5 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 5 / 5
Öğe Trimetilolpropane triakrilat (TMPTA) arayüze sahip metal-polimer-yarıiletken (MPS) aygıtların elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-06-10) Özenç, Mehmet Emin; Pakma, OsmanBu çalışmada Trimetilolpropane Triakrilat (TMPTA) Polimer arayüze sahip Metal-Polimer-Yarıiletken (MPS) aygıtların oda sıcaklığında akım - gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) analizleri incelenmiştir. Al/TMPTA/p-Si (MPS) yapısının karanlık altındaki akım-gerilim (I-V) ölçümleri gerçekleştirilerek; doğrultma oranı (RR), idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕB) ve seri direnç (Rs) gibi aygıt parametreleri belirlenmiştir. Ayrıca kapasite-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) ölçümleri ile diğer elektriksel parametreler belirlenmiştir. Sonuçlar literatür ile karşılaştırılmış, TMPTA fotopolimer organik arayüzey tabakasının MPS aygıtlarının fabrikasyonu için iyi bir aday olduğu görülmüştür.Öğe Silikon tabanlı pın diyotların elektriksel belirtkenlerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-06-10) Akın, Ersin; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında silikon tabanlı BPW41N (PIN) fotodiyotunun elektriksel karakterizasyonu gerçekleştirilerek, elektriksel parametreler belirlenmiş ve bu parametreler aracılığı ile baskın olan akım iletim mekanizması hakkında bilgi edilmeye çalışılmıştır. 80-300K sıcaklıkları arasında akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden PIN foto diyotumuzun uygulanan gerilim değeri ile seri direnç etkisine bağlı olarak sapma meydana geldiği görülmüştür. Baskın akım-iletim mekanizmasına göre elektriksel belirtkenler tayin edilmiştir. Ayrıca Norde ve Cheung metodundan yararlanarak aygıtımızın seri direnci belirlenmeye çalışılmıştır. Oda sıcaklığında Norde fonksiyonu ile seri direnç ve engel yüksekliği 147 Ω ve 0,881 eV ve Cheung metodu ile de seri direnç 2,77 ve 2,076 Ω, engel yüksekliği 2,083 Ω, ve 0,654 eV olarak hesaplanmıştır. Bu farklılıklar akım-iletim mekanizması ve yöntemlere bağlı olarak yorumlanmıştır.Öğe Tellüroksit (TeO2) arayüzeye sahip MOS yapıların elektriksel özelliklerin incelenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-26) Dönmez, Ebru; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında tellüroksit (TeO2) malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine termal buharlaştırma metoduyla katkılanarak Al/TeO2/p-Si metal/oksit/yarıiletken (MOS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle TeO2/p-Si oksit tabakasının X-ışını kırınım (XRD) metoduyla kristal yönelimleri tayin edilmiştir. Elde edilen Al/TeO2/p-Si (MOS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,55 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,76 eV olarak hesaplanmıştır. Yapımızın idealite faktörü değerinin 1’den büyük çıkması Al/p-Si arasındaki oksit arayüzey filminin varlığı ve arayüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Norde ve Cheung metoduyla da seri direnç (Rs) analizleri gerçekleştirilmiştir. Ayrıca Al/TeO2/p-Si (MOS) yapımızın frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; tellüroksit (TeO2) oksit malzemesi, aygıt teknolojisinde kullanılan silisyumoksit malzemesine alternatif malzemelere potansiyeldir.Öğe Selüloz nanokristal (CNC) arayüzeye sahip metal/yalıtkan/yarıiletken (MIS) yapılı aygıtların karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-12) Bilge, Hicran; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi metal/yarıiletken arayüzeyine uygulayarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapısı elde edilmiştir. Öncelikle analiz çalışmaları için ayrılan nanoselülözün; dinamik ışık saçılımı spektrometresi (DLS), zeta potansiyeli, ultraviyole ve görünür ışık (UV-Vis) soğurma spektroskopisi, raman spektrometresi ve taramalı geçirimli elektron mikroskobu (STEM) analizleri yapılmıştır. Daha sonra elde edilen Al/CNC/p-Si (MIS) yapısının oda sıcaklığında ve karanlık altındaki elektriksel karakterizasyonları akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. I-V sonuçlarından idealite faktörü (n) değeri 1,72 ve sıfır beslem engel yüksekliği (B) değeri de 0,80 eV olarak hesaplanmıştır. Hesaplanan idealite faktörü değerinden büyük çıkması Al/p-Si arasındaki CNC ara yüzey filminin varlığı ve ara yüzey durum dağılımları, ayrıca da p-Si yarıiletken tabakasının nötral bölgesinin seri direncinin yüksek olması ideallikten sapmaya atfedilmiştir. Ayrıca yapının seri direnç (Rs) etkisi de dikkate alınmış; Norde ve Cheung yöntemiyle Rs değeri hesaplanmıştır. Son olarak Al/CNC/p-Si (MIS) yapımızın C-V ölçümlerinden; frekansa bağlı C-V ve iletkenlik-gerilim (G-V) değişimleri incelenmiştir. Tüm sonuçlar literatür ile karşılaştırılarak yorumlanmıştır. Sonuç olarak; selüloz nanokristal (CNC) yalıtkan malzemesi elektronik aygıt uygulamalarında kullanılabilecek yalıtkan malzemelere potansiyeldir.Öğe Al katkılı ZrO2 oksit tabanlı MOS yapıların elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2025-02-09) Odunveren, Remzi; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında oksit arayüzeyi katkısız ve %1, %5, %10 alüminyum (Al) katkılı Al/ZrO2/p-Si metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapıların elektriksel özellikleri incelenmiştir. Oksit tabakası ZrO2 kimyasal banyo depolama tekniği kullanılarak p tipi silisyum üzerine büyütülmüştür. Öncelik büyütülmüş ZrO2 ince filmin yapısal analizi x-ışını kırınım difraktometresi (XRD) ile yapılmıştır. Daha sonra tüm Al/ZrO2/p-Si (MOS) yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlık altında gerçekleştirilmiştir. I-V ölçümlerinden faydalanarak diyot elektriksel parametreleri tayin edilmiştir. Yine I-V ölçümlerinden Norde ve Cheung yöntemi kullanılarak yapıların seri direnç etkileri belirlenmiştir. Belirlenen parametreler literatürde karşılaştırılarak Al katkısının etkisi raporlanmıştır.
