y sınır düzeylerine göre değerlendirilmiştir. Bu çerçevede Diyarbakır il merkezindeki gürültü kirliliğinin azaltılması ve önlenmesi için gerekli öneriler sunulmuştur.Öğe Radyasyon sönümleme olayının 400 mhz nmr ile h2o-d2o çözeltilerinde ölçülen inversion recovery ve spin eko eğrileri üzerinden izlenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-01-21) Şimşek, Aydın; Yılmaz, AliGünümüzde kullanılan yüksek alan NMR spektrometrelerde elde edilen şiddetli proton mıknatıslanmaları, RF bobininde zararlı indüksiyon akımları oluşturmaktadır. Bu akımlar NMR piklerinin şeklini bozmakta ve durulma zamanlarının ölçümlerini zorlaştırmaktadır. Bu etkiye radyasyon sönümleme (radyasyon damping-RD) adı verilmektedir. Radyasyon sönümlemenin etkilerini ortadan kaldırmak için pek çok yöntem geliştirilmiştir. Ancak bu yöntemler hem ek elektronik donanım hem de ek bilgisayar programı kullanımını gerektirmektedir. Bu nedenle radyasyon sönümlemeye yol açan sinyali, diğer yöntemlerle küçültmek de önemlidir. Bu çalışmada su sinyalinin şiddetini, yüksek miktarda D2O ve az miktarda H2O kullanarak düşürmeye çalışan araştırmalar temel alınmıştır. Artan bekleme zamanı adımları, genişleyen ölçüm aralığı, ardışık gün ölçümleri, su miktarının arttırılması ve protein ekleme gibi faktörlerin RD üzerindeki etkilerini incelemek hedeflenmiştir. Bu gaye ile elektronik devre ve program kullanmadan, sinyal şiddetini düşürmeyi hedefleyen çalışmalara yol göstericilik de amaçlanmıştır. Bu amaçla, 0.1 ml H2O + 0.90 ml D2O içeren örneklerin inversion recovery (IR) eğrileri; artan bekleme zamanı adımları ve artan ölçüm zamanı aralıkları kullanılarak bulundu. Aynı çözeltinin IR eğrileri yine farklı bekleme zamanı adımları ve farklı ölçüm aralığı seçilerek peş peşe gün ve haftalarda ölçüldü. Aynı çözeltiye albümin eklenerek de IR eğrileri, değişik adımlar ve değişik ölçüm aralığı için bulundu. Ayrıca D2O çözeltisindeki H2O’nun oranı arttırılarak ve de değişik bekleme zamanı ile TE admları kullanılarak farklı ölçüm aralıkları için hem IR hem de SE (spin echo) eğrileri bulundu. Kullanılan adımlar ve ölçüm aralığı küçük iken IR yöntemiylepeş peşe ölçülen geri kazanım mıknatıslanmalarının sayısı fazla olmaktadır. Ancak bu durumda geri kazanılan mıknatıslanmaların şiddeti küçüktür ve zararlı indüksiyon akımının yarattığı mıknatıslanma baskındır. Bu nedenle de böyle ölçümlerde, iç içe giren pek çok IR eğrisi gözlemleniyor. Ölçüm aralığı büyüdükçe geri kazanılan mıknatıslanmaların şiddeti artıyor ve bu artış zararlı mıknatıslanmanın etkilerini azaltıyor. Bu tür ölçümlerde de IR eğrilerinin sayısı teke doğru azalıyor ve şekilleri nispeten düzeliyor. Hazırlanan örnekler üzerinde peş peşe günlerde yapılan ölçümlerden ise, IR profilinin değişmediği yani örneğin en az 15 gün değişmeden kaldığı ortaya kondu. Örnekteki suyu arttırmanın IR profilini bozduğu da gözlemlendi. Bu beklenen durumdur. Çünkü proton mıknatıslanmasının şiddeti artmaktadır. Örneğe albümin ekleme IR sinyalini düzeltici etki yapmaktadır. Çünkü protein artışı, 1/T2 yolu ile sinyali genişletmekte ve sinyal yüksekliğini küçültmektedir. SE ölçümleri için dar bir ölçüm aralığının seçilmesi, radyasyon sönümlemenin etkilerini azaltmaktadır. Bunun nedeni de küçük ölçüm aralığında, proton mıknatıslanmaların az defaze olmaları ve proton sinyal şiddetlerinin yüksek olmasıdır. Bu şiddettekieko mıknatıslanmaları, radyasyon sönümlemenin etkilerini azaltma rolü oynar. Bu çalışma ile geniş ölçüm aralığı, bekleme zamanları için büyük adım, çözeltide minimum su oranı ve çözeltiye protein ekleme gibi parametrelerin radyasyon sönümleme etkilerini küçültücü rol oynadığı sonucuna varılmıştır. SE ölçümlerinde ise dar ölçüm aralığının, RD etkilerini azalttığı sonucu elde edilmiştir.Öğe Al/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-01-04) Altunışık, Celal; Güllü, ÖmerBu çalışmada katıhal devre elemanları ve malzemeler üzerindeki ışınlama etkilerinin araştırılması, pek çok bilim insanı ve farklı ülkelerin uzay ajansları konuyla ilgili çalıştıkları için ilgi çekmektedir. Bir foton veya parçacık radyasyonu katıhal devre elemanlarına ve malzemelere uygulanırsa, sert bir bozulma ortaya çıkacaktır. Bu ışınlama prosedürü aşamasında, yarıiletken aygıtlar üzerinde kalıcı veya geçici bozulma durumu oluşabilecektir. Bu tez çalışmasında, MIS diyotun fabrikasyonu için p-tipi Silisyum yarıiletken alttaşlar kullanılmıştır. Kimyasal temizlik aşamasından sonra, Al/Congo Red (CR)/p-Si MIS diyot yapısı omik arka kontak ve Al üst kontağın metalizasyonu ile üretilmiştir. Si alttaşlar üzerinde organik CR ince filmi %0.2 lik etanol çözeltisi içeren congo red çözeltisinin kaplanmasıyla yapılmıştır. Al/CR/p Si MIS kontak üzerinde ışınlama etkisini araştırmak için, Co-60 γ- ışınlamasından önce ve sonra Akım Voltaj (IV) ve Kapasite-Gerilim (CV) ölçümleri alındı. I-V verilerinden geleneksel LnI-V karakteristikleri, Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) hesaplandı. Ayrıca, Al/CR/p-Si MIS kontağın arayüzey durum yoğunluğu (Nss) da hasaplandı. Aygıtın C-V ölçümlerinden difüzyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (Φb) ve akseptör yük konsanstrasyonu (Na) değerleri hesaplandı.Öğe Farklı kalınlıklarda sol jel yöntemi ile üretilen NiO ince filmlerinin NiO/n-Si heteroeklem yapısının elektriksel özellikleri üzerine etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-06-23) Nergiz, Kadir; Rüzgar, ŞerifBu çalışmada NiO ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı. Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3,29-7,05 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0,67-0,76 arasında ve seri direnç değerleri 270-4436 arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »
