Filtreler

2015 - 201952020 - 20211
Filtreleri Sıfırla

Ayarlar

Bölüm: Batman Üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü × Erişim Hakkı: Attribution-ShareAlike 3.0 United States ×

Arama Sonuçları

Listeleniyor 1 - 6 / 6
  • Küçük Resim
    Öğe
    Temperature dependent electrical transport in Al/Poly(4-vinyl phenol)/ p -GaAs metal-oxide-semiconductor by sol-gel spin coating method
    (Hindawi, 2016-03-10) Özden, Şadan; Tozlu, Cem; Pakma, Osman
    Deposition of poly(4-vinyl phenol) insulator layer is carried out by applying the spin coating technique onto p-type GaAs substrate so as to create Al/poly(4-vinyl phenol)/p-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. Temperature was set to 80-320 K while the current-voltage (I-V) characteristics of the structure were examined in the study. Ideality factor (n) and barrier height (φ b) values found in the experiment ranged from 3.13 and 0.616 eV (320 K) to 11.56 and 0.147 eV (80 K). Comparing the thermionic field emission theory and thermionic emission theory, the temperature dependent ideality factor behavior displayed that thermionic field emission theory is more valid than the latter. The calculated tunneling energy was 96 meV.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Sılar yöntemi kullanılarak pbo ince filminin üretimi ve pb/pbo/p-si mıs kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri
    (Batman Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2021-02-04) Erdem, Emine; Güllü, Ömer
    Son yıllarda, metal oksit ince filmler yoğun bir şekilde piezoelektrik, elektronik, optronik cihazlar ve fotovoltik hücrelerde kullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında düşük maliyetli ve kontrolü oldukça kolay olan, SILAR ince film büyütme tekniği kullanılarak kurşun oksit (PbO) ince filmini mikroskop camı (lam) ve inorganik yarıiletken silisyum (Si) altlık üzerine büyütülmüştür. Kullanılan altlıklar uygun kimyasal temizleme işlemlerinden sonra SILAR tekniği ile kaplanmıştır. Kaplama işlemi çözeltiler 80℃’de tutularak yapılmıştır. Kaplama esnasında hem cam hem silisyum kristali (mat yüzey) 25 adımlık daldırma tur sayısı ile kaplanmıştır. Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturduktan sonra üst yüzeyine (parlak yüzey) Pb iletkeni fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak kontak oluşturulmuştur. Cam üzerinde oluşturulan PbO ince filmin optik, morfolojik ve yapısal özellikleri, araştırılmıştır. Oluşturulan Pb/PbO/p-Si MIS Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri karanlık ortamda akım-gerilim (I-V), 10kHz-2MHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V), kondüktans-gerilim (G-V) ve 1kHz-10MHz frekans aralığında kapasite-frekans (C-F) özellikleri incelenmiştir.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Electronic properties of Cu/n-InP metal-semiconductor structures with cytosine biopolymer
    (Polska Akademia Nauk, 2015-09) Güllü, Ömer; Türüt, Abdülmecit
    This work shows that cytosine biomolecules can control the electrical characteristics of conventional Cu/n-InP metal-semiconductor contacts. A new Cu/n-InP Schottky junction with cytosine interlayer has been formed by using a drop cast process. The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of Cu/cytosine/n-InP structure were investigated at room temperature. A potential barrier height as high as 0.68 eV has been achieved for Cu/cytosine/n-InP Schottky diodes, which have good I-V characteristics. This good performance is attributed to the effect of interfacial biofilm between Cu and n-InP. By using C-V measurement of the Cu/cytosine/n-InP Schottky diode the diffusion potential and the barrier height have been calculated as a function of frequency. Also, the interface-state density of the Cu/cytosine/n-InP diode was found to vary from 2:24 × 1013 eV-1cm-2 to 5.56× 1012 eV-1 cm-2.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Barrier enhancement of Al/n-InP Schottky diodes by graphene oxide thin layer
    (Scientific Publishers, 2019) Güllü, Ömer; Çankaya, Murat; Rajagopal Reddy, Varra
    In the present work, the surface morphology, structural and optical features of graphene oxide (GO) films are investigated. The Al/GO/n-InP MIS diode is formed by depositing GO layer on n-InP wafer for the barrier enhancement. Interfacial properties of the MIS diode with GO interlayer are extracted from current–voltage (I–V) measurement. The simple diode parameters such as barrier height and ideality factor are extracted from I–V plots, and the values are compared with those of conventional Al/n-InP MS contact. The value of barrier height (BH) for the Al/GO/n-InP contact is found as 0.85 eV. The BH value of 0.85 eV of the Al/GO/n-InP MIS structure is as high as around 100% compared to the value of 0.43 eV of the Al/n-InP reference contacts. We have showed that the value of 0.85 eV is one of the highest values presented for reference contacts with an interlayer.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Electronic parameters of MIS Schottky diodes with DNA biopolymer interlayer
    (Walter de Gruyter, 2015-09-01) Güllü, Ömer; Türüt, Abdülmecit
    In this work, we prepared an ideal Cu/DNA/n-InP biopolymer-inorganic Schottky sandwich device formed by coating a n-InP semiconductor wafer with a biopolymer DNA. The Cu/DNA/n-InP contact showed a good rectifying behavior. The ideality factor value of 1.08 and the barrier height (Φb) value of 0.70 eV for the Cu/DNA/n-InP device were determined from the forward ias I-V characteristics. It was seen that the Φb value of 0.70 eV obtained for the Cu/DNA/n-InP contact was significantly larger tan the value of 0.48 eV of conventional Cu/n-InP Schottky diodes. Modification of the interfacial potential barrier of Cu/n-InP iode was achieved using a thin interlayer of DNA biopolymer. This was attributed to the fact that DNA biopolymer interlayer increased the effective barrier height by influencing the space charge region of InP.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Organik arayüzey tabakalı Al/CuPc /p-InP kontakların fabrikasyonu ve elektriksel parametrelerinin incelenmesi
    (Batman Üniversitesi, 2015-07-01) Aslan, Filiz; Güllü, Ömer; Ocak, Yusuf Selim; Rüzgar, Şerif; Tombak, Ahmet; Özaydın, Cihat; Pakma, Osman; Arsel, İsmail
    Bu çalışmada termal buharlaştırma metodu kullanılarak bakır fitalosiyanin (CuPc) p-InP kristali üzerine kaplandı. Yine termal buharlaştırma sistemi kullanılarak oluşan ince organik film üzerine vakum ortamında alüminyum metali kaplandı ve Al/CuPc/p-InP diyot yapısı oluşturuldu. Al/CuPc/p-InP diyotunun oda sıcaklığında, karanlık ve aydınlık ortamda akım-gerilim (I-V) ölçümleri alındı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. Aydınlık ortamda yapılan ölçümler 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında yapıldı ve bu ölçümler doğrultusunda diyotun fotodiyot özellik gösterdiği görüldü. Ayrıca farklı yöntemlerle Al/CuPc/p-InP Schottky diyotunun karakteristik parametreleri ( idealite faktörü (n) ,engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) ) hesaplandı.