6 sonuçlar
Arama Sonuçları
Listeleniyor 1 - 6 / 6
Öğe Improvement of diode parameters in Al/n-Si schottky diodes with coronene interlayer using variation of the illumination intensity(Elsevier, 2017-12-15) Pakma, Osman; Çavdar, Şükrü; Koralay, Haluk; Tuğluoğlu, Nihat; Yüksel, Ömer FarukIn present work, Coronene thin films on Si wafer have been deposited by the spin coating method. It has been ultimately produced Al/Coronene/n-Si/In Schottky diode. Current–voltage (I-V) measurements have been used to determine the effect of illumination intensity in the Schottky diodes. The barrier height (ΦB) values increased as ideality factor (n) values decreased with a increase in illumination intensity. The ΦB values have been found to be 0.697 and 0.755 eV at dark and 100 mW/cm2, respectively. The n values have been found to be 2.81 and 2.07 at dark and 100 mW/cm2, respectively. Additionally, the series resistance (Rs) values from modified Norde method and interface state density (Nss) values using current-voltage measurements have been determined. The values of Rs have been found to be 1924 and 5094 Ω at dark and 100 mW/cm2, respectively. The values of Nss have been found to be 4.76 × 1012 and 3.15 × 1012 eV−1 cm−2 at dark and 100 mW/cm2, respectively. The diode parameters are improved by applying the variation of illumination intensity to the formed Schottky diodes.Öğe Al/CuO/p-Si/Al Diyot yapısının elektriksel özellikleri(Batman Üniversitesi, 2015) Karabat, Mehmet Faruk; Arsel, İsmailBu çalışmada, Metal-yarıiletken arasına yerleştirilen ince metal-oksit (CuO) filmin diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırıldı. Metal yarıiletken arasına yerleştirilen CuO nano yapılı ince filmleri büyütmek için spin coating metodu kullanıldı ve bir Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısı üretildi. Üretilen Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısının geleneksel (I-V) karakteristiklerinden, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB0) ve Norde fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Elde edilen filmlerin, taramalı elektron mikroskobu (SEM) görüntüleri alındı. Ayrıca CuO filmlerin optiksel özellikleri UV-VIS spektroskopisi ile incelenmiş ve buradan optiksel enerji bant aralığının 2.08 eV olduğu belirlendi. Hesaplamalara göre, üretilen diyotun doğrultucu diyot olduğu ve fotodiyot özellik gösterdiği görüldü.Öğe Organik boya ara tabakalı Al/Safranine T/n-tipi Inp MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özellikleri(Batman Üniversitesi, 2019-05-03) Aydın, Hilal; Güllü, ÖmerBu çalışmada; [100] doğrultusunda büyütülmüş, 300 μm kalınlıkta, donor konsantrasyonu 1-5x1017 cm-3 olan ve bir yüzü parlatılmış n-InP yarıiletkeni kullanıldı. Uygun kimyasal temizleme işleminden sonra yarıiletken kristalin alt yüzüne In omik kontak yapıldı. Üst yüzüne Safranine T boyası metanol çözeltisi (0.2’lik) ile kaplandıktan sonra organik tabakanın da üst yüzeyine alt kontak yapıldı. İmal edilen Al / ST / n-InP Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında karanlık ve ışık altında akım-gerilim (I-V) ölçümü ve 100 kHz'lik adımlarla 100-900 kHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) özellikleri araştırılmıştır. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz beslem I-V verisi kullanılarak modifiye Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir. Diyotun arayüzey durum yoğunluğu (Nss) de hesaplanmıştır. Ortaya çıkan yapı mükemmel doğrultucu özelliklere sahiptirÖğe Electrical characterization of the Al/new fuchsin/n-Si organic-modified device(Elsevier, 2010-03) Güllü, Ömer; Asubay, Sezai; Turut, Abdulmecit; Aydoğan, ŞakirThe current–voltage (I–V) and the capacitance–voltage (C–V) characteristics of the Al/new fuchsin (NF)/n-Si device have been investigated at room temperature. The I–V characteristic of the device shows a good rectification. The ideality factor and the barrier height from the I–V characteristics have been determined as 3.14 and 0.80 eV, respectively. A modified Norde's function combined with the conventional I–V method has been used to extract the parameters including the barrier height and the series resistance. The barrier height and the series resistance obtained from Norde's function have been compared with those from Cheung functions, and it has been seen that there was a good agreement between those from both method. It has also been seen that the values of diode capacitance increased up to the constant values for the forward bias.Öğe Fenolik yapıdaki bazı bileşiklerin değişik asit klorürlerle esterleşme tepkimeleri ve oluşan esterlerin elektronik özelliklerinin incelenmesi(Batman Üniversitesi, 2014) Yiğitalp, Eşref; Topal, GirayBu çalışmada konjugasyonu artırılmış 5 adet diester sentezlendi. Konjigasyonu artırmak için diasit klorurleriyle fenolik yapılar etkileştirildi. Bu esterlerin yapıları UV-Vis, FT-IR, 1H NMR ve 13C NMR spektroskopisi ile aydınlatıldı. Daha sonra iletkenlik ölçümleri yapıldı. Herbir diester için metal-diester-yarıiletken yapılar oluşturuldu. Akım–gerilim (I-V) grafikleri çizildi. Diyot özelliğine sahip oldukları belirlendi.Öğe A novel device behavior of al/coronene/n-gaas/in organicbased schottky barrier diode(Jomard Publishing, 2019) Akın, Ümmühan; Yüksel, Ömer Faruk; Pakma, Osman; Koralay, Haluk; Çavdar, Şükrü; Tuğluoğlu, Nihat. A new Schottky barrier diode of Al/Coronene/n-GaAs/In was successfully prepared using spincoating method. The interface state and electrical properties of Al/Coronene/n-GaAs Schottky barrier diode have been studied by current– voltage (I–V) data in dark and light. The key diode parameters such as ideality factor, Schottky barrier height, rectification ratio, series and shunt resistances were evaluated from I–V data. The effective forward conduction mechanisms were determined as the thermionic emission at low voltage. Results obtained at room temperature (300 K) showed highly rectifying devices under dark and light. The barrier height ( B ) of the diode was obtained as 0.901 eV and 0.842 eV under dark and light, respectively. The ideality factor (n) of the diode was calculated to be 1.49 and 1.82 under dark and light, respectively. The values of series resistance ( ) Rs obtained from Cheung-Cheung technique were determined to be 18 and 16 under dark and light, respectively. The interface states density (Nss) of the Shottky device exhibits an exponential decrease with bias from 5.31x1010 eV-1 cm-2 and 7.24x1010 eV-1 cm-2 at (Ec-0.338) eV to 1.84x1010 eV-1 cm-2 and 2.17x1010 eV-1 cm-2 at (Ec-0.640) eV under dark and light, respectively.
