7 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 7 / 7
Öğe Electrical characteristics of the Al/Congo Red (CR)/p-Si semiconductor diodes(Dumlupınar Üniversitesi, 2015-05) Güllü, Ömer; Pakma, Osman; Turut, Abdulmecit; Arsel, İsmailIn this work, we have studied the electrical characteristics of the Al/CR/p-Si MIS Schottky structures formed by coating of the organic material directly on p-Si substrate. It has been seen that the CR thin film on the p-Si substrate has indicated a good rectifying behavior. The barrier height and the ideality factor of the device have been calculated from the I-V characteristic. We have also studied the suitability and possibility of the MIS diodes for use in barrier modification of Si MS diodes. In addition, we have compared the parameters of the Al/CR/p-Si MIS Schottky diodes with those of conventional Al/p-Si MS diodes. We have observed that the b value of 0.77 eV obtained for the Al/CR/p-Si device was significantly larger than BH value of the conventional Al/p-Si MS contact. Thus, the modification of the interfacial potential barrier for metal/Si diodes has been achieved by using the CR organic interlayer. This was attributed to the fact that the CR interlayer increased the effective b by influencing the space charge region of Si. The interface-state density of the MIS diode was found to vary from 1.24×1013 eV-1 cm-2 to 2.44×1012 eV-1 cm-2.Öğe Sprey piroliz yöntemi kullanılarak TiO2 ince filminin üretimi ve metal/TiO2/Sİ MIS yapılarda uygulanması(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-07-10) Akkuş, Mehmet Murat; Güllü, ÖmerGünümüzde titanyum dioksit (TiO2), yapısal olarak beyaz toz halinde bulunan nano tanecikli yapısı ve ekonomik olması olağan üstü fiziksel ve kimyasal özellikleri nedeniyle en fazla araştırma yapılan metal oksit maddelerinden birisidir. Bu çalışmalarda titanyum dioksitin çok farklı kullanım alanlarına sahip olduğu görülmektedir. Gaz algılama, su arıtma, elektrokromik cihazlar, fotovoltaik hücre vb. gibi çok çeşitli uygulama alanları bulunmaktadır. Bu malzemeler, sol-jel, fiziksel buhar büyütme, kimyasal buhar büyütme ve elektrodepozisyon dahil olmak üzere farklı yöntemlerle sentezlenebilir. Bu tez çalışmasında sprey piroliz yöntemi kullanılmıştır. TiO2 ince tabakalar cam altlıklar ve inorganik yarıiletken Si (silisyum) altlık üzerine kaplanmıştır. Bu yöntem, düşük maliyetli ve kontrolü kolay bir yöntemdir. Altlıklar kimyasal temizleme işlemi yapıldıktan sonra sprey piroliz tekniği ile 25 cm yükseklikten yatay eksende 3 saniye hareketle cam altlık kaplanmıştır. Kaplama işlemi 80 ℃’de sabit sıcaklıkta tutularak yapılmıştır. Si kristali üzerine ince katmanlı tabaka oluşturulduktan sonra, üst tarafına Al metali fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırıldı. Bu çalışma sonucunda TiO2 ince tabakaların yoğun ve düzgün olduğu saptanmıştır. Cam altlık üzerine oluşturulan TİO2 ince katmanlı tabakanın morfolojik yapısı ve optik özellikleri araştırıldı. Metal/TiO2/Si diyot arayüzeyleri ve elektriksel özellikleri, karanlık ortamda akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile araştırılmıştır.Öğe Al/Congo Red/P-Tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-01-04) Altunışık, Celal; Güllü, ÖmerBu çalışmada katıhal devre elemanları ve malzemeler üzerindeki ışınlama etkilerinin araştırılması, pek çok bilim insanı ve farklı ülkelerin uzay ajansları konuyla ilgili çalıştıkları için ilgi çekmektedir. Bir foton veya parçacık radyasyonu katıhal devre elemanlarına ve malzemelere uygulanırsa, sert bir bozulma ortaya çıkacaktır. Bu ışınlama prosedürü aşamasında, yarıiletken aygıtlar üzerinde kalıcı veya geçici bozulma durumu oluşabilecektir. Bu tez çalışmasında, MIS diyotun fabrikasyonu için p-tipi Silisyum yarıiletken alttaşlar kullanılmıştır. Kimyasal temizlik aşamasından sonra, Al/Congo Red (CR)/p-Si MIS diyot yapısı omik arka kontak ve Al üst kontağın metalizasyonu ile üretilmiştir. Si alttaşlar üzerinde organik CR ince filmi %0.2 lik etanol çözeltisi içeren congo red çözeltisinin kaplanmasıyla yapılmıştır. Al/CR/p Si MIS kontak üzerinde ışınlama etkisini araştırmak için, Co-60 γ- ışınlamasından önce ve sonra Akım Voltaj (IV) ve Kapasite-Gerilim (CV) ölçümleri alındı. I-V verilerinden geleneksel LnI-V karakteristikleri, Cheung fonksiyonları ve Norde fonksiyonları kullanılarak, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) hesaplandı. Ayrıca, Al/CR/p-Si MIS kontağın arayüzey durum yoğunluğu (Nss) da hasaplandı. Aygıtın C-V ölçümlerinden difüzyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (Φb) ve akseptör yük konsanstrasyonu (Na) değerleri hesaplandı.Öğe Silicon MIS diodes with Cr2O3 nanofilm Optical morphological structural and electronic transport properties(Elsevier, 2010-04-15) Güllü, Ömer; Erdoğan, İbrahim YasinIn this work we report the optical, morphological and structural characterization and diode application of Cr2O3 nanofilms grown on p-Si substrates by spin coating and annealing process. X-ray diffraction (XRD), non-contact mode atomic force microscopy (NC-AFM), ultraviolet–visible (UV–vis) spectroscopy and photoluminescence (PL) spectroscopy were used for characterization of nanofilms. For Cr2O3 nanofilms, the average particle size determined from XRD and NC-AFM measurements was approximately 70 nm. Structure analyses of nanofilms demonstrate that the single phase Cr2O3 on silicon substrate is of high a crystalline structure with a dominant in hexagonal (1 1 0) orientation. The morphologic analysis of the films indicates that the films formed from hexagonal nanoparticles are with low roughness and uniform. UV–vis absorption measurements indicate that the band gap of the Cr2O3 film is 3.08 eV. The PL measurement shows that the Cr2O3 nanofilm has a strong and narrow ultraviolet emission, which facilitates potential applications in future photoelectric nanodevices. Au/Cr2O3/p-Si metal/interlayer/semiconductor (MIS) diodes were fabricated for investigation of the electronic properties such as current–voltage and capacitance–voltage. Ideality factor and barrier height for Au//Cr2O3/p-Si diode were calculated as 2.15 eV and 0.74 eV, respectively. Also, interfacial state properties of the MIS diode were determined. The interface-state density of the MIS diode was found to vary from 2.90 × 1013 eV−1 cm−2 to 8.45 × 1012 eV−1 cm−2.Öğe Metal katkılı magnezyum oksit ince filmlerin üretimi ve devre elemanlarında uygulaması(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2023-07-10) Türkeri, Murat; Güllü, ÖmerTeknolojik gelişmeler ve nanobilim, hem yeni bir olgunun, sanayi devrimlerinin icadının teşvik edilmesinde hem de 21. yüzyıl için ekonominin gelişmesinde önemli bir rol oynamıştır. Son zamanlarda geçiş metali oksitleri teknolojik açıdan kendine özgün özellikleri nedeniyle araştırmacıların ilgisini çekmiştir. Demir oksit ve çinko oksit nanoyapıları gibi tüm geçiş metali oksitleri arasında Magnezyum oksit (MgO) filmler, optik, optoelektronik, biyosensör, gaz algılama, kataliz, dönüştürücüler ve kapasitörler dâhil olmak üzere çeşitli bilim ve teknoloji alanlarındaki muazzam potansiyel uygulamaları nedeniyle geniş ilgi görmüştür. Metal oksitleri ilgi çekici ve ilginç yapıları, özellikleri ve değişik olgu kısımları ile son zamanlarda teknoloji ve bilim alanlarında ve uygulamalarında ilgi çeken malzemeler arasındadırlar. Birçok metal oksit akıllı camlar, gaz sensörleri, elektrokromik ve benzeri birçok alanda kullanılmaktadır. Sprey piroliz tekniği ile elde ettiğimiz Magnezyum oksit (MgO) filmlerinin özelliklerinine daha iyi çözüm bulmak amacıyla, cam veya inorganik yarıiletken (Silisyum) tabakasının üzerine büyütülmüştür. Farklı parametreler kullanılarak püskürtme tekniği ile en iyi ince film elde etmek için en uygun şartlar araştırılmıştır. Fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırarak kontak oluşturmak için Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturulduktan sonra ince filmlerin parlak yüzeyine alüminyum iletkeni ile kaplama yapılıp incelenmiştir. Karanlık ortamda incelenen bir Al/MgO/p-Si MIS Schottky diyotunun elektriksel ve arayüzey özellikleri, akım-gerilim (I-V) özellikleriyle analiz edilmiştir. Ayrıca cam üzerinde oluşturulan MgO ince filminin yapısal, yüzeysel, optiksel ve elektriksel özellikleri de sırasıyla X-Işını Kırınımı (XRD), Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ve UV-Visible Spektroskopisi yöntemleriyle incelenmiştir.Öğe Optical and structural properties of CuO nanofilm Its diode application(Elsevier, 2010-03-04) Güllü, Ömer; Erdoğan, İbrahim YasinThe high crystalline CuO nanofilms have been prepared by spin coating and annealing combined with a simple chemical method. The obtained films have been characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy, ultraviolet–vis (UV–vis) spectroscopy and photoluminescence (PL) spectroscopy. Structural analysis results demonstrate that the single phase CuO on Si (1 0 0) substrate is of high a crystalline structure with a dominant in monoclinic (1 1 1) orientation. FT-IR results confirm the formation of pure CuO phase. UV–vis absorption measurements indicate that the band gap of the CuO films is 2.64 eV. The PL spectrum of the CuO films shows a broad emission band centered at 467 nm, which is consistent with absorption measurement. Also, Au/CuO/p-Si metal/interlayer/semiconductor (MIS) diodes have been fabricated. Electronic properties (current–voltage) of these structures were investigated. In addition, the interfacial state properties of the MIS diode were obtained. The interface-state density of the MIS diode was found to vary from 6.21 × 1012 to 1.62 × 1012 eV−1 cm−2.Öğe Barrier modification by methyl violet organic dye molecules of Ag p InP structures(European Journal of Interdisciplinary Studies, 2016-05) Güllü, ÖmerThis work includes fabrication and electrical characterization of Metal/Interlayer/Semiconductor (MIS) structures with methyl violet organic film on p-InP wafer. Metal(Ag)/ Interlayer (methyl violet =MV)/Semiconductor(p-InP) MIS structure presents a rectifying contact behavior. The values of ideality factor (n) and barrier height (BH) for the Ag/MV/p-InP MIS diode by using the current-voltage (I-V) measurement have been extracted as 1.21 and 0.84 eV, respectively. It was seen that the BH value of 0.84 eV calculated for the Ag/MV/p-InP MIS structure was significantly higher than the value of 0.64 eV of Ag/p-InP control contact. This situation was ascribed to the fact that the MV organic interlayer increased the effective barrier height by influencing the space charge region of inorganic semiconductor. The values of diffusion potential and barrier height for the Ag/MV/p-InP MIS diode by using the capacitance-voltage (C-V) measurement have been extracted as 1.21 V and 0.84 eV, respectively. The interface-state density of the Ag/MV/p-InP structure was seen to change from 2.57×1013 eV-1cm-2 to 2.19×1012 eV-1cm-2
