6 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 6 / 6
Öğe Aerojel yalıtım malzemesi üretimi ve karakteristik özelliklerinin belirlenmesi(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2021-09-16) Kayır, Mehmet; Işık, Mehmet ZerakkiAerojel üretimi için beş farklı sentez uygulanmış, gerekli testler yapılmış ve belirlenen veriler incelenmiştir. Elde edilen sonuçlara göre üretilen aerojellerin yoğunluklarının 0.66 ile 1.053 g/ml arasında, termal iletkenlik değerlerinin ise 0.067 ile 0.097 W/mK aralığında olduğu belirlendi. Üretim aşamasında sol-jeldeki TEOS ve TMOS konsantrasyonundaki artışın aerojellerin yoğunluklarında ve dolaylı olarak termal iletkenlik değerlerinin de artış gösterdiği belirlendi. Reaktörün geniş iç hacmi ve sıcaklık aşamalarının tam olarak kontrol edilememesi nedeniyle, farklı basınç-sıcaklık geçiş süreçlerinin yapısal etkileri, hedeflenen termofiziksel özelliklere yaklaşımı etkilemiştir. Kurutma işleminin 100 bar gibi yüksek basınç koşullarında gerçekleştirilmesi, hazırlama işleminin uzun ve meşakkatli olması, kullanılan kimyasalların yüksek maliyeti gibi etkenler çözüm denemelerini sınırlamıştır. Geleceğin önemli bir yalıtım malzemesi olarak görülen aerojelin yalıtım özelliğinin gerekli destekler sağlanırsa iyileştirilebileceği düşünülmektedir.Öğe Sol-jel yöntemiyle hazırlanmış Ag katkılı HfO2 ince filmlerin yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-06-07) Kaval, Şehmus; Pakma, OsmanBu çalışmada, sol-jel daldırma yöntemiyle cam yüzeylere katkısız ve Ag-katkılı HfO2 ince filmler elde edilmiştir. Daha sonra bu filmler 1 saat 500 C’de tavlamaya bırakılmıştır. Katkısız ve Agkatkılı HfO2 ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri X-ışını kırınım deseni (XRD), UV-VIS spektrometresi ve taramalı elektron mikroskopu (SEM) ile karakterize edilmiştir. Yapılan analiz sonuçları literatürde çeşitli yöntemlerle elde edilmiş HfO2 kaplama sonuçlarıyla karşılaştırılmış ve yorumlanmıştır.Öğe Ag katkılı metal/HfO2/c-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021-06-23) Demir, Arif; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında katkısız ve gümüş (Ag) katkılı HfO2 ince filmler p-Si yüzeylere sol-jel daldırma metoduyla kaplanmış; yüzey analizleri X-ışını kırınım desenleri (XRD) ile incelenmiş ve elektriksel karakterizayonları ise oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ölçümleri alınarak yapılmıştır. Katkısız ve Ag katkılı Al/HfO2/p-Si (MIS) yapılarının oda sıcaklığındaki I-V analizlerinden idealite faktörleri (n), doyum akım yoğunlukları (I0) ve engel yükseklikleri (ϕB) tayin edilmiştir. İlgili parametre değişimleri yapılardaki seri direnç etkileri de dikkate alınarak incelenmiş olup, arayüzey durum yoğunlukları belirlenmiştir. Sonuç olarak katkılamanın yapılardaki elektriksel parametreler üzerindeki etkisi raporlanmış ve literatür ile karşılaştırması yapılmıştır.Öğe Hibrit PTCDI-C8P-Si organik-inorganik heteroeklem diyotunun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu(Batman Üniversitesi Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022-05-18) Erdal, Murat; Özaydın, CihatPTCDI-C8, yüksek mobilite ve n-tipi yarıiletken özelliklere sahip elektronik ve optoelektronik cihazlar için çok önemli bir organik malzemedir. Organik-inorganik hibrit cihazların yaygın olarak kullanılması, organik moleküllü yarı iletkenlerin farklı optoelektronik cihazlarda kullanılmasını ve elektriksel özelliklerinin ortaya çıkarılmasını önemli hale getirmiştir. Bu çalışmada, PTCDI-C8 yarı iletken organik molekülün ince bir filminin p-tipi silikon üzerinde sol-jel spin kaplama tekniği ile büyütülmesiyle PTCDI-C8/p-Si heteroeklemi oluşturulmuştur. Karşılaştırma için, aynı koşullar altında ara katmanı olmayan p-Si/Al metal-yarı iletken (MS) diyot da üretildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem ve p-Si/Al MS diyotun elektriksel özellikleri, oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri ile araştırıldı. Her iki diyot da iyi doğrultucu özellikler gösterdi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin idealite faktörü (2.1), bariyer yüksekliği (0.74 eV) ve seri direnci (248 kΩ) I–V karakteristiklerinden elde edildi. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroeklem için elde edilen engel yükseklği(BH), geleneksel Al/p-Si Schottky diyotu için elde edilenden daha yüksektir. PTCDI-C8 organik ince film tabakası, Al/p-Si Schottky diyotun etkin bariyer yüksekliğini değiştirerek Al metal ve p-Si arasında fiziksel bir bariyer oluşturdu. Cihazın fotovoltaik parametreleri de 100 mW/cm2 ve AM1.5 aydınlatma koşulunda belirlenmiştir. PTCDI-C8/p-Si/Al heteroekleminin açık devre voltajı (Voc = 320 mV) ve kısa devre akımı (Isc = 1,91 µA) ile bir fotodiyot davranışı sergiler.Öğe Krom katkılı HfO2 ince filmlerin fiziksel özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021-06-23) Arslan Akyüz, Hicran; Pakma, OsmanBu tez çalışmasında, cam tutucu yüzeylere katkısız ve % 1, % 5, % 10 krom (Cr) katkılı HfO2 ince filmler sol-jel daldırma yöntemiyle elde edilmiştir. Elde edilen filmler bir saat 500 C’de tavlamaya bırakılmıştır. Tüm ince filmlerin kalınlıkları foto spektrometre yardımıyla ölçülmüştür. Kalınlıkları tespit edilmiş ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri X-ışını kırınım deseni (XRD) ve UV-VIS spektrometresi incelenmiştir. Tüm analiz ve sonuçlar literatürde çeşitli yöntemlerle elde edilmiş HfO2 ince film sonuçlarıyla karşılaştırılmış ve katkılama oranının etkisi yorumlanmıştır.Öğe Interface effects of annealing temperatures in Al/HfO2/p-Si (MIS) structures(Gazi Üniversitesi, 2017-09-20) Özden, Şadan; Pakma, OsmanIn this study, Al/HfO2/p-Si (MIS) structures were prepared by using the sol-gel method for three different annealing temperatures. The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of these structures were investigated by taking into consideration the effect of the interfacial insulator layer and surface states (Nss) at room temperature. All of the structures showed non-ideal I-V behaviour with ideality factor (n) in the range between 2.35 and 4.42 owing to interfacial insulator layer and surface states. The values of Nss and barrier height (fb) for three samples were calculated. The values of n and Nss ascend with increasing the insulator layer thickness (δ) while the values of fb decreases.
