4 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 4 / 4
Öğe Ag-doped HfO2 thin films via sol–gel dip coating method(Springer Nature, 2019-10-01) Pakma, Osman; Kaval, Şehmus; Kari̇per, İshak AfşinIn this study, undoped and Ag-doped HfO2 thin films were deposited on glass substrates by means of sol–gel dip coating method. These films were then thermally annealed at 500 °C for 1 h. The structural and optical properties of undoped and Ag-doped HfO2 thin films were characterized by X-ray diffraction, UV–Vis spectrometry and scanning electron microscope. The results of this analysis were compared and interpreted with the results obtained in literature by various methods of coating with HfO2. The X-ray diffraction peaks of the films paired with monoclinic HfO2 crystalline peaks. The refractive indices of the films decreased with doping Ag, at 500 nm wavelengths. The optical band gap values of Ag-doped HfO2 thin films increased with doping Ag. The porous structures were observed on the surface films, especially with 5% Ag doping.Öğe Sol-jel yöntemiyle hazırlanmış Ag katkılı HfO2 ince filmlerin yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-06-07) Kaval, Şehmus; Pakma, OsmanBu çalışmada, sol-jel daldırma yöntemiyle cam yüzeylere katkısız ve Ag-katkılı HfO2 ince filmler elde edilmiştir. Daha sonra bu filmler 1 saat 500 C’de tavlamaya bırakılmıştır. Katkısız ve Agkatkılı HfO2 ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri X-ışını kırınım deseni (XRD), UV-VIS spektrometresi ve taramalı elektron mikroskopu (SEM) ile karakterize edilmiştir. Yapılan analiz sonuçları literatürde çeşitli yöntemlerle elde edilmiş HfO2 kaplama sonuçlarıyla karşılaştırılmış ve yorumlanmıştır.Öğe Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021-06-23) Demir, Arif; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında katkısız ve gümüş (Ag) katkılı HfO2 ince filmler p-Si yüzeylere sol-jel daldırma metoduyla kaplanmış; yüzey analizleri X-ışını kırınım desenleri (XRD) ile incelenmiş ve elektriksel karakterizayonları ise oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri alınarak yapılmıştır. Katkısız ve Ag katkılı Al/HfO2/p-Si (MIS) yapılarının oda sıcaklığındaki I-V analizlerinden idealite faktörleri (n), doyum akım yoğunlukları (I0) ve engel yükseklikleri (ϕB) tayin edilmiştir. İlgili parametre değişimleri yapılardaki seri direnç etkileri de dikkate alınarak incelenmiş olup, arayüzey durum yoğunlukları belirlenmiştir. Sonuç olarak katkılamanın yapılardaki elektriksel parametreler üzerindeki etkisi raporlanmış ve literatür ile karşılaştırması yapılmıştır.Öğe Krom katkılı HfO2 ince filmlerin fiziksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021-06-23) Arslan Akyüz, Hicran; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında, cam tutucu yüzeylere katkısız ve % 1, % 5, % 10 krom (Cr) katkılı HfO2 ince filmler sol-jel daldırma yöntemiyle elde edilmiştir. Elde edilen filmler bir saat 500 C’de tavlamaya bırakılmıştır. Tüm ince filmlerin kalınlıkları foto spektrometre yardımıyla ölçülmüştür. Kalınlıkları tespit edilmiş ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri X-ışını kırınım deseni (XRD) ve UV-VIS spektrometresi incelenmiştir. Tüm analiz ve sonuçlar literatürde çeşitli yöntemlerle elde edilmiş HfO2 ince film sonuçlarıyla karşılaştırılmış ve katkılama oranının etkisi yorumlanmıştır.
