3 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 3 / 3
Öğe Analysis of electrical and photoelectrical properties of ZnO/p-InP heterojunction(Elsevier, 2011-06) Ocak, Yusuf Selim; Kulakçı, Mustafa; Turan, Raşit; Kılıçoğlu, Tahsin; Güllü, ÖmerA ZnO/p-InP heterojunction has been fabricated by dc sputtering of ZnO on p-InP. It has been observed that the device has a good rectification. The electrical properties of the device such as ideality factor, barrier height, series resistance have been calculated using its current-voltage (I-V) measurements between 300 and 380 K with 20 K intervals. The short current density (Jsc) and open circuit voltage (Voc) parameters have been determined between 40 and 100 mW/cm2. The photovoltaic parameters of the device have been also determined under 100 mW/cm2 and AM1.5 illumination condition.Öğe Hibrit PTCDI-C8P-Si organik-inorganik heteroeklem diyotunun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-05-18) Erdal, Murat; Özaydın, CihatPTCDI-C8, yüksek mobilite ve n-tipi yarıiletken özelliklere sahip elektronik ve optoelektronik cihazlar için çok önemli bir organik malzemedir. Organik-inorganik hibrit cihazların yaygın olarak kullanılması, organik moleküllü yarı iletkenlerin farklı optoelektronik cihazlarda kullanılmasını ve elektriksel özelliklerinin ortaya çıkarılmasını önemli hale getirmiştir. Bu çalışmada, PTCDI-C8 yarı iletken organik molekülün ince bir filminin p-tipi silikon üzerinde sol-jel spin kaplama tekniği ile büyütülmesiyle PTCDI-C8/p-Si heteroeklemi oluşturulmuştur. Karşılaştırma için, aynı koşullar altında ara katmanı olmayan p-Si/Al metal-yarı iletken (MS) diyot da üretildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem ve p-Si/Al MS diyotun elektriksel özellikleri, oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri ile araştırıldı. Her iki diyot da iyi doğrultucu özellikler gösterdi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin idealite faktörü (2.1), bariyer yüksekliği (0.74 eV) ve seri direnci (248 kΩ) I–V karakteristiklerinden elde edildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem için elde edilen engel yükseklği(BH), geleneksel Al/p-Si Schottky diyotu için elde edilenden daha yüksektir. PTCDI-C8 organik ince film tabakası, Al/p-Si Schottky diyotun etkin bariyer yüksekliğini değiştirerek Al metal ve p-Si arasında fiziksel bir bariyer oluşturdu. Cihazın fotovoltaik parametreleri de 100 mW/cm2 ve AM1.5 aydınlatma koşulunda belirlenmiştir. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin açık devre voltajı (Voc = 320 mV) ve kısa devre akımı (Isc = 1,91 µA) ile bir fotodiyot davranışı sergiler.Öğe Organometalik kompleks (OMC) ince film ara tabakalı OMC/P-Sİ heteroeklem diyotunun üretimi ve karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2024-07-12) Doğmuş, Tevfik; Özaydın, CihatBu çalışmada, Al/p-Si diyotu ve OMC organometalik ince film ara tabakalı Al/OMC/p-Si diyotunun elektriksel karakteristikleri çıkarılarak ara tabakanın diyotun elektriksel özellikleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Bu amaçla akım-gerilim ve kapasite-gerilim ölçümleri yanı sıra, diyotların fotovoltaik özellikleri de 100 mW/cm² ışık gücü altında incelenmiştir. Al/p-Si ve Al/OMC/p-Si diyotunun için idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB) doyma akımı (I0) hesaplandı. Diyotların karanlıkta ± 2 volttaki doğrultma oranları hesaplandı. Diyotların ışığa duyarlılıkları belirlendi. Sonuçlar, OMC ara tabakasının varlığının diyotların elektriksel parametrelerini değiştirdiğini ve ışık altında foto hassasiyetlerini artırdığını göstermektedir. Bu bulgular, diyotların optoelektriksel performanslarının iyileştirilmesi için OMC ara tabakasının önemli bir rol oynadığını ortaya koymaktadır.
